---

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
КОММУТАТОРЫ И КЛЮЧИ

МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 27780—88

И

50 коп

здание официальное

•’ *

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО УПРАВЛЕНИЮ КАЧЕСТВОМ ПРОДУКЦИИ И СТАНДАРТАМ

Москва

ГОСТ
27780—88

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ.
КОММУТАТОРЫ И КЛЮЧИ

Методы измерения электрических параметров л

Integrated circuits. Multiplexers and switches. Methods for measuring electric parameters

ОКП 63 3000

Срок действия с 01.01.90 до 01,01.95

Настоящий стандарт распространяется на микросхемы класса коммутаторов и ключей и устанавливает требования для методов измерения электрических параметров (далее — параметров) микросхем.

Термины, определения и буквенные обозначения — по ГОСТ 19480—89 и нормативно-технической документации.

1. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ

   1. Условия и режим измерений

      1. Условия измерений должны соответствовать ГОСТ 20.57.406—81 и требованиям, приведенным в стандартах или техни­ческих условиях (далее — ТУ) на микросхемы конкретных типов. Измерения проводят при температуре окружающей среды или при температуре на корпусе (теплоотводе), установленной в ТУ на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

П

Издание официальное

ерепечатка воспрещена

© Издательство стандартов, 1988

© Издательство стандартов, 1990 Переиздание с Изменениям

и)

н

допускается подключать к

е включенные в измерительную цепь общей шине.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

1.3. Показатели точности измерения

8

(1)

(2)

^—

₈ М(ц)

¹У

где d_z —частная погрешность 1-го источника погрешности;

a_i—относительный коэффициент влияния;

—абсолютный коэффициент влияния;

б (^х/ ) ^— относительная погрешность 1-го источника погрешности; А(Х/ ) —абсолютная погрешность 4-го источника погрешности;

у —значение измеряемого параметра.

1. Ь'Хі ' Уо ’ b - -^у

Д'Х; ’

где Д'4/, Д'х, —приращение соответственно измеряемого парамет­ра и параметра f-го источника погрешности (гра­фически отношение приращений численно равно тангенсу угла наклона касательной);

, Уо— значение -соответственно параметра 4-го источника погрешности и измеряемого параметра в точке из­мерения.

При нелинейной зависимости измеряемого параметра от пара­метра 4-го источника погрешности коэффициент влияния опреде­ляют в точке с наибольшей крутизной.

*

2. МЕТО

ИЗМЕРЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ В ОТКРЫТОМ

СОСТОЯНИИ И ОСТАТОЧНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Метод основан на измерении напряжения между аналоговым входом и выходом открытого канала микросхемы при заданном значении тока.

ющие входы; U — вывод питания: G1—G4 — источники постоянного напряжения; G5 — источник постоянного тока; 5Л2, 5Лз — переклю­чатели; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее подклю­чение INI, 1N2, ... , IN к Gl_tG2; PV — измеритель напряжения

Черт. 1

Входное сопротивление измерителя напряжения PV (Rbx.pv) должно удовлетворять условию

R»* pv Ю0Р_{отк шах}, (5)

Кота max —максимальное значение сопротивления в откры­том состоянии измеряемой микросхемы.

Измеритель RV может быть проградуирован в единицах сопро­

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Сопротивление (/?отк) микросхемы в открытом состоянии рас­считывают по формуле

*о™= -Т— , (6)

где / — ток, задаваемый источником постоянного тока G5;

U — см. п. 2.3.3.

Погрешность измерения сопротивления в открытом состоянии микросхемы — в пределах ±5% с вероятностью 0,95. При значе­нии измеряемого параметра <5 Ом погрешность измерения — в пределах ±10% с вероятностью 0,95.

Расчет показателей точности измерения сопротивления в от­крытом состоянии приведен в приложении 1 (разд. 1).

3. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ТОКОВ УТЕЧКИ АНАЛОГОВОГО ВХОДА
И ВЫХОДА

Метод основан на измерении поступающего от источников на­

пряжения тока утечки, протекающего через аналоговый вход (вы ход) при закрытом канале.

кая структурная схема которой приведена на черт. 2.

выходить за пределы ± 1 % при значении измеряемого параметра более 10 мА, ±5%—при значении в интервале от 100 нА до 10 мА, ±7% —при значении до 100 нА.

DA — измеряемая микросхема; S/, S2 S_m— аналоговые

входы; DI, D2, ..., D_n— аналоговые выходы; INI, IN2, ... , IN k — управляющие входы; U — вывод питания; G1—GS — источники постоянного напряжения; SA2, ВАЗ — переключате­ли; SA1 — коммутационное устройство, обеспечивающее под­ключение INI, 1N2, ... , 1N& к Gl. G2; РАЇ, РА2 — измерители тока

Черт. 2

Погрешность измерения тока утечки аналогового входа (вы­хода) микросхемы — в пределах ±10% с вероятностью 0,95. При значении измеряемого параметра ^10 нА — в пределах ±15% с вероятностью 0,95.

Расчеты показателей точности измерения тока утечки аналого­вого входа и тока утечки аналогового выхода приведены в при­ложении I (разд. 2, 3).

И

4. МЕТО,

ЗМЕРЕНИЯ ВХОДНОГО ТОКА ВЫСОКОГО И НИЗКОГО УРОВНЕЙ УПРАВЛЯЮЩЕГО НАПРЯЖЕНИЯ

Метод основан на измерении тока, протекающего через управ­ляющий вход микросхемы, при подаче на него высокого иЛй низ­кого уровня управляющего напряжения.

422. Погрешность измерителя тока РА не должна выходить за пределы ± 1 % при значении измеряемого параметра более 10 мА, ±5%—при значении в интервале от 100 нА до 10 мА, =t7% — цри значении до 100 нА.

DA — измеряемая микросхема; INI, IN2, „ „ ~~ Убавляющие входы; U — вывод пи­тания; Gl, G2 — источники постоянного на­пряжения; SA — переключатель; РА — из­меритель тока

Черт. 3

«ственно напряжение высокого или низкого уровня, указанное в ТУ на микросхемы конкретных типов.

н

«змеряют измерителем тока РА.

ия или входной ток низкого уровня управляющего напряжения

кросхемы. Допускается измерять входной ток высокого (низкого) уровня управляющего напряжения при параллельном соединении ^управляющих входов, что указывается в ТУ на микросхемы кон- жретных типов.

.Погрешность «измерения входного тока высокого (низкого) уровня управляющего напряжения микросхемы — в пределах -±10% с вероятностью 0,95.