Электрические измерения (перед электротермотренировкой)
Электрические измерения (перед электротермотренировкой)
Электрические измерения (заключительные измерения после испытания)
Электротермотренировка
МЭК 147 или как установлено в ТУ на приборы конкретных типо
в
Условия испытания
Программа испытаний
Установленные параметры (необходимое количество параметров). Дефектные приборы изымаются
Параметры установленные по качественному признаку (важнейшие параметры). Дефектные приборы изымаются
У
■ ill
станавливаются в ТУ на приборы конкретных типов. Дефектные приборы изымаются
Устанавливаются в ТУ на приборы конкретных типов. Длительность (часы)
168
72
Й ■!!!<
48
ГОСТ 28624—90 С. 13
Порядок Н а им ен ов а ии е контр ол я мэк (ГОСТ) Условия испытания Программа испытаний |
||||
А |
В |
С |
D |
Е |
Электрические измерения (после электротермотренировки)
Те же параметры, что и по порядку 6А или 6В настоящей таблицы
Дефектные приборы изымаются. Партия забраковывается, если число дефектных приборов превышает 10%
14 ГОСТ 28624—90
Как правило, не проводятся для приборов без внутренних полостей, если иное не установлено в ТУ на приборы конкретных типов (другие методы испытаний — на рассмотрении).
* Не применяется для двухразъемных диодов с аксиальными выводами.
** Для диодов в прозрачных корпусах испытание может быть проведено в любом месте данной программы испытаний.
Примечание: Знак «+» означает — испытание проводится; «—»— испытание не проводится
.Планы выборочного контроля
В табл. 5 и 6 приведены планы выборочного контроля, конкретные значения которых устанавливаются в стандартах вида <форма ТУ» на диоды и транзисторы.
Таблица 5
Требования к выборочному контролю для испытаний по группе А
Погруппа |
LTPD**» |
AQL* |
|||||||||
Категория I |
Категория П |
Кате- гор и я III |
Категория 1 |
Категория II |
Категория III |
||||||
IL |
AQL |
IL |
AQL |
IL |
AQL |
||||||
А! |
5 |
5 |
5 |
I |
0,65 |
I |
0,65 |
I |
0,65 |
||
А2а**’ *4 транзисторы |
1,0 |
L0 |
1,0 |
II |
0,15 |
II |
0,15 |
II |
0,15 |
||
диоды |
0,7 |
0,7 |
0,7 |
II |
0,10 |
II |
0,10 |
II |
0,10 |
||
А2Ь**’ *4 транзисторы |
5 |
5 |
3 |
II |
0,65 |
II |
0,65 |
II |
0,40 |
||
диоды |
3 |
3 |
2 |
II |
0,40 |
II |
0,40 |
II |
0,25 |
||
АЗ |
7 |
7 |
7 |
S4 |
1,0 |
S4 |
1,0 |
S4 |
1,0 |
||
А4 |
20 |
20 |
20 |
S3 |
2,5 |
S3 |
2,5 |
S4 |
2,5 |
Значения AQL (Acceptable Quality Level — приемлемый уровень качества) приведены для общего числа дефектных приборов в каждой подгруппе.
* Если для испытаний по группе А выбран LTPD (Lot Tolerance Percent Defective—допустимый процент дефектных приборов в партии), то AQL разрешается использовать только для подгруппы А2.
**LTPD с максимальным приемочным числом 4.
4 Если 100%-ной проверкой подтверждено, что число дефектных приборов в партии менее 0,1%, то выходной выборочный контроль электрических параметров в данной подгруппе для данной партии не проводится.
Таблица 6
Требования к выборочному контролю для испытаний по группам В и С,
в которых следует использовать LTPD
LTPD*
Категория III
Подгруппа
Категории I и II
Программа отбраковочных испытаний
В1
С1
15
30
Подгруппа
Категории I и II
В2 С2а
С2Ь
С2с
С2
ВЗ СЗ
В4 С4
В5 С5
Вб С6
В7 С7
В8 С8
В9 С9
15
15
15
20
15
15
20
20
20
10
15
15
15
I 15
20
15
15
20
20
20
5
* 5
15
15
15
20
15
15
20
20
20
7
7
15
15
15
20
15
15
20
20
20
10
10
15
15
15
20
15
15
20
20
20
7
15
15
15
20
15
15
20
20
20
10
10
Продолжение таб.і. 6
LTPD*
Категория Ш
Прогр ам м а отбр аковоч ны х
испытаний
* LTPD с максимальным приемочным числом 4.
МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ И ИЗМЕРЕНИЙ
Методы испытаний и измерений полупроводниковых приборов со ссылками на соответствующие стандарты МЭК (государственные стандарты) приведены в таблице настоящего пункта. Данными методами следует пользоваться в том случае, когда это указано в ТУ на приборы конкретных типов в соответствии с МЭК 747—10 (ГОСТ 28623).
Методы испытаний и измерений
О
Метод испытания
или измерения
по МЭК (ГОСТ)
Общие параметр
ы
G-001 !
1 і
I
І
G-002 '
I !
G-003 :
G-004 і
1V,
к
ПО
ПО
; Температура в контрольной точке
I Тепловое сопротивлем Дне (исключая транзи-1 Дторы)
I Переходное тепловое •полное сопротивление ;
I Тепловое сопротивле-
•ние (для транзисторов) і Методы испытаний
приборов чувствителъ- •ных к статическому электричеству
747—2 и 747—6. гл. п. 2.1 (ГОСТ*)
747—2 и 747-6, гл. п. 2.2.
I і
,47 (ЦБ) 886 с учетом і правок
і 47(ЦБ) 955 с учетом ; право
кОбозначение прибора |
Буквенное обозначение параметра |
Наименование параметра |
Метод испытания или измерения по МЭК (ГОСТ) |
Диоды сигнальные и переключательные.
Методы измерения основных параметров
D-001
D-002
D-003
D-004
D-005
D-006
D-007
D-008
D-009
D-010
D-011
D-012
D-021
D-022
D-023
D-024
Прямое напряжение
Обратный ток
Заряд восстановления 1
Время обратного восстановления:
при заданном Irm
при заданном
Время прямого вос-1 становления
Импульсное напряже- *
ние прямого восстановления
Общая емкость
Коэффициент детекти
рования по напряжению
Коэффициент детектирования по мощности
Пробивное напряжение
Переходная энергия в
обратном направлении
I
I
Обратная рассеиваемая мощность
1
! Шум
747—3, гл. IV, разд. 1,п. 2 (ГОСТ*)
747—3, гл. IV, разд. 1, п. I
747—3, гл. IV, разд. 1, п. 4.2 (ГОСТ*)
747—3, гл. IV, разд. I, п. 4.1
747—3, гл. IV, разд. 1, п. 3
747—3, гл. IV, разд. 1, п. 5.1
747—3, гл. IV, разд. 1, п. 5.2
747—2, гл. IV, п. 1.3
(ГОСТ*)
747—3
747—2, гл. IV, п. 3.3
747—3, гл. IV, разд. 1, п. 6
Опорные диоды и стабилитроны
V. lz
і Рабочее напряжение
Дифференциальное сопротивление
Температурный коэффициент напряжения стабилизации
Шумовое напряжение
Ї 747—3, гл. IV, разд. 2, п. 1
і 747—3, гл. IV, разд. 2, п. 2
747—3, гл. IV, разд. 2, л. 3
I I
Ї 747—3, гл. IV, разд. 2, п. 7
D-031
D-032 Q
D-033
Варикапы
Отклонение значения емкости
Эффективный коэффициент добротности
Последовательное сопротивление
47 (ЦБ) 888
147—2В, гл. I, оазд. 5, п. 5 (ГОСТ*)
147—2В, гл. I, разд. 5, п. 6
Обозначение
прибора
Буквенное
обозначение
параметра
I
4
Наименование параметра
Метод испытания
или измерения
по мэк (ГОСТ)
Выпрямительные диоды
D-®9
D-041
D-042 0-043 D-044
D-045
D-046
D-047
D-048
D-049
^FSM
^RSM
Qr
^RRM
^RSM
£rrm
£rsm
^RM
Пробивное напряжение
Импульсное прямое напряжение (импульсный метод)
Импульсный обратный ток
Ударный (неповторяющийся) прямой ток
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение
Заряд восстановления
Обратная рассеиваемая мощность
Переходная энергия в обратном направлении
Им пульсн ый о бр а тн ы й ток при рассеиваемой мощности, обусловленной средним прямым током
Импульсный ток не- пробоя корпуса
747—2, гл. IV, п. 1.3
747—2, гл. IV, п. 1.2.3
747—2, гл. IV, п. 1.4.3
747—2, гл. IV, п. 3.1
747—2, гл. IV, п. 3.2
747—2, гл. IV, п. 1.5
747—2, гл. IV, п. 3.3
47 (ЦБ) 888, и. 4.2
747—2, гл. IV, п. 1.4.4
Диоды — регуляторы
D-050 I
D-051 I
D-052
D-053
0-054
D-055
Т-001
Ток регулирования
Температурный коэффициент тока регулирования
Изменение тока регулирования
Напряжение ограничения
Проводимость диода —> |регулятора тока в режиме малого сигнала
Проводимость на изгибе вольтамперной характеристики
47 (ЦБ)* 892 с учетом поправок
тока
747—3, гл. IV, разд. З, п. 1
747—3, гл. IV, разд. 3, п. 2
747—3, гл. IV, разд. З, п. 3
747—3, гл. IV, разд. 3, п. 4
747—3, гл. IV, разд. 3, п. 5
747—3, гл. IV, разд. 3, п. 6
Транзисторы биполярные.
Методы измерения основных параметров
^сво
Обратный ток коллектор-база
* Центральное Бюро.
** Находится в стадии разработки.
747—7 (ГОСТ**)