---

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ "ъ

Часть 5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

ГОСТ 29283-92

(МЭК 747-5-84) л

Издание официальное

КОМИТЕТ СТАНДАРТИЗАЦИИ И МЕТРОЛОГИИ СССР

Москва

А

APT СОЮЗА ССР

ь

РСТВЕННЫЙ СТАН

П

ГОСТ

29283—»92

(МЭК 747—5)

ОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
СХЕМЫ

Часть 5. Оптоэлектронные приборы

Semiconductor devices.

Discrete devices and integrated circuits.

Part 5. Optoelectronic devices

ОКП 621 000

1

Дата введения 01,01.93

Глава I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ _tи

4

1. Вводное примечание

Настоящий стандарт следует применять вместе с МЭК 747—1*» в котором приведены;

терминология;

буквенные обозначения;

основные предельно допустимые значения параметров и харак­теристики;

методы измерения;

приемка и надежность.

г

2. Область применения

Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов:

полупроводниковые излучатели, включая:

оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения ин­формации (на рассмотрении),

светоизлучающие диоды (СИД),

инфракрасные излучающие диоды (ИК-Диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: г

* До прямого применения стандарта МЭК в качестве государственного стандарта рассылку данного стандарта МЭК на русском языке осуществляет ВНИИ «Электронстаіндарт».

Издание официальное

© Издательство стандартов, 1992

Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен без разрешения Госстандарта СССР.С. 2 ГОСТ 29283—92

9 9 _

X

фотодиоды,

фототранаисторы,

фототиристоры (на рассмотрении);

фотопары, оптопары.

Порядок следования различных глав соответствует МЭК
747—1. .

г
*
ь
г

Глава II. ТЕРМИНОЛОГИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

Примечание. Ряд дополнительных терминов, касающихся оптоэлектрон* ных приборов, например, для радиометрических, фотометрических и сиектрофо* тометрических величин, приведен в гл. 45 Международного электротехнического словаря (МЭС). “ .

1. Типы полупроводниковых оптоэлектронных приборов

   1. Оптоэлектронный полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор, который испускает, модулирует или реагирует на когерентное или некогерентное электромагнит­ное излучение в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолетовой, областях спектра, или использует электромагнитное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, который преоб­разует электрическую энергию в энергию излучения.

Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отобра­жения визуальной информации.

Диод, который испускает энергию излучения в видимой об­ласти спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.

Диод, который испускает энергию излучения в инфракрасной области спектра за счет рекомбинации электронов и дырок.

Полупроводниковый оптоэлектронный прибор, который испус­кает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнит­ному излучению в видимой, инфракрасной и/или ультрафиолето­вой областях спектра.

Физический приемник, действие которого основано на внеш­нем или внутреннем фотоэффекте.

L9. ФоторезисторФотоэлектрический полупроводниковый приемник, в котором поглощение излучения повышает проводимость за счет внутренне­го фотоэффекта.

Фотоэлектрический приемник, в котором поглощение излуче­ния вблизи р—п перехода между двумя полупроводниками или вблизи контакта между полупроводником и металлом вызывает электродвижущую силу.

Полупроводниковый диод с р—п переходом между полупровод­

никами двух различных типов или между полупроводником и ме­таллом, в котором поглощение излучения вблизи перехода вызы-.

вает:

в

правлении;

нутренний фотоэффект,. при смещении диода в обратном на­

фотогальванический эффект, при смещении диода в прямом на­правлении.

Транзистор, в котором используется фотоэффект.

Тиристор, приводимый в действие энергией излучения.

Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с электрической изоляцией между входом и выходом, предназначенный для пере­дачи электрических сигналов с помощью энергии излучения.

2. Термины, относящиеся к предельно допустимым значениям параметров и характеристикам

о

Длина

излучения име­

лны, при которой сила спектрального ет максимальное значение.

Длина волны излучения, при которой спектральная чувстви­тельность имеет максимальное значение.

Интервал длин волн, в котором спектральная плотность силы излучения больше или равна половине ее максимального значе­ния.

Диаграмма, характеризующая (реалкное или предполагаемое) пространственное распределение излучения от оптоэлектронного прибора.

Диаграмма, представленная в полярных или прямоугольных ко­ординатах и графически выражающая зависимость чувствитель­ности от угла относительно определенной геометрической оси.

Угол, в пространстве которого сила излучения больше или рав­на половине ее максимального значения.

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлек­

трическом приемнике вследствие фотоэффекта.

Составляющая электрического тока, возникающая в фотоэлек­трическом приемнике, когда он не подвергается действию излуче­ния, способного вызвать фотоэффект.

Линия, относительно которой центрирована основная диаграм­

ма направленности излучения или чувствительности.

При м еча н и я:

1. Диаграмма направленности излучения или чувствительности может быть несимметричной.

2. Оптическая ось может отклоняться от геометрической оси.

Общий обратный ток, протекающий через фотодиод при воз­действии на него энергии излучения.

Примечание. Данный термин и определение пересматриваются.

Общий ток коллектора, проходящий через фототранзистор при воздействии на него энергии излучения.

Примечание. Данный термин и определение пересматриваются

Сопротивление между всеми соединенными вместе выводами входа и всеми соединенными вместе выводами выхода.

Напряжение между любым выводом входа и любым выводом выхода.

1. Постоянное (прямое) напряжение изоляции (Ую)

Значение постоянного напряжения изоляции.

Повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Viorm)Наибольшее мгновенное значение напряжения изоляции, вклю­чая все повторяющиеся и исключая все неповторяющиеся пере­ходные-напряжения.

Примечание. Повторяющееся переходное напряжение обычно обуслов­лено самой схемой.

Неповторяющееся переходное напряжение обычно вызывается внешними причинами и предполагается, что его воздействие со­вершенно прекращается к моменту появления следующего непов­торяющегося переходного напряжения.

2. Напряжение изоляции при перегрузке (Viosm)

Наибольшее. мгновенное значение кратковременного импульса напряжения изоляции заданной формы.

' 2.12.4. Коэффициент передачи по току

Отношение постоянного или переменного тока на выходе к постоянному или переменному току на входе при постоянном на­пряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение — CTR.

1. Статическое значение коэффициента (прямой) передачи тока (h_f(cir)_fh_F)

Отношение постоянного тока на выходе к постоянному току на входе при постоянном напряжении на выходе.

Примечание. Применяемое сокращение CTR (de).

2. Коэффициент (прямой) передачи тока при короткозамкну­том выходе в режиме малого сигнала (h^ctr), hf)

Отношение переменного тока на выходе к синусоидальному то­ку на входе при короткозамкнутом выходе по переменному току в режиме малого сигнала, а

Примечание. Применяемое сокращение CTR (ас).

2.12.5. Граничная частота (fetr)

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала уменьшается в 1/Г 2 раза по сравнению с его значением на низкой частоте.

3. Буквенные обозначения

   1. Общие сведения

Применяются общие правила, изложенные в МЭК 747—1, гл. V.

Обозначения, содержащиеся в табл. 1, рекомендуются для ис­пользования в области оптоэлектронных приборов. Данные обоз­начения составлены в соответствии с общими правилами.

Наименование

Буквенное
обозначение

Примечание

Лр

М
/щн), /ще)

Сю

<Г 10 ,

V ю

V10RM

VIOSM

hf{ctr)j hf
■

fetr

Длина волны максимального излучения

Ширина спектра излучения

Обратный ток под действием облучения (фотодиоды)

Ток коллектора под действием облучения (фототранзисторы)

Емкость между входом и выходом (фото­пары) -

Сопротивление изоляции (фотопары)

Постоянное напряжение изоляции (фотопа­ры)

Повторяющееся импульсное напряжение

изоляции (фотопары)

Напряжение изоляции при перегрузке (фо­топары)

Статическое значение коэффициента пере- . дачи тока (фотопары)

Коэффициент передачи тока при коротко­замкнутом выходе в режиме малого сигнала (фотопары)

Граничная частота (фэтопары)

Глава III. ОСНОВНЫЕ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИКИ

* ■

Раздел 1. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

**

1. Тип

Светоизлучающий диод, параметры которого устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса

5. .Предельно допустимые значения параметров (система аб­солютных значений) в диапазоне рабочих температур, если не ого­ворено иное

   1. Минимальная и максимальная температуры хранения (Tste)'

   2. Минимальная и максимальная рабочие температуры окру­жающей среды ИЛИ корпуса (Т_атЬ ИЛИ Tease).

   3. Максимальное обратное напряжение (Vr). S

Примечание. Неприменимо для приборов на сдвоенных диодах, сое­диненных по типу анод-катод и катод-анод.

5. 4. Максимальный постоянный прямой ток (If) при темпера­туре окружающей среды или температуре корпуса 25 °С и пони­жающая кривая или понижающий фактор.

   5. . При необходимости максимальный импульсный прямой ток (Ifm) при температуре окружающей среды или температуре кор­пуса 25°С при заданных параметрах импульса.

6. Электрические характеристики

Для многоэлементных приборов следует указывать характе­ристики каждого диода.

Для специального применения могут потребоваться дополни­тельные характеристики, приведенные в табл. 2.

Таблица 2

Номер пункта

Характеристики

Условия при Т_атЬ
или Г_сояе—25^ЭС, если
нс оговорено иное

<0

0 S нч

Е

Буквенные
обозначе-
ния