АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ
Таблица 2
Термин |
Номер термина |
Время готовности ФППЗ |
49 |
Время накопления |
44 |
Время накопления заряда ФППЗ |
44 |
Ввод сигнала с диодной отсечкой электрический |
16 |
Ввод сигнала ФППЗ оптический |
15 |
Ввод сигнала ФППЗ электрический |
15 |
Время хранения ФППЗ |
18 |
Граница области спектральной чувствительности ФППЗ длинноволновая |
34 |
Граница области спектральной чувствительности ФППЗ коротковолновая |
33 |
Дефект изображения ФППЗ |
46 |
Диапазон выходного сигнала ФППЗ динамический |
39 |
Диапазон динамический |
39 |
Импульсы ФППЗ тактовые |
17 |
Коэффициент передачи модуляции ФППЗ |
37 |
Линейность характеристики преобразования ФППЗ |
19 |
Напряжение насыщения ФППЗ |
36 |
Напряжение шума ФППЗ квазипиковое |
43 |
Напряжение шума ФППЗ среднее квадратическое |
42 |
Насыщение ФППЗ |
35 |
Неравномерность выходного сигнала ФППЗ абсолютная |
21 |
Неравномерность выходного сигнала ФППЗ относительная |
22 |
Неравномерность выходного сигнала ФППЗ средняя квадратическая относительная |
23 |
Неравномерность темнового сигнала ФППЗ абсолютная |
26 |
Неравномерность темнового сигнала ФППЗ относительная |
27 |
Неравномерность темнового сигнала ФППЗ среднеквадратическая относительная |
28 |
Неэффективность переноса |
41 |
Неэффективность переноса зарядового пакета ФППЗ |
41 |
Область спектральной чувствительности ФППЗ |
32 |
Область фоточувствительная |
55 |
Область фоточувствительного элемента ФППЗ фоточувствительная |
55 |
Освещенность ФППЗ пороговая |
40 |
Освещенность ФППЗ энергетическая пороговая |
40 |
Поле ФППЗ фоточувствительное |
53 |
Прибор с виртуальной фазой фоточувствительный |
3 |
Прибор с временной задержкой фоточувствительный |
8 |
Прибор с зарядовой инжекцией фоточувствительный |
4 |
Прибор с зарядовой связью фоточувствительный |
2 |
Прибор с кадрово-межстрочным переносом фоточувствительный |
12 |
Прибор с кадровым переносом фоточувствительный |
9 |
Прибор с координатной выборкой фоточувствительный |
11 |
Прибор со строчно-кадровым переносом фоточувствительный |
10 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный |
1 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный гибридный |
6 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный линейный |
14 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный матричный |
7 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный многосигнальный |
13 |
Прибор с переносом заряда фоточувствительный перистальтический |
5 |
Приемник изображения |
1 |
Регистр переноса ФППЗ |
58 |
Секция накопления ФППЗ |
56 |
Секция хранения ФППЗ |
57 |
Сигнал ФППЗ выходной |
20 |
Сигнал ФППЗ темновой |
24 |
Сигнал ФППЗ темновой относительный |
25 |
Ток насыщения ФППЗ |
36 |
Ток утечки ФППЗ |
45 |
Ток шума ФППЗ квазипиковый |
43 |
Устройство ФППЗ антиблуминговое |
59 |
Формирователь видеосигналов |
1 |
ФПЗИ |
4 |
ФПЗС |
2 |
ФППЗ |
1 |
ФППЗ гибридный |
6 |
ФППЗ линейный |
14 |
ФППЗ матричный |
7 |
ФППЗ многосигнальный |
13 |
ФППЗ перистальтический |
4 |
Характеристика абсолютной неравномерности выходного сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика абсолютной неравномерности темнового сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика напряжения насыщения ФППЗ температурная |
50 |
Характеристика относительной неравномерности выходного сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика относительной неравномерности темнового сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика средней квадратической неравномерности выходного сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика средней квадратической неравномерности темнового сигнала ФППЗ температурная |
51 |
Характеристика тока насыщения ФППЗ температурная |
50 |
Характеристика чувствительности ФППЗ спектральная относительная |
31 |
Характеристика ФППЗ частотно-контрастная |
38 |
Число дефектов |
48 |
Число дефектов фоточувствительного поля ФППЗ |
48 |
Чувствительность ФППЗ монохроматическая |
30 |
Чувствительность ФППЗ интегральная |
29 |
Шаг элементов |
52 |
Шаг элементов фоточувствительного поля ФППЗ |
52 |
Экспозиция ФППЗ световая пороговая |
40 |
Экспозиция ФППЗ энергетическая пороговая |
40 |
Элемент ФППЗ фоточувствительный |
54 |
Элемент ФППЗ фоточувствительный дефектный |
47 |
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ, НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
Таблица 3
Термин |
Определение |
1. Прибор с переносом заряда ППЗ |
Прибор, работа которого зависит от эффективного движение дискретных зарядовых пакетов на поверхности или внутри полупроводникового материала или через соединения на поверхности |
2. Фоновый заряд Нрк. Заряд смещения Непустой нуль |
Заряд, который определяет нулевой уровень аналогового сигнала и вводится во все потенциальные ямы. Примечание. Обычно фоновый заряд вводится электрическим путем или путем облучения фоточувствительного поля прибора с переносом заряда |
3. Пустой нуль Нрк. Реальный нуль |
Состояние, при котором отсутствует фоновый заряд |
4. Заряд сигнала |
Количество электрического заряда, представляющее сигнал |
5. Общий заряд |
Общий электрический заряд, накопленный в потенциальной яме или дискретной области прибора с переносом заряда |
6. Зарядовый пакет |
Часть общего заряда, которая переносится из одной потенциальной ямы в следующую |
7. Потери при переносе заряда |
Частичная потеря заряда сигнала, который пополняет остаточный заряд во всех поверхностных состояниях или ловушках внутри полупроводникового материала, которые освободились с момента последнего прохождения заряда через прибор с переносом заряда при переносе зарядового пакета из одной области накопления в другую |
8. Плавающая область |
Электрически изолированная диффузионная область прибора с переносом заряда, потенциал которой зависит от вносимого в нее зарядового пакета. Примечание. Плавающая область может быть использована в качестве узла считывания для заряда сигнала в cxeмах детектирования или регенерации сигнала |
9. Потенциальная яма |
Минимум потенциальной энергии, который образуется в полупроводниковом материале прибора с переносом заряда под воздействием напряжения, приложенного к затвору переноса, и который собирает любые существующие подвижные заряды |
10. Емкость перемещения заряда Нрк. Общая емкость ямы |
Максимальное количество заряда, которое может быть накоплено в потенциальной яме и перенесено без превышения емкости в соседние ямы |
11. Область стоп-диффузии |
Зоны полупроводникового материала, ограничивающие распространение потенциальной ямы вдоль границы раздела, которые имеют тот же тип проводимости, что и подложка, но степень легирования на несколько порядков выше |
12. Динамическая инжекция |
Способ ввода информации в прибор с переносом заряда, в котором под действием входного электрического сигнала образуется проводящий канал между стоком входного транзистора и потенциальной ямой под первым фазовым электродом |
13. Считывание заряда |
Преобразование зарядовых пакетов в электрические импульса выходного сигнала |
14. Растекание заряда Нрк. Блуминг сигнала |
Явление неуправляемого перетекания или переноса заряда |
15. Инжекционное считывание |
Определение заряда сигнальных зарядовых пакетов, накопленных в ячейках матрицы, измерением тока, протекающего по внешней цепи в процессе инжекции. Примечание. Разновидностями инжекционного считывания являются методы последовательной и предварительной инжекции |
16. Выходное устройство |
Часть полупроводниковой структуры ППЗ, предназначенная для преобразования зарядового пакета в выходной сигнал |
17. Входной затвор |
Устройство электрического ввода сигнала, состоящее из МОП-транзистора, у которого сток образован первой потенциальной ямой |
18. Затвор переноса |
Электрод, к которому приложено напряжение с целью переноса заряда и который изолирован от полупроводникового материала изолирующей поверхностью или переходом |
19. Затвор накопления |
Электрод, к которому приложено напряжение с целью накопления заряда и который изолирован от полупроводникового материала изолирующей поверхностью или переходом |
20. Перекрывающий затвор |
Затвор переноса, в котором соседние электроды перекрываются и изолируются друг от друга |
21. Плавающий затвор |
Электрод, который не имеет электрических соединений и изолирован изолирующей поверхностью или переходом. Примечания: 1. Потенциал плавающего затвора зависит от количества электрического заряда, накопленного в потенциальной яме под поверхностью полупроводникового материала. 2. Плавающий затвор обычно используют в схемах детектирования или регенерации сигнала |
22. Канал переноса |
Область прибора с переносом заряда, внутри которой поток заряда ограничен |
23. Поверхностный канал |
Канал переноса на границе между полупроводниковым материалом и изолирующей поверхностью |
24. Объемный канал Нрк. Скрытый канал |
Канал переноса в объеме полупроводникового материала |
25. Детерминированные помехи |
Наводки от импульсных напряжений на электродах и геометрический шум |