ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
ГОСТ 17021—88
(СТ СЭВ 1623—79J
Издание официальное
5 коп. БЗ 5—88/420
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
МоскваУ
Группа ЭОО
ДК 001.4 : 621.3.049.75—181.4 : 006.354ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
М
ГОСТ
17021—88
(СТ СЭВ 1623—79J
Термины и определения
Integrated circuits.
Terms and definitions.
ОКСТУ 6201
Дата введения 01.01.90'
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий интегральных микросхем.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
Стандартизованные термины с определениями приведены в табл. 1.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов — синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термицы- синонимы приведены в табл. 1 в качестве справочных и обозначены пометой «Ндп».
Для отдельных стандартизованных терминов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в данном стандарте.
В табл. 1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е), французском (F) языках.
Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл. 2—5.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
Интегральная микросхема
Integrierter Schaltkreis
Integrated microcircuit
Microcircuit integre
Элемент интегральной микросхемы
Элемент
Element des integ- rierten Schaltkreises
Circuit element
Element de circuit
Компонент интегральной микросхемы
Компонент
Bauelement des in- tegrierten Schaltkreises
Circuit component
Composant de circuit
Полупроводниковая интегральная микросхема Полупроводниковая микросхема
Ндп. Твердая схема
Integrierter Halbleiterschaltkreis
Semiconductor integrated circuit
Circuit integre й semiconducteurs
Пленочная интегральная микросхема
Пленочная микросхема D. Integrierter
Filmschaltkreis
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.
Таблица 1
Термин Определение
Микросхема, ряд элементов которой нераздельно выполнен и электрически соединен между собой таким образом, что с точки зрения технических требований, испытаний, торговли и эксплуатации устройство рассматривается как целое.
Примечание. Под микросхемой понимают микроэлектронное устройство, рассматриваемое как единое изделие, имеющее высокую плотность расположения элементов и (или) компонентов, эквивалентных элементам обычной схемы
Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая выполнена нераздельно от кристалла или подложки и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке;, поставке и эксплуатации.
Примечание. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др.
Часть интегральной микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации
Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала
Интегральная микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в виде пленок.
Примечание. Пленочные интегральные микросхемы могут быть толстопленочными и тонкопленочными
.
Film integrated circuit
Circuit integre a couches
Гибридная интегральная микросхема Гибридная микросхема D. Integrierter
Hybridschaltkreis
Hybrid integrated circuit
Circuit integre hybride
Аналоговая интегральная микросхема Аналоговая микросхема
Analoger integrierter Schaltkreis
Analogue integrated circuit
Circuit integre analogique
Цифровая интегральная микросхема
Цифровая микросхема Ндп. Логическая микросхема
Digitaler integrierter Schaltkreis
Digital integrated circuit
Circuit integre digitaux
Корпус интегральной микросхемы
Корпус
Schaltkreisgehause
Package
Boitier
Подложка интегральной микросхемы
Подложка
Substrat fur Hybrid und Filmschaltkreise
Substrate
Substrat
Полупроводниковая пластина
Пластина
D
Интегральная микросхема, содержащая, кроме элементов, компоненты и (или) кристаллы
Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
Интегральная микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции
Часть конструкции интегральной микросхемы, предназначенная для ее защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов
Заготовка из диэлектрического материала, предназначенная для нанесения на нее элементов гибридных интегральных микросхем, межэлементных и (или) межкомпонентных соединений, а также контактных площадок
Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем
. HalbleiterscheibeЧКристалл интегральной микросхемы Кристалл
Chip des integrierten Schaltkreises
Chip
Pastille
Базовый кристалл интегральной микросхемы
Базовый кристалл
Базовый матричный кристалл интегральной микросхемы
БМК
Базовая ячейка кристалла интегральной микросхемы
Базовая ячейка
Функциональная ячейка базового кристалла интегральной микросхемы
Функциональная ячейка
Библиотека функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы
Библиотека функциональных ячеек
Контактная площадка интегральной микросхемы
Контактная площадка D. Kontaktflache des integrierten Schaltkreises
асть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой интегральной микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадкиЧасть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и (или) не соединенных между собой, используемая для создания интегральных микросхем путем изготовления межэлементных соединений
Базовый кристалл интегральной микросхемы с регулярным в виде матрицы расположением базовых ячеек
Совокупность несоединенных и (или) соединенных между собой элементов, являющаяся основой для построения базового кристалла интегральной микросхемы.
Примечание. Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И—НЕ (ИЛИ — НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы
Совокупность элементов базового кристалла интегральной микросхемы, электрически соединенных в пределах одной или нескольких базовых ячеек для реализации одной или нескольких ■самостоятельных функций
Совокупность документов, содержащих перечень функциональных ячеек базового кристалла интегральной микросхемы, их основные электрические параметры, топологическое описание и логические модели.
Примечание. Информация о функциональных ячейках может содержаться на машинных носителях
Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе интегральной микросхемы, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля ее электрических параметров и режимов
Термин |
Определение |
D. Gehauseloser inte- grierter Schaltkreis
Вывод
Свободный вывод
Неиспользуемый вывод
Плотность упаковки D. Packungsdichte des integrierten Schaltkreises
интегральной микросхемы Степень интеграции D. Integrationsgrad des integrierten Schaltkreises |
Кристалл интегральной микросхемы, предназначенный для монтажа в гибридную интегральную микросхему или микросборку Провод, соединенный с контактной площадкой бескорпусной интегральной микросхемы и предназначенный для электрического соединения с внешними электрическими цепями Вывод интегральной микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорного контакта для внешнего монтажа, не влияя на работу интегральной схемы Вывод интегральной микросхемы, который не используется при обычной эксплуатации интегральной микросхемы и может иметь или не иметь электрического соединения с контактной площадкой кристалла Отношение суммы элементов интегральной микросхемы и (или) элементов, содержащихся в составе компонентов, к объему интегральной микросхемы. Примечание. Объем выводов не учитывают Показатель степени сложности интегральной микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и (или) компонентов. Примечание. Степень интеграции интегральной микросхемы определяют по формуле: JV, где К — коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числа; |
N
25, Интегральная микросхема Д' степени интеграции
— число элементов интегральной микросхемы, в том числе содержащихся в составе компонентов, входящих в интегральную микросхемуИнтегральная микросхема, содержащая от 10к-1 до 10к элементов и (или) компонентов включительно.
Примечание. В настоящее время существуют интегральные микросхемы 1, 2, 3, 4, 5 и 6 степеней интеграции
И
Малая интегральная микросхема
МИС
Средняя интегральная микросхема
сис
нтегральная микросхема, содержащая до 100 элементов и (или) компонентов включительноИ
Большая интегральная микросхема
БИС
Сверхбольшая интегральная микросхема СБИС
Интегральная микросхема, содержащая свыше 1000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем и свыше 500 для аналоговых интегральных микросхем
Интегральная микросхема, содержащая свыше 100 000 элементов и (или) компонентов для цифровых интегральных микросхем с регулярной структурой построения, свыше 50 000 — для цифровых интегральных микросхем с нерегулярной структурой построения и свыше 10 000 — для аналоговых интегральных микросхем.
Примечание. К цифровым интегральным микросхемам с регулярной структурой построения относят схемы запоминающих устройств и схемы на основе базовых матричных кристаллов
К
30. Сверхскоростная интегральная микросхема ссис
цифровым интегральным микросхемам с нерегулярной структурой построения относят схемы вычислительных средствЦифровая интегральная микросхема, функциональное быстродействие которой не менее 1-ГО13 Гц/см2 на 1 логический элемент.
Пр и меч а н ие. Под функциональным быстродействием понимают произведение рабочей частоты логического элемента, равной обратному учетверенному максимальному значению среднего времени задержки распространения сигнала на число логических элементов, приходящихся *на один квадратный сантиметр площади кристалла
Тип интегральной микросхемы
Типономинал интегральной микросхемы
Серия интегральных микросхем
Серия
D. Baureihe der inte- grierten Schaltkreise
Группа типов интег-
ральных микросхем