---

4 — источник питания

Черт. На

Я/ Я4 R6 R5

I — источник постоянного напряжения для балансировки микросхемы;

2, 5 — измерители постоянного напряжения; 3 — микросхема; 4 — усили­тель, инвентирующий фазу; 6 — источник питания

Черт. 116

Сопротивление R₆ резистора (см. черт. 11а и 116) должно удовлетворять следующему требованию:

Остальные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1580.

При измерении Л/_х испытуемую микросхему балансируют при замкнутых переключателях В1 и В2, изменяют напряжение источника 1 до тех пор, пока напряжение на измерителе 5 не будет равно нулю или напряжению Ц)_ВЫХ, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Измеряют напряжение £j измерителем 2. Повторно балансируют микросхему при

разомкнутых переключателях В1кВ2и измеряют измерителем 2 напряжение Е .

При измерении 7_{ВХ ср} испытуемую микросхему балансируют при разомкнутом пере-

rtt ■

ключателе В1 и замкнутом В2 и измеряют напряжение £₁ измерителем 2. Повторно микросхему

балансируют при замкнутом переключателе В1 и разомкнутом В2 и измеряют напряжение Е_х■

Разность входных токов А/ микросхемы определяют по формуле

а/_вх=^^(Х-4),

«6

Входной ток / по первому входу микросхемы определяют по формуле

Входной ТОК /_ВХ2 по второму входу микросхемы определяют по формуле

Е' у _tUtt

Лх₂=^(Д-^ ).

Средний входной ток /_вхср микросхемы определяют по формуле

! -^К1^К2_(Е'" е") ^+/вх2

^вх.ср- щ А )- ₂

Входной ток для микросхемы с одним входом определяют по формуле ДЛЯ 1_т.

Метод 250 1. Измерение входных токов (Z_M , 1_т), среднего входного тока (Z_Bxcp) и разности входных токов (А/_х) с автоматической балансировкой с помощью вспомогательного усили­теля.

Измерение 7_вх, , /_вхср, Д/_х проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5.

Сопротивление резисторов R должно быть меньше значения входного сопротивления испытуемой микросхемы и в 100 раз больше значения сопротивления R_{ резистора. Требования к источнику напря­жения устанавливают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Ос­тальные требования к элементам структурной схемы должны соответствовать требованиям, указанным в методе 1581.

При измерении размыкают переключатели В1 и В2 и измеряют значение и измерителем 1 (см. черт. 5). При измерении I , I , 1_тср размыкают переключатель В1, замыкают переключатель В2 и измеряют значение (у” измерителем 1. Потом замыкают переключатель В1, размыкают переключа­

тель В2 и измеряют значение U і измерителем 1.

Разность входных токов А/_х определяют по формуле

А7_ВХ = ^Г^-, где К = --^^2
вхR /?2^+/г4’

Входной ток I по первому входу микросхемы определяют по формуле

I —к%-

•* RY 1 Л - ^BX1R

Входной ток / по второму входу микросхемы определяют по формуле

ttt

^вх2 _R

Средний входной ток /_вхср микросхемы определяют по формуле и ш г ^ВХ1⁺^ВХ2

'вхср-Л _2R - 2

Методы 250 0, 250 1. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 250 2, 251 0—2 5 1 2. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 252 0. Измерение выходного тока (/ ).

Для измерения /_вых измеряют выходное напряжение U (метод 1610). Выходной ток определяют по формуле

Т -- ^вых ¹ ВЫХ п ^Лн

Метод 2530. Измерение максимального ВЫХОДНОГО тока (^ыхтах^ ^микР^{осхем с} одним входом.

Измерение / max проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Для определения / _ых положение переключателей показано на черт. 1.

Изменяя напряжение входного синусоидального сигнала при номинальном значении сопротив­ления нагрузки, указанном в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, устанавливают на выходе напряжение U , которое измеряют по методу 1620.

ВЫХ. П1аХ

После этого заменяют сопротивление нагрузки резистором , указываемом в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют значение £/_вых.

Максимальный выходной ток определяют по формуле

г _ ^вых ¹ вых. max “ '

Xi

Метод 2531. Измерение максимального выходного тока (/_выхтах) для микросхем с двумя входами.

Для определения 7_{вых тах} при номинальном значении сопротивления нагрузки на выходе микро­схемы устанавливают максимальное выходное напряжение Ц,_Ь|хтах, измеренное по методу 1621.

Заменяют сопротивление нагрузки резистором , указанным в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют выходное напряжение и_вых. Максимальный выходной ток определяют по формуле !

т _ ^вых

¹ вых.тах ^— '

Метод 254 0. Измерение минимального выходного тока (/_выхтш)'

Для определения 7_выхтіп измеряют минимальное выходное напряжение Ц,ыхтт (^мет°Д 1630 или 1631).

Минимальный выходной ток определяют по формуле

т _ ^вых.тіп

¹ вых.min _D

^Лн

Метод 255 0. Измерение тока утечки на входе (выходе) (Z и 7 ^).

Измерение I и I _BWl проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов.

Размыкают переключатель В2, закрывают входную (выходную) цепь микросхемы и измеряют падение напряжения Af/на резисторе R_} (выходное напряжение микросхемы U_Bba)- Ток утечки на выходе (входе) определяют по формулам

т -^^и

■'ут.вх - д ;

г _ ^вых 'упвых- •

Методы 253 0—2 5 5 0. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 256 0. Измерение входного (выходного тока) покоя (7_х0 и 7_вых0).

Измерения /_вх0 и /_{вых 0} проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

Размыкают переключатель В2 и при С7_вх = 0 измеряют падение напряжения Д U на резисторе R_{ (выходное напряжение микросхемы U_Bba).

Входной (выходной) ток покоя определяют по формулам

г 'вх.о~ п ;

f т _ ^вых ¹ ВЫХ.О ~ П

Метод 257 0. Измерение тока потребления (Z_nom).

Измерение Z_nom проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 12.

Измерители постоянного тока должны являться короткозамкну­тыми цепями. При применении генератора напряжения его параметры должны соответствовать указанным в стандартах или технических усло­виях на микросхемы конкретных типов.

Для измерения Z_noin в точках А, Б, В, . .., N должен быть обеспе­чен режим питания микросхемы, указанный в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов. Точки потребления Z„„„ , I „„ ..., I измеряют измерителями токов.

1. М е²т о д ы 2 5 7 1-2 5 90. (Исключены, Изм. № 2). Методы 260 0—2 6 1 0. (Исключены, Изм. № 5). Метод 262 0. Измерение тока срабатывания (Z_cp6). Измерение Z_cp6 проводят согласно структурной схеме, приведен­ной на черт. 8.

Увеличивают управляющее напряжение E_v начиная от Е <[7_срб, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы кон­кретных типов, до значения , при котором происходит включение микросхемы, то есть скачкообразное изменение выходного напряжения. При этом измеряют значение тока, потребляемого от источника Е_{. Значение этого тока в момент срабатывания микросхемы равно /_срб.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 263 0, 263 1. (Исключены, Изм. № 2).

4

Черт. 12

1, 10, 11 — измерители постоян­ного напряжения; 3, 7, 8 — ис­точники питания; 4, 6, 9 — из­мерители постоянного тока; 2 — генератор напряжения; 5 — мик­росхема

. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ, ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ
МОЩНОСТИ (класс 3000)

Метод 350 0. Измерение потребляемой мощности (Р_пот).

Для измерения Р_пот измеряют токи, потребляемые микросхемой (метод 2570).

Потребляемую мощность определяют по формуле

р_пот = + z₂e, +... ЦЕ_п,

где Z_p Z₂... 1_а — токи, протекающие через выводы питания микросхем;

E_vЕ₂... Е_п — напряжения питания на выводах микросхемы.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 3510. Измерение максимальной потребляемой мощности (Р_{пот тах}).

Максимальную потребляемую мощность измеряют при работе микросхемы в предельном режиме по потреблению (метод 3500).

Метод 352 0. Измерение рассеиваемой мощности (Р^).

Для измерения Р_рас определяют потребляемую МОЩНОСТЬ Р_пот (метод 3500) и выходную мощность Р_вых (метод 3530). Рассеиваемую мощность определяют по формуле

Р = Р - Р .
рас пот вых

Метод 353 0. Измерение выходной мощности (Р_вых) и максимальной выходной мощности (■^вых.тах)’

Структурная схема для измерения Р_вых, Р_выхтах приведена на черт. 13.

1. — генератор переменного напряжения;

2. — микросхема; 3 — источник питания;

4. — измеритель переменного напряжения;

5. — измеритель гармоник

Черт. 13

Измерение проводят в диапазоне низких частот. Значение частоты указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Конденсаторы С1 и С2 должны быть корот­козамкнутой цепью на заданной частоте f

Предельное отклонение сопротивления нагрузки от заданного в стандартах или технических усло­виях на микросхемы конкретных типов должно быть в пределах ±1 %. Измеритель 5 должен обеспечи­вать измерение коэффициента гармоник в диапазоне от 1 до 5 гармоники, при этом погрешность измерителя должна быть в пределах ±10%.

Для проведения измерения выходное напряжение генератора 1 повышают до получения значения 17_вых, указанного в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, или такого выходного напряжения U_twim!a, при котором получают коэффициент гармоник A"_rmax, указан­ный в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Выходную мощность и максимальную выходную мощность определяют по формулам:

U²U²

р — ^v вых р _ ^v вых.max

■*вых п ’ ^г вых. max п

^Ян ^Лн

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 354 0. (Исключен, Изм. № 2).

5. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,
   ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ЧАСТОТЫ (класс 4000)

Метод 450 0. Измерение полосы пропускания (А/), верхней (^)и нижней (f_H) граничных частот.

Измерения А/ проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления К_у1] данной микросхемы (методы 6500—6504). На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, напряжение и частоту которого указывают в стандартах или технических условиях на микро­схемы конкретных типов, при этом измеряют переменное напряжение на выходе микросхемы и_еых■

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения и_вых =0,707 и_яых, при этом регистрируют частоту входного сигнала (верхнюю граничную частоту/_в). При необходимости микро­схему балансируют с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. Затем плавно уменьшают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор, пока напряжение на выходе микросхемы уменьшится до значения U'вых =0,707 С/_вых ■ При этом регистрируют частоту входного сигнала (нижнюю граничную частоту^).

Полосу пропускания микросхемы определяют по формуле ^д/ = /_в.-/_и.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 4510. Измерение центральной частоты (Q.Измеряют верхнюю/_в и нижнюю^ граничные частоты микросхемы (метод 4500). Центральную частоту полосы пропускания определяют по формуле

Метод 452 0. Измерение частоты единичного усиления (Д).

Измерение/j микросхемы с одним выходом проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 15.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требо­ваниям

X_r<R. , R <R<R R.-R,', R « R,,

C[ 2’ ВЫХ 2 BX’ 1 2’ ВЫХ.Г 2’

где R^ ~ выходное сопротивление генератора.

Измерение микросхем с двумя выходами проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 16.

1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сиг-
налов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — осцил-
лограф; 6 — измеритель переменного напряжения

Черт. 15

1 — измеритель переменного напряжения; 2 — генератор сигналов; 3 — микросхема; 4 — источник питания; 5 — вспомогательный уси­литель; 6 — измеритель переменного напряжения