У
Группа Э29
ГОСТ
18604.22-78*
(СТ СЭВ 4289—83)
Взамен
ГОСТ 13852—68
ДК 621.382.3.08:006.354 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССРТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Методы измерения напряжения насыщения
коллектор — эмиттер и база — эмиттер
Transistors bipolar.
Methods for measuring collector—emitter
and base—emitter saturation voltage
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 5 июля 1978 г. № 1816 срок введения установлен
с 01.01.80 Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 25.06.84 № 2078 срок действия продлен
до 01.01.90
Несоблюдение стандарта преследуется по закону
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор—эмиттер t/кэнас и напряжения насыщения база—эмиттер Usa нас в схеме с общим эмиттером на постоянном н импульсном токах.
Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор— эмиттер и база — эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289—83.
(Измененная редакция, Изм. № 1)
МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР — ЭМИТТЕР И БАЗА — ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
Принцип и условия измерения
Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения £7кэоГр или равно ему.
Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменением М 1,
утвержденным в октябре 1984 г. (ИУС 1—85).Если значение £7кэо гр не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор — эмиттер.
Значения тока базы 7б и тока коллектора /к, значение граничного напряжения t/кэогр указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
Допускается задавать токи базы /б и коллектора /к от генераторов тока. При этом выходное сопротивление генератора тока базы должно удовлетворять условию
п ч. нас max
Авых.Б 7 .
‘ Б mln
а выходное сопротивление генератора тока коллектора должно удовлетворять условию
о к. нас тах
Авых.к // 00 7 ,
'ктіп
где £7 Кэ нас max и (Увэнастах —максимальные значения напряжения насыщения коллектор— эмиттер и база — эмиттер, которые могут быть измерены на данной установке;
/кmm И /бпііп —минимальные значения токов коллектора и базы, которые могут быть установлены на данной установке.
Аппаратура
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер и база — эмиттер на постоянном токе следует измерять на установке, структурная схема которой приведена на черт. 1.
Основные элементы, входящие в схему, должны удовлетворять следующим требованиям.
Входное сопротивление измерителя постоянного напряжения Р2 должно удовлетворять соотношениям
г) нас max .
^Хвх^ 7 >
'к mln
п Ю06/БЭ нас max
•Увх^ і
Б min
Измеритель постоянного напряжения может быть компенсационного типа. В этом случае требования к входному сопротивлению не предъявляют.
Допускается использование общего источника питания для задания токов базы и коллектора. Регулировку токов в этом случае осуществляют подбором резисторов R1 и R2.
PI, РЗ—измерители постоянных токов базы и коллектора; Р2—измеритель постоянного напряжения;
' Укэ нас и аБЭ нас ’ R1’ ^-резисторы; УГ-изме-
ряемый транзистор; S—переключатель
Черт. 1
Взамен резисторов R1 и R2 могут быть использованы внутренние сопротивления источников питания базы или коллектора.
Резисторы RI, R2 и измерители Р1 и РЗ могут полностью или частично отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
Следует принимать меры к устранению погрешности измерения (Укэнас и [/вэнас за счет падения напряжения на соединительных проводах и контактах путем разделения контактов и соединительных проводов на токовые и потенциальные.
Значение наводок на измерителе напряжения Р2 должно быть не более 2 % шкалы.
Подготовка и проведение измерения
При измерении напряжения насыщения коллектор — эмиттер и база—эмиттер транзистор включают в схему измерения. По шкале Р1 следует установить значение тока базы, а по шкале РЗ — значение тока коллектора, указанные в нормативнотехнической документации на транзисторы конкретных типов, или рассчитанные по заданной степени насыщения.
В положении 1 переключателя S измеритель Р2 измеряет напряжение насыщения {/вэнас.
В положении 2 переключателя S измеритель Р2 измеряет напряжение насыщения Пкэ нас-
Допускается одновременное измерение напряжений насыщения 17 кэ нас и (Увэнас двумя приборами (без переключа- теля S), если режим измерения этих параметров одинаков.
Показатели точности измерения
Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5 % конечного значения рабочей части шкалы.
Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5 % измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
2. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ
КОЛЛЕКТОР — ЭМИТТЕР И БАЗА — ЭМИТТЕР НА ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ
Принцип и условия измерения
Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянном токе коллектора и импульсном токе базы.
Напряжение питания коллектора, значения тока базы /і, и тока коллектора /к устанавливают в соответствии с требованиями пп. 1.1.2 и 1.1.3.
Измерение напряжения следует начинать с задержкой Дт относительно начала базового импульса и закончить до окончания базового импульса (черт. 2) по формулам
^21Этах .
2п/гр ’
ти>-Дт:>
^21этах
2nfrp
где т„ —длительность импульса в цепи базы;
Лгіэмах — максимальное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;
Йгіэтах максимальное значение коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала;
frp— граничная частота коэффициента передачи тока.
Значения статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала и граничной частоты коэффициента передали тока указывают в нормативно-технической документации на транзис- х торы конкретных типов. Для транзисторов, у которых значение /гр не нормируется, используют значение предельной частоты коэффициента передачи тока fAsi или | ft2i9 | Д, где f — частота, на которой измеряют модуль, коэффициента передачи тока на высокой частоте | h23|. Значение
|Л2іэ| указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
Допускается подавать напряжение коллектора в виде- импульса, начинающегося не позднее базового импульса п заканчивающегося раньше базового импульса.
Время подключения пикового вольтметра к выводам в этом:
случае не ограничивают.
Д
V—измеряемое напряжение
Черт. 2
опускается измерение напряжений насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер при постоянном токе базы из импульсном напряжении коллектора.Допускается одновременная подача базового и коллекторного импульсов,, если пиковый вольтметр подключается на Дт позднее начала базового импульса.
Допускается задавать токи базы 7 б и коллектор /к от импульсных генераторов тока. При этом выходные сопротивления генераторов тока базы и тока коллектора должны соответствовать требованиям п. 1.1.4.
Аппаратура
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер и база—эмиттер на импуль
с
PltР2, РЗ—пиковые вольтметры; G—генератор однополярных импульсов; RI, R2—резисторы; R&,. R4—калибровочные резисторы; S—переключатель;
С—конденсатор; VT—измеряемый транзистор Черт. 3
ном токе следует измерять на установке,, структурная схема которой приведена на черт. 3.Основные элементы, входящие в. схему, должны удовлетворять следующим требованиям.Пиковый вольтметр Р1 должен измерять ток базы по падению напряжения на резисторе R3. Его входное сопротивление должно быть больше или равно 1ОО7?3.
Пиковый вольтметр Р2 должен измерять мгновенные значения напряжений. Требования к его входному сопротивлению должны соответствовать требованиям п. 1.2.2.1.
Пиковый вольтметр РЗ должен измерять ток коллектора по падению напряжения на резисторе R4. Его входное сопротивление, должно быть больше или равно 100/?4.
Взамен резистора R1 может быть использовано внутреннее сопротивление генератора О, а резистора R2 — внутреннее сопротивление источника питания коллектора.
Резисторы R1 и R2 могут отсутствовать, если токи базы и коллектора задают от импульсных генераторов тока.
Резисторы R3 и R4 должны обеспечивать измерение токов /к и /б на рабочих участках шкал приборов Р1 и РЗ. Номинальные сопротивления резисторов выбирают с допускаемым отклонением От номинального в пределах ±1 %.
Резисторы R3, R4 и пиковые вольтметры Р1, РЗ могут отсутствовать, если каким-либо способом обеспечивается точность установки режима.
Частоту следования импульсов генератора G следует выбирать такой, чтобы скважность импульсов была более 10.
Емкость конденсатора С следует выбирать из соотношения
с> 20/ц шахти
если источник питания коллектора рассчитан на ток /к У/ —
где Q — скважность импульсов базы.
Значение емкости конденсатора может быть уменьшено или конденсатор может быть отключен, если источник питания коллектора рассчитан на ток /к =7кп:ах и при импульсном напряжении питания коллектора.
Подготовка и проведение измерения
Подготовка и проведение измерения — в соответствии с п. 1.3.
Показатели точности измерения
Основная погрешность измерительных установок, в которых используются стрелочные приборы, должна находиться в пределах ±5 % конечного значения рабочей части шкалы.
Основная погрешность измерительных установок, в которых используются цифровые приборы, должна находиться в пределах ±5 % измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.
2.4.2. (Измененная редакция, Изм. № 1).
1
