ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ
ГОСТ 20003—74
(СТ СЭВ 2770—80)
И
Цена 10 йен.
здание официальноеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
У
Группа Э00.
ГОСТ
20003—74* *
(СТ СЭВ 2770—80)
ДК 621.382.3.: 001.4 : 006.354ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения
параметров
Bipolar transistors
Terms, definitions and
parameter symbols
ОКСТУ 6201
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. № 1799 срок введения установлен
с O1.O7.7S
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные.стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770—80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов—синонимов стандартизованного термина запрещается. -
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе «Определение» поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины — курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона /Вкл, ст/ время включения биполярного транзистора ^ВКЛ, б'Т? время включения полевого транзистора іВкл, п-т-
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter)
current
|
^КБО |
/сво |
Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор—база и разомкнутом выводе эмиттера |
|
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Koi- lektoi) E. Emitter cut-off current F Courant residue! de I’femetteur |
^ЭБО |
/ £ ВО |
Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер—база и разомкнутом выводе коллектора |
|
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора D Kollektor-Emitter- •Reststrom Е Collector-Knitter cutoff current F Courant residue! du collecteur-6metteui |
'гі 'кэ |
|
Ток в цепи коллектор — эмиттер при заданном обратном , напряжении коллектор—эмиттер |
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Rest- strom Е Base cut-off current F. Courant residuel de la base |
1БЭХ |
/вех |
Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор—эмиттер и эмиттер—база |
|
|
5. Критический ток биполярного транзистора |
/ кр |
|
Значение тока коллектора, при достижении которого значение Л г (1Л-2І» 11 падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор—эмиттер |
|
|
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера |
^КЭОгр |
1.' СЕО |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
|
|
7. Напряжение насыщения коллектор—эмиттер
|
U КЭпас |
sat |
Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
|
|
8. Напряжение насыщения база—эмиттер
emitter voltage
|
БЭ нас |
и BE sat |
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
|
|
9. Плавающее напряжение эмиттер—база
|
ЭБ пл |
Уев и |
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор—база и при токе |
|
|
emetteur-base |
|
• |
эмиттера, равном нулю |
|
|
|
Буквенное обозначение |
|
|
|
Термин • |
отечественное |
международное |
Определение |
П. Kollektor-Emitter- Durchbruchspann- ung (bei vorgege- benen Bedingungen) E Breakdown collector- emitter voltage F. Tension de. claquage collecteur-emetteur 14 Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangs- widerstand |
^ЭБО проб ^КБО проб U КЭ проб h'l |
£/pt U( BR) ЕВО J^(BR) СВО Ли |
Обратное напряжение коллектор—база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор— база _ Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю Пробивное Напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном пулю Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе Коллектора Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
При -токе базы, равном нулю, ^кэо, проб - У(ВЮСЕО :
при заданном сопротивлении в цепи база—эмиттер, UK3Rпроб, ^(brjcer ; при коротком замыкании в цепи база—эмиттер (Дэк проб > ^(BR)CES • при заданном обратном напряжении база—эмиттер Укэх проб , ^(brjcex ■
Продолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
|
|
|
|
|
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalspann- ungsriickwirkung
transfer ratio
|
h 12 |
/112 |
Отношение изменения напряжения па входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
|
|
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalstiomver- starkung |
Л21 |
Лаг |
Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по перемен- |
|
|
|
|
ному току |
|
|
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте
|
1 Лаи 1 |
І Азіє 1 |
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
|
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
F. Module du rapport de transfert direct du courant 18. Выходная полная |
|
/і22 |
Отношение изменения |
|
проводимость биполяр- |
|
|
выходного тока к выз- |
|
ного транзистора в режиме йалого сигнала D. Kleinsignalausgangs- leitwert - |
|
|
вавшему. его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по пе- |
19. Входное сопротив- |
^пэ |
/її IE |
ременному току Отношение напряже- |
|
ление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала
20. Статический коэф- |
21Э |
Лаїв |
ния на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер в схеме с общим эмиттером Отношение постоянно- |
|
фициент передачи тока биполярного транзистора D. Gleichstromverstar- kung in Emitters- chaltung
21. Входная полная |
У п |
Уп |
го тока коллектора к постоянному току базы при. заданных постоянном обратном напряжении коллектор—эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером Отношение изменений |
|
проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала
|
|
комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
|
П родолжение
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
F. Valeur de I'admit- lance d’entree, sortie en court-circuit pour de petits sig- naux 22. Полная проводи- |
У*2 |
f/l2 |
Отношение изменений |
|
мость обратной передачи биполярного транзистора |
|
|
комплексных величин входного тока к вызвав- |
|
в режиме малого сигнала D. Komplexer Klein- |
|
|
шему его изменению напряжения на выходе при |
|
signalriickwirkungs- leitwert
de petits signaux 23. Полная проводи- |
f/21 |
#21 |
коротком замыкании по переменному току на входе Отношение изменений |
|
мость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала |
|
|
комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению на- |
24. Модуль полной |
І021Э 1 |
lf/21e.| |
пряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на вы- ходё Модуль полной прово- |
|
проводимости прямой |
|
|
димости прямой переда- |
|
передачи биполярного транзистора
short-circuit for ward transfer admittance
|
|
|
чи в схеме с общим эмиттером |
