Основания сданный и сооружений ( Действие отменено с 01.09.09-приказ Минрегионстроя Украины вот 19.01.09г. N 5)

16. Толщина зоны просадки h _sl принимается равной (рис. 4):

h_sl = h_sl,p -

толщине верхней зоны просадки при определении просадки грунта от внешней нагрузки s_{sl, p} (п. 3.4), при этом нижняя граница указанной зоны соответствует глубине, где _z =_zp + _zg = p_sl (рис. 4а,б) или глубине, где значение _z минимально, если _{z, min}>p_sl (рис. 4â);

h_sl = h_sl,g -

толщине нижней зоны просадки при определении просадки грунта от собственного веса s_{sl, g} (пп. 3.4, 3.5), т.е. начиная с глубины z_g, где _z = p_sl или значение _z минимально, если _{z, min}>p_sl, и до нижней границы просадочной толщи.

17. Возможная просадка грунта от собственного веса s^’_{sl, g} при замачивании сверху малых площадей (ширина замачиваемой площади B_w меньше размера просадочной толщи Н _sl) определяется по формуле

(17)

где s_{sl, g} - максимальное значение просадки грунта от собственного веса, определяемое в соответствии с п. 12.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ ОСНОВАНИЙ,

СЛОЖЕННЫХ НАБУХАЮЩИМИ ГРУНТАМИ

18. Подъем основания при набухании грунта h_sw определяется по формуле

(18)

где _{sw, i} -

относительное набухание грунта i-ãî слоя, определяемое в соответствии ñ указаниями п. 19;

h_i -

толщина i-го слоя грунта;

k_{sw, i} -

коэффициент, определяемый в соответствии с указаниями п. 20:

n -

число слоев, на которое разбита зона набухания грунта.

19. Относительное набухание грунта _sw определяется по формулам:

при инфильтрации влаги

_sw = (h_sat - h_{n) /} h_n , (19)

где h_n -

высота образца природной влажности и плотности, обжатого без возможности бокового расширения давлением р, равным суммарному вертикальному напряжению _z,tot на рассматриваемой глубине (значение _{z, tot} определяется в соответствии с указаниями п. 21);

h_sat -

высота того же образца после замачивания до полного водонасыщения, обжатого в тех же условиях;

при экранировании поверхности и изменении водно-теплового режима

_sw = k (w_eq - w₀) / (1 + e₀), (20)

где k -

коэффициент, определяемый опытным путем (при отсутствии опытных данных принимается k = 2);

w_eq -

конечная (установившаяся) влажность грунта;

w₀ и e₀

соответственно начальные значения влажности и коэффициента пористости грунта.

20. Коэффициент k_sw , входящий в формулу (18), в зависимости от суммарного вертикального напряжения _{z, tot} на рассматриваемой глубине, принимается равным 0,8 при _{z, tot} = 50 кПа (0,5 кгс/см²) и 0,6 при _{z, tot} = 300 кПа (3 кгс/см²), а при промежуточных значениях _{z, tot} — по интерполяции.

21. Суммарное вертикальное напряжение _{z, tot} на глубине z от подошвы фундамента (рис. 5) определяется по формуле

_{z, tot} = _zp + _zg + _{z, ad} , (21)

ãäå _zp, _zg -

вертикальные напряжения соответственно от нагрузки фундамента и от собственного веса грунта;

_{z, ad} -

дополнительное вертикальное давление, вызванное влиянием веса неувлажненной части массива грунта за пределами площади замачивания, определяемой по формуле

_{z, ad} = k _g  (d + z) , (22)

где k _g -

коэффициент, принимаемый по табл. 6.

22. Нижняя граница зоны набухания Н_sw (рис. 5):

Т а б л и ц а 6

Коэффициент k _g

(d + z) / B_w

Коэффициент k _g при отношении длины к ширине

замачиваемой плошади L_w / B_w , равном

1

2

3

4

5

0,5

0

0

0

0

0

1

0,58

0,50

0,43

0,36

0,29

2

0,81

0,70

0,61

0,50

0,40

3

0,94

0,82

0,71

0,59

0,47

4

1,02

0,89

0,77

0,64

0,53

5

1,07

0,94

0,82

0,69

0,77

Рис. 5. Схема к расчету подъема основания при набухании грунта

а) при инфильтрации влаги принимается на глубине, где суммарное вертикальное напряжение _{z, tot} (п. 21) равно давлению набухания p_sw;

б) при экранировании поверхности и изменении водно-теплового режима — определяется опытным путем (при отсутствии опытных данных принимается Н_sw = 5 м).

23. Осадка основания в результате высыхания набухшего грунта s_sh определяется по формуле

(23)

где _{sh, i} -

относительная линейная усадка грунта i-го слоя, определяемая в соответствии с указаниями п. 24;

h_i -

толщина i-го слоя грунта;

k_sh -

коэффициент, принимаемый равным 1,3;

n -

число слоев, на которое разбита зона усадки грунта, принимаемая в соответствии с указаниями п. 25.

24. Относительная линейная усадка грунта при его высыхании определяется по формуле

_sh = (h_n - h_d ) / h_n , (24)

где h_n -

высота образца грунта возможной наибольшей влажности при обжатии его суммарным вертикальным напряжением без возможности бокового расширения;

h_d -

высота образца в тех же условиях после уменьшения влажности в результате высыхания.

25. Нижняя граница зоны усадки Н_sh определяется экспериментальным путем, а при отсутствии опытных данных принимается равной 5 м.

При высыхании грунта в результате теплового воздействия технологических установок нижняя граница зоны усадки Н_sh определяется опытным путем или соответствующим расчетом.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СУФФОЗИОННОЙ ОСАДКИ

26. Суффозионная осадка s_sf основания, сложенного засоленными грунтами, определяется по формуле

(25)

где s_sf,i -

относительное суффозионное сжатие грунта i-го слоя при давлении р, равном суммарному вертикальному напряжению на рассматриваемой глубине от внешней нагрузки _zp и собственного веса грунта _zg, определяемое по указаниям п. 27;