Требования


6.1

6.2.

6.3

6.4

6.5.


Прямое напря­жение


Обратный ток V

Сила света вдоль геометри­ческой оси

Длина волны излучения г

Ширина спект­ра излучения (при необходимости)


If — заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока) Рк — заданное значение

If заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока) If заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока) Значение, равное половине длины волны излучения при If, огово­ренном в п. 6.4


1

2,3


Vp

Ir


ДХ


Мин


Макс


Макс


Мин Макс


Макс


Номер пункта


Характеристики



В

Требования


6.6.

6.7.

Буквенные обозначе­ния

Условия при Та1пЪ или rc;IS(?=25oC, если не оговорено иное

ремена пере­ключения (при необходимости)

Угол излучения (при необходи­мости)

П

Макс

Макс

римеча ни я:

•1. Неприменимо для приборов на сдвоенных диодах, соединенных по типу анод—катод и катод—анод.

  1. Если телесный угол, внутри которого измеряется сила излучения, не на­столько мал, чтобы им можно было пренебречь, его значение следует огово­рить.

  2. Для диодов, предназначенных для использования в многоэлементных приборах, необходимо оговорить также максимальную силу света.

  1. Дополнительные сведения

    1. Диаграмма направленности излучения

Графическое представление зависимости силы света от угла наблюдения в полярных или прямоугольных координатах.

  1. Спектральная диаграмма (при необходимости)

Графическое представление зависимости силы света от длины

волны. /

  1. Конструктивные данные.

С

8.


Данные по испытаниям на воздействие внешних


и/или на срок службы


акторов


пособ крепления и условия пайки, при необходимости.

На рассмотрении.

Р а з д е л 2. ИНФРАКРАСНЫЕ ИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

  1. Тип

Инфракрасный излучающий диод, параметры которого уста­навливаются при температуре окружающей среды при температу­ре корпуса.

  1. Полупроводниковый материал

  2. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

    1. Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габа­ритного чертежа.

    2. Материал корпуса: стекло,, металл, пластмасса, другие.

    3. Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

  3. Предельно допустимые значения параметров (система абсо­лютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

    1. Минимальная іи максимальная температуры хранения (TSfg).

    2. Минимальная и максимальная рабочие температуры окру­жающей среды ИЛИ корпуса атЪ ИЛИ Тcase)

    3. Максимальное обратное напряжение

    4. Максимальный постоянный прямой ток (If) при темпера­туре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С и понижа­ющая кривая или понижающий фактор.

    5. При необходимости максимальный импульсный прямой ток при температуре окружающей среды или температуре корпуса 25°С при заданных параметрах импульса (Ifm)- ’л

  4. Электрические характеристики

Для специального применения могут потребоваться дополни­тельные характеристики, приведенные в табл. 3.

Таблица 3

Номер пункта


Характеристики



Требования


5.1

5.2.

5.3.

5.4.


Прямое нап­ряжение

Обратный ток

Мощность из­лучения или сила излучения вдоль геометрической оси

Длина волны излучения


If заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока) %? — заданное значение

If заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока)

If ‘ заданное значение (посто­янного или им­пульсного тока)


Мин


Мин


Мин


Макс


Макс


Макс


Номер
пункта


Характеристики


Буквенные обозначе­ния

Условия при ТатЬ или Г =25 °С, если не оговорено иное


Требования


5.5.

5.6.

в

5.7.

5.8.


Ширина спектра излучения (при необходимости)


Значение, равное половине длины ролны излучения при If, оговорен­ном в п. 5.4.


Время переклю­чения (при не­обходимости)

Угол излучения (при необходи­мости)

Емкость (при необходимости)


Буквенные обозначе­ния

Условия при Tambили rcase=“25 °С, если не оговорено иное


Макс

Макс

Макс

Макс



Примечание. Если телесный угол, внутри которого измеряется сила из­лучения, не настолько мал, чтобы им можно было пренебречь, его значение сле­дует оговорить.

  1. Дополнительные сведения

    1. Диаграмма направленности излучения Графическое представление зависимости мощности излучения

или силы излучения от угла, образованного с одной из геометри- ческях осей, в полярных или прямоугольных координатах.

  1. Спектральная диаграмма .(при необходимости)

Г

потока излучения

рафическое представление зависимости

или силы излучения от длины волны.

  1. Конструктивные данные

С

факторов

пособ крепления и условия пайки, при необходимости.
  1. Данные по испытаниям на воздействие внешних и/или на срок, службы

На рассмотрении.

Р
а з д е л 3. ФОТОДИОДЫ

  1. Тип

Фотодиод, параметры которого устанавливаются при темпера­туре окружающей среды или температуре корпуса, предназначен­ный для работы в режиме малого сигнала или переключения.

  1. Полупроводниковый материал

  2. Кремний и др.Сведения р габаритном чертеже и корпусе

    1. Обозначение МЭК ц/или национальное обозначение габа­ритного чертежа. . •

    2. Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

    3. Обозначение выводов и любого соединения ч между выво­дом и корпусом.

  3. Предельно допустимые значения параметров (система абсо­лютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное

    1. Минимальная и максимальная температуры хранения

(Tsts) '

  1. Минимальная и максимальная рабочие температуры окру­жающей среды или корпуса (ТатЬ или Tease).

  2. Максимальное обратное напряжение (VK).

  3. При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность (Plot) при темпе­ратуре окружающей среды или температуре корпуса до 25 °С и понижающий фактор при температуре свыше 25 °С (Kt) или пони-

*

жающая кривая.



Таблица 4


Номер пункта

5. Электрические характеристики

Характеристики

Условия При

или 7 =25 °С, если

Щ < J "W

не оговорено иное

Требованиу


5.1.

J

5.2.

5.3.


Обратный ток под действием облучения

Темновой ток

Темновой ток


Буквенные обозначе­ния


При необходи­мости, спектраль­ная чувствитель­ность


Vr — заданное значение

Ev или’£в — за­данное значение Ул — заданное значение, Ee — Q VR заданное значение, Ее — О при заданной вы­сокой температуре ТатпЬ ИЛИ Tease Уб — заданное^ значение, Ее — заданное значение при за­данной малой длине волны А] и при заданной большой длине волны А2


Мин


Лі

А,


S Мин

-, * •

S - Мин


Макс

Макс




Номер пункта


Характеристики

*


Условия при Тать
или Т =25 аС, если

Су tv • □ <7
не оговорено иное


Буквенные
обозначе-
ния


Требования


Время пере­ключения (при необходимости): время нараста­ния и время спа­да


или время вклю­чения и время вы­ключения


Оговоренная схе­ма


Заданное зна­чение Vr, Ev или Еезаданное значение Оговоренная схе­ма, заданное зна­чение Vr, Ev или Ее заданное значение


tr

tf tonn

toff



Макс

Макс

Макс

Макё


Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—11 осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала при цвето­вой температуре Г—2855,6 К или иным оговоренным источником монохромати­

ческого излучения.

  1. Дополнительные сведения

А

  1. Диаграмма чувствительности

Графическое выражение зависимости спектральной чувстви­тельности от длины волны.

  1. Спектральная диаграмма

Г

акторов

рафическое выражение зависимости спектральной чувстви­тельности от длины волны.
  1. Данные по испытаниям на воздействие внешних и/или на срок службы .

На рассмотрении.

Р аз де л 4. ФОТОТРАНЭИСТОРЫ • г

  1. Тип

Фототранзистор, параметры которого устанавливаются при тем­пературе окружающей среды или температуре корпуса, предназ­начен для работы в режиме малого сигнала и переключения.

  1. Полупроводниковый материал

Кремний и др.

  1. Тип перехода п—р—nfp—п—р

  2. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

    1. Обозначение МЭК и/или национальное обозначение габа­ритного чертежа.

    2. Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

    3. Обозначение выводов и любого соединения между выводом я корпусом.

  3. Предельно допустимые значения параметров (система абсо­лютных максимальных значений) в диапазоне рабочих темпера­тур, если не оговорено иное 4

    1. Минимальная и максимальная температуры хранения <Ts(g)

    2. Минимальная и максимальная рабочие температуры окру­жающей среды ИЛИ корпуса (ТатЬ или 7*case).

    3. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при нулевом токе базы (Vceo)-

    4. При наличии внешнего соединения базы.

      1. Максимальное напряжение коллектор-база при нулевом токе эмиттера (Усво).

      2. Максимальное напряжение эмиттер-база при нулевом то­ке коллектора (Vebo).

    5. При отсутствии внешнего соединения базы.

Максимальное напряжение эмиттер-коллектор (Vaco).

  1. Максимальный постоянный ток коллектора (1с):

  2. При необходимости:

максимальная общая рассеиваемая мощность (Ptot) при темпе­ратуре окружающей среды или корпуса до 25 °С;

. понижающий фактор при температуре выше 25 °С (Kt) или по­нижающая кривая

.



6. Электрические характеристики


Таблица 5
т


Номер пункта


6.2.

6.3.

г

6.5.

Ї ,

*

6,6.

6,71

6,8.


Характеристики


Ток коллектора под действием облучения к

Темновой ток коллектор- эмиттер . Темновой ток коллектор-эмит­тер.


Напряжение пробоя коллек­тор-эмиттер

Напряжение пробоя эмиттер- база или, при от­сутствии соеди­нения базы, нап­ряжение пробоя эмиттер-коллектор

Напряжение насыщения кол­лектор-эмиттер


Усе — заданное значение, Ав=0, Еу или Ее за­данное значение Усе — заданное значение, /в = 0,

Усе *— заданное значение, /в~0, Ее —0, при за­данной высокой температуре Тать или 71 case — заданное значение, = £е~0 /е — заданное значение, £е = 0


При необходи­мости спектраль­ная чувствитель­ность


1с — заданное значение, /в ~0 Еу или Ее за­данное значение, предпочтительно то же, что в п. 6.1

Zв.—О', Ее за­

данное значение, при заданной малой длине вол­ны Лі и при за­данной большей длине волны Х2


Условия при ТатЬ или Т„ =25 °С, если не оговорено иное


Буквенные обозначе- - . НИЯ


ІС(Н) или /С(е)

IcEQ


ІСЕО


Требования


Мин


V(b.r)ebo Мин

У (BR)ECO Мин


1 У СЕ sat


Мин


Времена пере­ключения (при необходимости): . время нарастания и время спада


* При необходимости


Оговоренная схе­ма, заданные зна­чения Усе и /с, Еу или Ев