Коэффициент отражения 107
Коэффициент отражения рабочей поверхности знакосинтезирующего индикатора 107
Коэффициент пропускания 61
Коэффициент пропускания знакосинтезирующего индикатора 61
Коэффициент яркости рабочей поверхности 53
Коэффициент яркости рабочей поверхности знакосинтезирующего индикатора 53
Коэффициент яркости фона 54
Коэффициент яркости фона знакосинтезирующего индикатора 54
Мнемосхема 29
Модуль <33
Модуль знакосинтезирующий 33Мощность полупроводникового знакосинтезирующего индикатора рассеиваемая средняя 100
Мощность рассеиваемая средняя 100
Напряжение анодов сканирования газоразрядного знакосин- тезнрующего индикатора максимальное 78
Напряжение анодов сканирования газоразрядного знакосинтезирующего индикатора минимальное 78
Напряжение анодов сканирования максимальное 78
Напряжение анодов сканирования минимальное 78
Напряжение возникновения свечения минимальное 84
Напряжение возникновения свечения элементов отображения информации знакосинтезирующего индикатора минимальное 84
Напряжение вспомогательного разряда 86
Напряжение вспомогательного разряда газоразрядного знакосинтезирующего индикатора 86
Напряжение жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора пороговое 72
Напряжение записи 75
Напряжение записи газоразрядного знакосинтезирующего индикатора 75
Напряжение индикации в номинальном режиме опорное 76
Напряжение индикации в режиме включения опорное 77
Напряжение индикации газоразрядного знакосинтезирующего индикатора в номинальном режиме опорное 76
Напряжение индикации знакосинтезирующего индикатора в режиме включения опорное 77
Напряжение насыщения 73
Напряжение насыщения жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора 73
Напряжение на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора обратное импульсное 81
Напряжение на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора обратное постоянное 80
Напряжение обратное импульсное 81
Напряжение обратное постоянное 80
Напряжение питания 90
Напряжение питания анодов 83
Напряжение питания анодов газоразрядного знакосинтезирующего индикатора 83
Напряжение питания полупроводникового знакосинтезирующего индикатора 90
Напряжение полупроводникового знакосинтезирующего индикатора прямое постоянное 79
Напряжение пороговое 72
Напряжение прекращения свечения максимальное 85
Напряжение прекращения свечения элементов отображения информации газоразрядного знакосинтезирующего индикатора максимальное 85
Напряжение прямое постоянное 79
Напряжение стирания 75
Напряжение стирания газоразрядного знакосинтезирующего индикатора 75
Напряжение элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора прямое постоянное 79Неоднородность цветности свечения 106
Неоднородность цветности свечения знакосинтезирующего индикатора 106
Неравномерность силы света 66
Неравномерность силы света знакосинтезирующего индикатора 66
Неравномерность яркости 56
Неравномерность яркости знакосинтезирующего индикатора 56
Неравномерность яркости элемента отображения 55
Неравномерность яркости элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора '55
Освещенность внешняя 110
Освещенность внешняя допустимая 111
Освещенность внешняя предельно допустимая 1.12
Освещенность знакосинтезирующего индикатора внешняя ПО
Освещенность знакосинтезирующего индикатора внешняя допустимая 111
Освещенность знакосинтезирующего индикатора внешняя предельно допустимая 112
Пинель 24
Площадь элемента отображения 42
Площадь элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора 42
Поверхность знакосинтезирующего индикатора рабочая 7
Поверхность рабочая 7
Поле знакосинтезирующего индикатора информационное 2
Поле информационное 2
Разброс разряда знакосинтезирующего индикатора относительный 64
Разброс разряда относительный 64
Разброс силы света знакосинтезирующего индикатора относительный 64
Разброс силы света относительный 64
Разность цветовая 104
Распределение энергии излучения знакосинтезирующего индикатора спектральное относительное 49
Распределение энергии излучения спектральное относительное 49
Расстояние наблюдения 113
Расстояние наблюдения предельно допустимое 114
Режим управления динамический 91
Режим управления знакосинтезирующего индикатора мультиплексный 91
Режим управления знакосинтезирующего индикатора статический 92
Режим управления мультиплексный 91
Режим управления статический 92
Светоотдача 116
Светоотдача знакосинтезирующего индикатора 116
Сегмент 4
Сегмент знакосинтезирующего индикатора 4
Сила света 63
Сила света средняя 65
Сила света элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора средняя 65
Сопротивление переход-корпус тепловое 101
Сопротивление переход-корпус полупроводникового знакосинтезирующего индикатора тепловое 101
Способность знакосинтезирующего индикатора разрешающая 115
Способность разрешающая 115
Ток высокого уровня входной 94
Ток высокого уровня полупроводникового знакосинтезирующего индикатора входной 94
Ток индикации 82
Ток индикации газоразрядного знакосинтезирующего индикатора 82
Ток низкого уровня ВХОДНОЙ 95
Ток низкого уровня полупроводникового знакосинтезирующего индикатора входной 95
Ток обратный 96
Ток полупроводникового знакосинтезирующего индикатора обратный 9'6
Ток потребления 93
Ток потребления полупроводникового знакосинтезирующего индикатора 93
Ток прямой импульсный 98
Ток прямой средний 99
Ток элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора прямой импульсный 98
Ток элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора прямой средний 99
Ток элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора прямой постоянный 97
Ток элемента отображения прямой постоянный 97
Угол излучения 48
Угол излучения знакосинтезирующего индикатора 48
Угол наблюдения 44
Угол наблюдения знакосинтезирующего индикатора 44
Угол наклона знака 46
Угол наклона знака знакосинтезирующего индикатора 46
Угол обзора 45
Угол обзора знакосинтезирующего индикатора 45
Фон знакосинтезирующего индикатора собственный 8
Фон собственный 8
Формат знакоместа 50
Формат знакоместа знакосинтезирующего индикатора 50
Частота управляющего напряжения жидкокристаллического знакосинтезирующего индикатора критическая 74
Частота управляющего напряжения критическая 74
Шаг элемента отображения 43
Шаг элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора 43
Ширина знака 41
Ширина знака знакосинтезирующего индикатора 41
Ширина спектра 67
Ширин-а спектра излучений знакосинтезирующего индикатора 67
Шкала 28
Экран 24
Экран знакосинтезирующий 24
Элемент отображения 3
Элемент отображения дефектный 5
Элемент отображения информации знакосинтезирующего индикатора 3
Элемент отображения информации знакосинтезирующего индикатора дефектный 5
Яркость 52
Яркость знакосинтезирующего индикатора 52
Яркость собственного фона 57
Яркость собственного фона знакосинтезирующего индикатора 57
Яркость элемента отображения 51
Яркость элемента отображения информации знакосинтезирующего индикатора 51
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Average forward current 99
Average power dissipation 100
Average value of luminous intensity 65
Continuous direct forward voltage 79
Continuous reverse voltage 80
Dominant wavelength 68
Half intensity beam angle 48
High-level current input 94
Low-level input current 95
Luminous intensity 63
Peak forward current 98
Peak revet se voltage 81
Radiation diagram 47
Reverse current 96
Spectral distribution 49
Spectral radiation bandwidth 67
Supply voltage 90
ПРИЛОЖЕНИЕ Справочное
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ,
НЕОБХОДИМЫХ ДЛЯ ПОНИМАНИЯ ТЕКСТА СТАНДАРТА
электролюминесценция:
Люминесценция, возникающая под действием электрического поля.
предпробойная электролюминесценция:
Электролюминесценция, возникающая при напряжениях электрического поля, близких к пробивным.
инжекционная электролюминесценция:
Электролюминесценция, возникающая при рекомбинации электронов и дырок на р-п переходе полупроводникового кристалла, включенного в прямом направлении.
катодолюминесценция:
.Люминесценция, возникающая в катодолюминофорах под действием потока электронов.
жидкий кристалл:
Вещество, обладающее как кристалл, анизатропией свойств, в частности оптических, связанной с упорядоченностью в ориентации молекул, а также некоторыми свойствами жидкости.
спектральное распределение излучения:
Зависимость спектральной плотности потока излучения от длины волны.
Примечание. Допускается представление спектрального состава излучения в виде указания длины волны в максимуме спектральной плотности потока излучения и ширины спектра излучения.
мнемосхема:
Условное изображение объектов, их состояний, процессов, явлений.
относительная спектральная плотность излучения: Отношение среднего значения оптической величины в рассматриваемом малом спектральном интервале к ширине этого интервала.ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
РАЗРАБОТЧИКИ
А. К. Генкина (руководитель темы); Л. А. Разоренова; С. В. Морин; Г. М. Иванова; И. Е. Овсянникова; В. Е. Чернышев; Р. С. Марушкина
УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 30.05.91 № 764
Срок первой проверки — 1996 г. Периодичность проверки — 5 лет
ВЗАМЕН ГОСТ 25066—81
ССЫЛОЧНЫЕ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ДОКУМЕНТЫ
О
Номер термина
102, 103
63
бозначение НТД,ГОСТ 13088—67
ГОСТ 26148—84
Редактор Л. Д. Курочкина
Технический редактор Г. А. Теребинкина
Корректор А. С. Черноусова
Сдано в наб. 17.06.91 Подп. в печ. 14.11.91 1,5 усл. п. л. 1,63 уел. кр.-отт. 2,11 уч.-изд. л.
Тир. 3700 Цена 85 к.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123557. Москва, ГСП, Новопресненский пер., 3
Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 425
1 При установлении наименований знакосинтезирующих индикаторов конкретных видов используют комбинацию из приведенных терминов в зависимости от принципа действия, характера отображаемой информации и т. п., например, «газоразрядный матричный знакосинтезирующий индикатор», «полупроводниковый знакосинтезирующий экран».
