Группа Э29


УДК 621.382.3.083.8:006.354

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

Т

18604.5-74*

РАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера.

Transistors. Method for measuring (СТ СЭВ 3998—83)

collector-emitter reverse current взамен

ГОСТ 10865—68

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен

с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок дей­ствия продлен

до 01.01.gf £?

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзи­сторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор—эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор—эмиттер и коротко­замкнутых выводах эмиттера и базы 7ces; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером 7cer; при заданном обратном напряжении эмиттер—база I сех) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998—83 в части измерения обратного тока коллектора-эмиттера (справочное приложение);

Общие условия при измерении обратного тока коллектора-эмит­тера должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. АППАРАТУРА

    1. Измерительные установки, в которых используются стре­лочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной по­грешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей

Издание официальное


Перепечатка воспрещена


* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменениями Л< 1, 2, утвержденными в сентябре 1980 г., апреле 1984 г.

(ИУС 7—80, 8—84).

части шкалы, если это значение не менее 0,4 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от изме­ряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного от­счета.

Для импульсного метода измерения обратного тока коллекто­ра-эмиттера при использовании стрелочных приборов основная по­грешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, для цифровых приборов — в пределах ±10% от изме­ряемого значения ±1 знак младшего разряда дискертного от­счета.

  1. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

    1. Структурная электрическая схема для измерения обратно­го тока коллектора-эмиттера должна соответствовать указаной на чертеже.

ИП1—измеритель постоянного тока; ИШ—измеритель постоянного напря­жения; Uc —напряжение источника питания коллектора; —резистор в цепи базы; Г—испытуемый транзистор; U ВЕ —напряжение источника пита­ния эмиттер-база.



(Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. Основные элементы, входящие в схему, должны соответст­вовать требованиям, указанным ниже.

    1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении из­мерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5% от по­казаний измерителя постоянного напряжения ИП2.

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 превышает 5%', то необходимо увеличить напряжение источника питания Uc на значение, рав-

ное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерите­ля постоянного тока ИП1.

  1. Пульсация напряжения источника постоянного тока кол­лектора не должна превышать 2% •

Значения напряжения С/с и напряжения С/ве указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения ИП2.

    1. Значение сопротивления резистора в цепи базы Rb дол­жно соответствовать номинальному значению, указанному в стан­дартах или технических условиях на транзисторы конкретных ти­пов с погрешностью в пределах ±2%.

    2. 2.2.3. (Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. Допускается проводить измерение обратного тока коллек­тора-эмиттера мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят по схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

  1. Длительность импульса ти должна выбираться из соот­ношения

ти>Юі:,

где т=/?г-CQ;

Rr — включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление внешней цепи (в этом числе внутреннее сопротивление генератора импульсов);

Сс — емкость коллекторного перехода испытуемого транзи­стора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных ти­пов.

  1. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Дли­тельность фронта импульса генератора тф должна быть

  2. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

  3. Параметры импульсов должны быть указаны в стандар­тах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

  1. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

  1. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

    1. Обратный ток коллектора-эмиттера измеряют следующим образом. От источника постояннго тока на коллектор транзистора подают напряжение t/c и с помощью измерителя постоянного то­ка ИП1 измеряют обратный ток коллектора-эмиттера.

Допускается измерять обратный ток коллектора-эмиттера по значению падения напряжения на калибровочном резисторе RK, включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблю­даться соотношение

^к'^СЕ-^О.ОбІ/с

Если падение напряжения на резисторе RK превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение U с на значение, равное паде­нию напряжения на резисторе RK.

  1. Порядок проведения измерения обратного тока коллекто­ра-эмиттера импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.

  2. При измерении обратного тока коллектора-эмиттера им­пульсным методом должно быть исключено влияние выброса нап­ряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал вре­мени не мене 3 Тф с момента начала импульса.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.5—74 СТ СЭВ 3998—83
ГОСТ 18604.5—74 соответствует разд. 3 СТ СЭВ 3998—83.

(Введено дополнительно, Изм. № 2).

1