---

1. (20±2) °С;

2. нижняя температура категории ±3°С;

3. промежуточные температуры, если указано в ТУ;

4. (20±2) °С;

5. промежуточные температуры, если указано в ТУ;

6. верхняя температура категории ±2°С;

7. (20±2) °С.

В соответствующих ТУ должно быть указано, следует ли избе­гать теплового удара или следует изменять температуру с макси­мальной скоростью, если это требуется для определенного типа конденсатора.

Точность измерения температуры должна соответствовать тре­бованиям ТУ.

Во время измерений следует принимать меры предосторожности во избежание образования конденсата или инея на поверхности из­делий.

Помимо статического метода, изложенного в пп. 4.24.1.2 и 4.24.1.3, может быть использован динамический графический метод. Конденсаторы подвергают воздействию медленно изменяющейся температуры.

Датчик измерителя температуры должен быть вставлен внутрь специального макета конденсатора, который устанавливается ря- 38дом с испытываемым конденсатором таким образом, чтобы темпе­

р

шивающегося моста или компаратора.

атура, измеренная внутри макета, равнялась температуре в кон­денсаторе. Емкость следует измерять с помощью самоуравнове-

По результатам измерения строится график, причем выходные данные моста или компаратора откладываются по оси «У», а датчик измерителя температуры — по оси «X».

Температуру необходимо изменять достаточно медленно для

того, чтобы получить равномерную кривую без всплесков при ниж­ней и верхней температурах категории. Температуру следует из­менять последовательно от 20 °С до нижней температуры катего­рии, затем довести до верхней температуры категории, после чего понизить ее до 20 °С.

Необходимо провести два цикла.

Этот метод можно использовать только тогда, когда можно до­

казать, что результаты его такие же, как и при методе с использо­ванием стабильных температур.

В случае расхождения результатов измерения следует приме­нять статический метод.

С_о— емкость, измеренная в соответствии с позицией 4 п. 4.24.1.2;

Qo—температура, измеренная в соответствии с позицией 4 п. 4.24.1.2;

Сі — емкость, измеренная при испытательной температуре, от­личной от температур, указанных в перечислениях a, d, g.

Qi—температура, измеренная при испытании.

т и

Изменение емкости как функцию от температуры следует рас­считывать для всех значений Сі следующим образом:

АС Q-C_t

Изменение емкости обычно выражается в процентах.

1. Температурный коэффициент емкости (а).

Температурный коэффициент емкости (се) следует рассчитывать для всех значений Сі следующим образом:

Температурный коэффициент обычно выражается в миллион­ных долях на градус Цельсия (10~⁶/°С).

2. Изменение емкости после воздействия температурного цикла.

Изменение емкости после воздействия температурного цикла следует рассчитывать для позиций измерения a, d и g п. 4.24.1.2 следующим образом:

Наибольшее из этих значений представляет собой изменение емкости после воздействия температурного цикла. Это изменение емкости обычно выражается в процентах.

температура — верхняя температура категории;

продолжительность— (96±4) ч.

Конденсаторы следует хранить при температуре минус 40°С в течение 4 ч после достижения теплового равновесия либо в тече­ние 16 ч в зависимости от того, какой из периодов короче.

Тиристорная схема обладает преимуществом высокой частоты повторения импульсов и характеризуется отсутствием проблем, связанных с загрязнением и вибрацией контактов.

Кривая напряжения на испытываемом конденсаторе должна иметь приблизительно форму, показанную на черт. 14.

1. постоянная времени заряда, обусловленная внутренним соп­ротивлением источника питания, сопротивлением зарядной цепи и емкостью испытываемого конденсатора;

Релейная схема

1 — источник питания; 2 — заряд­ный резистор; 3 — выключатель с мотором; 4 — разрядный резистор;

5 — испытываемый конденсатор

Тиристорная схема

1 — источник питания; 2 — заряд­ный резистор; 3 — разрядный ре­зистор; 4 — испытываемый конден­сатор; 5 — тиристорная цепь за­жигания

Черт. 12

Черт. 13

Заряд Разряд

Цин л

т — постоянная времени заряда; —постоянная
времени разряда.

Черт. 14

2. постоянная времени разряда, обусловленная сопротивлением разрядной цепи и емкостью испытываемого конденсатора;

3. отношение перенапряжения к номинальному напряжению или напряжению категории (в зависимости от того что применимо);

4. число циклов испытания;

5. продолжительность периода подачи перенапряжения;

6. продолжительность периода разряда;

7. частота повторения импульсов (циклы в секунду);

приведены в п. 4.26.2.

на испытываемом конденсаторе имеют приблизительно форму, по­казанную на черт. 15.

1. постоянная времени заряда, обусловленная внутренним сопро­тивлением источника питания, сопротивлением зарядной цепи и емкостью испытываемого кон­денсатора;

2. постоянная времени разря­да, обусловленная сопротивле­нием разрядной цепи и емкостью испытываемого конденсатора;

3. напряжение, которое сле­дует подавать в течение периода заряда, если оно отлично от но­минального;

4. число циклов испытания;

5. продолжительность периода заряда;

6. продолжительность периода разряда;

7. частота повторения импуль­сов (циклы в секунду);

8. температура, если она отлична от температуры нормальных атмосферных условий испытания.

Если другое не указано в ТУ, для проверки устройства, обеспе­чивающего взрывоустойчивость конденсаторов, применяется одно из следующих испытаний.

Подаваемое напряжение — переменное напряжение, эффектив­ное значение которого не превышает 0,7 номинального напряже­ния. Частота подаваемого напряжения 50 или 60 Гц. Последова­тельно включенный резистор 7? = 0,5 полного сопротивления кон­денсатора на испытательной частоте.

Подаваемое напряжение: постоянное напряжение, подаваемое в направлении обратной полярности, с амплитудой, необходимой для получения тока от 1 до 10 А.

Прикладываемое воздушное давление: давление газа, осущест­вляемое снаружи, следует непрерывно увеличивать со скоростью 20 кПа/с.

Конденсаторы следует подвергнуть испытаниям на сухое тепло (п. 4.21.2) и холод (п. 4.21.4) со следующими уточнениями.

В ТУ могут быть предусмотрены промежуточные температуры.

Измерения следует проводить при каждой из установленных температур после того, как конденсатор достигнет тепловой ста­бильности.

Тепловую стабильность можно считать достигнутой, если два значения характеристики, зарегистрированные с интервалом не менее 5 мин, отличаются не более чем на величину погрешности измерительной аппаратуры.

Испытание на срок службы в соответствии с п. 4.23.4 может быть заменено испытанием на тепловую стабильность. В ТУ дол­жно быть указано, какое испытание следует проводить.

Конденсатор следует поставить под нагрузку, равную номи­нальной реактивной мощности рассеяния, умноженной на заданный коэффициент, при номинальной температуре на период, установ­ленный в соответствующих ТУ. Проверку тепловой стабильности следует проводить путем измерения температуры перегрева как функции времени в течение последней части установленного пе­риода. Температура перегрева должна быть в установленных пре­делах.

Следует провести измерения, предусмотренные в ТУ.

1. Р

   Температура растворителя: (23±5)

   астворитель, который следует использовать: п. 3.1.1 ГОСТ 28229.

°С, если иное не указано в ТУ.

3. Выдержка: метод 2 (без протирки).

4. Время восстановления: 48 ч, если иное не указано в ТУ.

1. Растворитель, который следует использовать:

ГОСТ 28229, п. 3.1.1.

2. Температура растворителя: (23±5) °С.

3. Выдержка: метод 1 (с протиркой).

4. Материал для протирки: гигроскопическая вата.

5. Время восстановления: не требуется, если иное не указано в ТУ.

Подложка должна иметь металлизированные контактные пло­щадки надлежащего размера, позволяющие монтировать конденса­торы-чипы, и должна обеспечивать электрическое соединение с вы­водами конденсаторов-чипов.

Примеры испытательных подложек для механических и элек­трических испытаний изображены на черт. 15 и 16 соответствен­но.

Если применяется другой метод монтажа, он должен быть чет­ко описан в ТУ.

Если в ТУ установлена пайка волной, прежде чем про­водить пайку следует для прикрепления конденсаторов к подлож- 44ке использовать соответствующий клей, состав которого может быть указан в ТУ.