ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ

ЧАСТЬ 3. СИГНАЛЬНЫЕ ДИО;

(ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) И ДИОДЫ

РЕГУЛЯТОРЫ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ

ГОСТ 29210—91
(МЭК 747-3—85)

45 руб. БЗ 3—92/280


Издание официальное



КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР Москв

С Т А Н Д A Р

a


а



ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ

/

ЧАСТЬ 3. СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ

(ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) И ДИОДЫ-

РЕГУЛЯТОРЫ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ

ГОСТ 29210—91

(МЭК 747—3—85)

Издание официальное

Москва — 1992

ПРЕДИСЛОВИЕ

  1. Официальные решения или соглашения МЭК по техническим вопросам, подготовленные техническими комитетами, в которых представлены все заинте­ресованные национальные комитеты, выражают с возможной точностью меж­дународную согласованную точку зрения по рассматриваемым вопросам.

  2. Эти решения представляют собой рекомендации для международного

пользования и в этом виде принимаются национальными комитетами.

  1. В целях содействия международной унификации МЭК выражает поже­лание, чтобы все национальные комитеты приняли настоящий стандарт МЭК в качестве своего национального стандарта, насколько это позволяют условия каждой страны. Любое расхождение со стандартом МЭК должно быть четко указано в соответствующих национальных стандартах.

© Издательство стандартов, 1992


ВВЕДЕНИЕ

Настоящий стандарт подготовлен Техническим комитетом МЭК № 47 «Полупроводниковые приборы».

Публикация МЭК 747—3 представляет собой третью часть общего стандарта на дискретные приборы (Публикация МЭК 747). В дополнение к общим требованиям Публикации МЭК 747—1 в настоящем стандарте содержатся все сведения по сигнальным дио­дам и диодам — регуляторам тока и напряжения.

На совещании в Лондоне в сентябре 1982 г. Технический ко­митет № 47 одобрил переиздание Публикаций МЭК 147 и МЭК 148 на основе нового принципа в зависимости от вида рассматри­ваемого прибора. Поскольку все части, составляющие настоящую Публикацию, были в свое время утверждены по Правилу шести или двух месяцев, дополнительное голосование было признано не­целесообразным.

Сведения относительно интегральных схем, содержащиеся в Публикациях МЭК 147 и МЭК 148, включены в Публикации МЭК 747—1 и МЭК 748.

Сведения относительно механических и климатических испыта­ний, ранее содержащиеся в Публикациях МЭК 147—5 и МЭК 147—5А, включены в Публикацию МЭК 749.

Соответствие данного стандарта современному уровню техники будет обеспечиваться путем пересмотра и дополнения его, по мере дальнейшей работы Технического комитета № 47, с учетом послед­них достижений в области полупроводниковых приборов.

Таблица соответствия новых и прежних пунктов

Номер нового пункта


Номер прежнего пункта


Документ или
Публикация
МЭК


Номер нового пункта


Номер
прежнего
пункта


Документ или
Публикация
МЭК








ГЛАВА II

Раздел первы

й



4.8

1.1

1.2

1.3

1.5

1.14

1.4 Новый

1.6

1.15

1.16

1.7

1.13

1.12


747—1ДУ 147—0,1 А 147—0,1 А 147—0,1 А 147—0,1 А 147—ОЕДА 147—0,1 А

147—ОДА 147—ОЕДА 147—0Е,1А 147—ОДА

147—ОЕДА 147—ОЕДА


2.4.4

2.4.5

2.4.6

2.4.7

2.4.8

2.4.9

2.4.10

3.2.1

3.2.2

3.3.1

3.3.2

3.3.3

3.3.4

3.3.5


1.8

1.9

1.10 1.11

1.17 1.18 1.19 1.1 2.2

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5


147—ОДА 147—ОДА

147—ОДА 147—ОДА 147—ОДА 147—ОДА

147—0Г, 1А

148, III

148, III 148Д-148В, III

148, III

148+148В, III

148, III 148+1488,111



































Номер нового пункта


Номер прежнего пункта


Документ или
Публикация
мэк


Номер нового пункта


Номер прежнего пункта


Документ или
Публикация
МЭК


Раздел второй


4.10—4.11

С1

С2


747-1,IV 47(ЦБ)950 На рассмот­рении


148А, IV

148А, IV

148А, IV

148А, IV


Раздел третий


4.12

1.1—1.2

2.1

2.2

2.4

2.6

2,3

2.5

2.7—2.9


747—1,1У 147—0Е,1Е 147—0Е,1Е 147—0Е.1Е 147—0Е, 1Е 147—0Е.1Е 147—0F.1E 147—OF,1E

147—OF, IE


3.3.1

3.3.2

3.3.3


Из 2

2.1.2

2.1.3

2.1.4

2.2.1

2.2.2

2.4.1

2.4.2

2.4.3 Из 3


147—OF, IE


148В, XIII


747—3, IV, три


ГЛАВА III


Раздел первый


1.1 и 1.21 1

1.3 Новый


147-1,1, один


147—1.1, один


Раздел второй


1

Новый


147


два


147—1,1, два
+47 (ЦБ) 752


Раздел третий


1-3

1.1

4.2,1

1.1


147-1,1, восемь

ГЛАВА IV


Раздел первый


147—2М,1, один

47 (ЦБ) 809

147-2В.1.

один

47 (ЦБ) 755


1.1

4.2.4

5

6


47(ЦБ)810

147—2М,1, один

147—2М,1, один 147—2В,1,

один
























































































































Номер нового пункта


Номер
прежнего
пункта


Документ или
Публикация
МЭК


Номер нового пункта


Номер прежнего пункта


документ или
Публикация
МЭК


Раздел второй


147—2М,1, два

47 (ЦБ) 889


2.1 47 (ЦБ) 888


Раздел третий


47(ЦБ)751


ГЛАВА V


147—4,11, один























































Приборы полупроводниковые
ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ

Ч

ГОСТ
29210—91
(МЭК 747—3—85>

асть 3. Сигнальные диоды (включая
переключательные) и диоды—регуляторы тока
и напряжения

Semiconductor devices. Discrete devices.

Part 3. Signal (including switching)
and regulator diodes

ОКСТУ 6361

Дата введения 01.07.92

Глава I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

  1. Введение

Настоящим стандартом следует пользоваться вместе с МЭК 747—11, в котором содержатся все основополагающие данные:

по терминологии; 5

по буквенным обозначениям;

по основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам;

по методам измерения;

по приемке и надежности.

Порядок следования различных глав соответствует МЭК 747—1, гл. III, п. 2.1.

  1. Область применения

В настоящем стандарте приводятся требования для следующих классов и подклассов приборов:

сигнальных диодов (включая переключательные):

опорных диодов и стабилитронов;

диодов — регуляторов тока.

Данный государственный стандарт применяется для разработ­ки технических условий на сигнальные диоды, в том числе, подле­жащие сертификации.

  1. Буквенные обозначения

При наличии буквенных обозначений они добавляются к тер­минам, приведенным в заголовках. Если для одного термина име-


чется несколько различных обозначений, то приводится наиболее употребительное.

Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ
ОБОЗНАЧЕНИЯ

РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ

СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ (ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) л

  1. Общие термины

Используются соответствующие термины и- определения, при­веденные в МЭК 747—1. Термин п. 1.1 взят из настоящего стан­дарта, гл. IV, п. 4.8.

    1. Сигнальный диод2 диод, используемый для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сиг­нале, который (Изменяется- іВО Віременіи И (Может быть ПО І0ВОЄЙ при­роде цифровым или аналоговым.

  1. Термины, относящиеся к основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам

Используются термины й определения, приведенные в МЭК 747—1, гл. IV, п. 5.

Дополнительные термины и определения приведены ниже.

  1. Напряжения

    1. Постоянное обратное напряжение (V#) — значение по­стоянного напряжения, приложенного к диоду в обратном направ­лении.

    2. Среднее обратное напряжение ( Vr<av>) — значение об­ратного напряжения, среднее за заданный период.

    3. Импульсное обратное напряжение (Vrm) — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, возникающего на диоде, включая все повторяющиеся и неповторяющиеся переход­ные напряжения.

    4. Коэффициент детектирования по напряжению fqv) отношение постоянного напряжения нагрузки к импульсному си­нусоидальному входному напряжению в заданных схемных усло­виях.

Напряжение прямого восстановления (vfr) изменяю­щееся напряжение, возникающее в течение времени прямого вос­становления после мгновенного переключения с нуля или задан­ного обратного напряжения на заданный прямой ток.< 2.2. Т оки

  1. Средний прямой ток (Jf(av)) значение прямого тока, среднее за заданный период.

  2. Импульсный прямой ток (Ьм) — наибольшее мгновен­ное значение; прямого тока, включая все повторяющиеся и непов- торяющиеся переходные токи.

2.3 Рассеиваемая мощность

  1. Коэффициент детектирования по мощности (т]р) — отно­шение изменения постоянной мощности в сопротивлении нагруз­ки, выжданного сигналом переменного тока, к мощности, подавае­мой от генератора синусоидальных сигналов, при работе диода в заданном режиме.

  2. Энергия одиночного импульса р) (поданного на детек­торный диод) — энергия одного короткого импульса, поданного на диод в прямом направлении.

Примечание. При работе на предельно допустимых значениях пара- м^тро^обычнд. устанавливается длительность импульса менее 10 мс.

  1. Энергия повторяющегося импульса Р(Гер)) — энергия, содержащаяся в одном импульсе, который входит в повторяющую­ся серию импульсов.

  1. Заряд восстановления (Qr) полный заряд, восстанов­ленный диодом после переключения с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение

Примечание. Такой заряд включает заряд, накопленный носителями, и заряд емкости обедненного слоя.

* 2.4.2. Время обратного восстановления (6т) — интервал вре­

мени от момента прохождения тока через нуль при изменении ^прямого направления на обратное и до момента, когда обратный ток уменьшается от амплитудного значения 1#м до заданного низ­кого значения (как показано на черт. 1) или когда он при экстра­поляции достигает нулевого значения (черт. 2).

  1. Время прямого восстановления (tfr) время, необходи­

мое для установления заданного значения после мгновенного пе­реключения с нулевого или заданного значения обратного напря­жения на заданное прямое смещение.

Дифференциальное сопротивление (г) — дифференциаль­ное сопротивление, измеренное между выводами диода в заданных условиях.

Черг. 1




Черт. 2

Примечание. Экстраполяция осуществляется по двум заданным точ­кам /4 и В, как показано на черт. 2.