ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ
ЧАСТЬ 3. СИГНАЛЬНЫЕ ДИО;
(ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) И ДИОДЫ
РЕГУЛЯТОРЫ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ
ГОСТ 29210—91
(МЭК 747-3—85)
45 руб. БЗ 3—92/280
Издание официальное
КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР Москв
С Т А Н Д A Р
a
а
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ
/
ЧАСТЬ 3. СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ
(ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) И ДИОДЫ-
РЕГУЛЯТОРЫ ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ
ГОСТ 29210—91
(МЭК 747—3—85)
Издание официальное
Москва — 1992
ПРЕДИСЛОВИЕ
Официальные решения или соглашения МЭК по техническим вопросам, подготовленные техническими комитетами, в которых представлены все заинтересованные национальные комитеты, выражают с возможной точностью международную согласованную точку зрения по рассматриваемым вопросам.
Эти решения представляют собой рекомендации для международного
пользования и в этом виде принимаются национальными комитетами.
В целях содействия международной унификации МЭК выражает пожелание, чтобы все национальные комитеты приняли настоящий стандарт МЭК в качестве своего национального стандарта, насколько это позволяют условия каждой страны. Любое расхождение со стандартом МЭК должно быть четко указано в соответствующих национальных стандартах.
© Издательство стандартов, 1992
ВВЕДЕНИЕ
Настоящий стандарт подготовлен Техническим комитетом МЭК № 47 «Полупроводниковые приборы».
Публикация МЭК 747—3 представляет собой третью часть общего стандарта на дискретные приборы (Публикация МЭК 747). В дополнение к общим требованиям Публикации МЭК 747—1 в настоящем стандарте содержатся все сведения по сигнальным диодам и диодам — регуляторам тока и напряжения.
На совещании в Лондоне в сентябре 1982 г. Технический комитет № 47 одобрил переиздание Публикаций МЭК 147 и МЭК 148 на основе нового принципа в зависимости от вида рассматриваемого прибора. Поскольку все части, составляющие настоящую Публикацию, были в свое время утверждены по Правилу шести или двух месяцев, дополнительное голосование было признано нецелесообразным.
Сведения относительно интегральных схем, содержащиеся в Публикациях МЭК 147 и МЭК 148, включены в Публикации МЭК 747—1 и МЭК 748.
Сведения относительно механических и климатических испытаний, ранее содержащиеся в Публикациях МЭК 147—5 и МЭК 147—5А, включены в Публикацию МЭК 749.
Соответствие данного стандарта современному уровню техники будет обеспечиваться путем пересмотра и дополнения его, по мере дальнейшей работы Технического комитета № 47, с учетом последних достижений в области полупроводниковых приборов.
Таблица соответствия новых и прежних пунктов
Номер нового пункта
Номер прежнего пункта
Документ или
Публикация
МЭК
Номер нового пункта
Номер
прежнего
пункта
Документ или
Публикация
МЭК
ГЛАВА II
Раздел первы
й
4.8
1.1
1.2
1.3
1.5
1.14
1.4 Новый
1.6
1.15
1.16
1.7
1.13
1.12
747—1ДУ 147—0,1 А 147—0,1 А 147—0,1 А 147—0,1 А 147—ОЕДА 147—0,1 А
147—ОДА 147—ОЕДА 147—0Е,1А 147—ОДА
147—ОЕДА 147—ОЕДА
2.4.4
2.4.5
2.4.6
2.4.7
2.4.8
2.4.9
2.4.10
3.2.1
3.2.2
3.3.1
3.3.2
3.3.3
3.3.4
3.3.5
1.8
1.9
1.10 1.11
1.17 1.18 1.19 1.1 2.2
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
147—ОДА 147—ОДА
147—ОДА 147—ОДА 147—ОДА 147—ОДА
147—0Г, 1А
148, III
148, III 148Д-148В, III
148, III
148+148В, III
148, III 148+1488,111
Номер нового пункта
Номер прежнего пункта
Документ или
Публикация
мэк
Номер нового пункта
Номер прежнего пункта
Документ или
Публикация
МЭК
Раздел второй
4.10—4.11
С1
С2
747-1,IV 47(ЦБ)950 На рассмотрении
148А, IV
148А, IV
148А, IV
148А, IV
Раздел третий
4.12
1.1—1.2
2.1
2.2
2.4
2.6
2,3
2.5
2.7—2.9
747—1,1У 147—0Е,1Е 147—0Е,1Е 147—0Е.1Е 147—0Е, 1Е 147—0Е.1Е 147—0F.1E 147—OF,1E
147—OF, IE
3.3.1
3.3.2
3.3.3
Из 2
2.1.2
2.1.3
2.1.4
2.2.1
2.2.2
2.4.1
2.4.2
2.4.3 Из 3
147—OF, IE
148В, XIII
747—3, IV, три
ГЛАВА III
Раздел первый
1.1 и 1.21 1
1.3 Новый
147-1,1, один
147—1.1, один
Раздел второй
1
Новый
147
два
147—1,1, два
+47 (ЦБ) 752
Раздел третий
1-3
1.1
4.2,1
1.1
147-1,1, восемь
ГЛАВА IV
Раздел первый
147—2М,1, один
47 (ЦБ) 809
147-2В.1.
один
47 (ЦБ) 755
1.1
4.2.4
5
6
47(ЦБ)810
147—2М,1, один
147—2М,1, один 147—2В,1,
один
Номер нового пункта
Номер
прежнего
пункта
Документ или
Публикация
МЭК
Номер нового пункта
Номер прежнего пункта
документ или
Публикация
МЭК
Раздел второй
147—2М,1, два
47 (ЦБ) 889
2.1 47 (ЦБ) 888
Раздел третий
47(ЦБ)751
ГЛАВА V
147—4,11, один
Приборы полупроводниковые
ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ
Ч
ГОСТ
29210—91
(МЭК 747—3—85>
Semiconductor devices. Discrete devices.
Part 3. Signal (including switching)
and regulator diodes
ОКСТУ 6361
Дата введения 01.07.92
Глава I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
Введение
Настоящим стандартом следует пользоваться вместе с МЭК 747—11, в котором содержатся все основополагающие данные:
по терминологии; 5
по буквенным обозначениям;
по основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам;
по методам измерения;
по приемке и надежности.
Порядок следования различных глав соответствует МЭК 747—1, гл. III, п. 2.1.
Область применения
В настоящем стандарте приводятся требования для следующих классов и подклассов приборов:
сигнальных диодов (включая переключательные):
опорных диодов и стабилитронов;
диодов — регуляторов тока.
Данный государственный стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе, подлежащие сертификации.
Буквенные обозначения
При наличии буквенных обозначений они добавляются к терминам, приведенным в заголовках. Если для одного термина име-
чется несколько различных обозначений, то приводится наиболее употребительное.
Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ
ОБОЗНАЧЕНИЯ
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДЫ (ВКЛЮЧАЯ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ) л
Общие термины
Используются соответствующие термины и- определения, приведенные в МЭК 747—1. Термин п. 1.1 взят из настоящего стандарта, гл. IV, п. 4.8.
Сигнальный диод2 — диод, используемый для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который (Изменяется- іВО Віременіи И (Может быть ПО І0ВОЄЙ природе цифровым или аналоговым.
Термины, относящиеся к основным предельно допустимым значениям параметров и характеристикам
Используются термины й определения, приведенные в МЭК 747—1, гл. IV, п. 5.
Дополнительные термины и определения приведены ниже.
Напряжения
Постоянное обратное напряжение (V#) — значение постоянного напряжения, приложенного к диоду в обратном направлении.
Среднее обратное напряжение ( Vr<av>) — значение обратного напряжения, среднее за заданный период.
Импульсное обратное напряжение (Vrm) — наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, возникающего на диоде, включая все повторяющиеся и неповторяющиеся переходные напряжения.
Коэффициент детектирования по напряжению fqv) — отношение постоянного напряжения нагрузки к импульсному синусоидальному входному напряжению в заданных схемных условиях.
Напряжение прямого восстановления (vfr) — изменяющееся напряжение, возникающее в течение времени прямого восстановления после мгновенного переключения с нуля или заданного обратного напряжения на заданный прямой ток.< 2.2. Т оки
Средний прямой ток (Jf(av)) — значение прямого тока, среднее за заданный период.
Импульсный прямой ток (Ьм) — наибольшее мгновенное значение; прямого тока, включая все повторяющиеся и непов- торяющиеся переходные токи.
2.3 Рассеиваемая мощность
Коэффициент детектирования по мощности (т]р) — отношение изменения постоянной мощности в сопротивлении нагрузки, выжданного сигналом переменного тока, к мощности, подаваемой от генератора синусоидальных сигналов, при работе диода в заданном режиме.
Энергия одиночного импульса (Ер) (поданного на детекторный диод) — энергия одного короткого импульса, поданного на диод в прямом направлении.
Примечание. При работе на предельно допустимых значениях пара- м^тро^обычнд. устанавливается длительность импульса менее 10 мс.
Энергия повторяющегося импульса (ЕР(Гер)) — энергия, содержащаяся в одном импульсе, который входит в повторяющуюся серию импульсов.
Заряд восстановления (Qr) — полный заряд, восстановленный диодом после переключения с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение
Примечание. Такой заряд включает заряд, накопленный носителями, и заряд емкости обедненного слоя.
* 2.4.2. Время обратного восстановления (6т) — интервал вре
мени от момента прохождения тока через нуль при изменении ^прямого направления на обратное и до момента, когда обратный ток уменьшается от амплитудного значения 1#м до заданного низкого значения (как показано на черт. 1) или когда он при экстраполяции достигает нулевого значения (черт. 2).
Время прямого восстановления (tfr) — время, необходи
мое для установления заданного значения после мгновенного переключения с нулевого или заданного значения обратного напряжения на заданное прямое смещение.
Дифференциальное сопротивление (г) — дифференциальное сопротивление, измеренное между выводами диода в заданных условиях.
Черг. 1
Черт. 2
Примечание. Экстраполяция осуществляется по двум заданным точкам /4 и В, как показано на черт. 2.