Продолжение
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
60. Выходная мощ ность биполярного транзистора
|
Рвых |
Pout |
Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
|
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
|
р |
вР tot |
Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
|
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора
|
Р ср |
Pav |
Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
|
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
|
р„ |
Pm |
|
|
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
|
Рк |
Pc |
Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
65. Средняя рассеиваемая мощность коллекто- |
Fk. с. |
Pc(AV) |
Усредненное за период значение мощности, рас- |
ра
|
|
|
сеиваемой на коллекторе транзистора |
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power |
РВЫХ, П, О |
|
Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотоно- вогб, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами |
656. Коэффициент комбинационных составляю- |
Мз |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения |
щих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor |
|
|
комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** |
м5 |
|
Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора D. Maximal zuliissiger Kollektorgleichstrom |
/к шах |
7с max |
|
П родолжение
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|||
отечественное |
международное |
||||
|
|
|
|
||
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера
' F. Courant continu d’emetteur maximal |
max |
max |
|
||
68. Максимально допустимый постоянный ток базы
|
Б max |
/в max |
|
||
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора
|
и max |
^СМ max |
|
||
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера
|
'э, и max |
/EM max |
|
||
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения
|
7К нас max |
C sat max |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
* Определение |
|
отечественное |
международное |
||
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения
|
7- Б нас max |
•/В sat max |
— |
73. Максимально допустимое. постоянное напряжение эмиттер-база
base (d. c.) voltage F. Tension continue cmetteur-base maximale |
^ЭБ max |
Ueb max |
• |
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база
collecteur-base maximale |
^КБ max |
Uqe max |
|
. 75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор- эмиттер
collecteur-emetteur maximale |
^КЭгпах |
t^CE max |
|
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор- эмиттер D. Maximal zuliissige Kollektor-Emitter- Impulsspannung |
^КЭ, и max |
UCEM max |
П родолжение
Термин |
'Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
77. Максимально допу- |
^КБ, и max |
САзвм max |
|
стимое импульсное напряжение коллектор-база
78. Максимально допу- |
PК max |
PC max |
|
стимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
79. Максимально допу- |
PK, cp max |
|
|
стимая средняя рассеиваемая мощность коллектора
|
|
|
9 |
П родолжепае
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора
|
Pи max |
PM max |
|
В схеме с общей базой или обшим эмиттером добавляется индекс соответственно «б» или «э» для отечественных буквенных обозначений и «Ь» и «е» для международных обозначений. t
* Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
• Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс «шах».АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения биполярного транзистора 40
Время выключения биполярного транзистора 41
Врмя задержки для биполярного транзистора 36
Время нарастания для биполярного транзистора 37
Время рассасывания для биполярного транзистора 38
Время спада для биполярного транзистора 39
Емкость биполярного транзистора входная 27
Емкость биполярного транзистора выходная 28
Емкость коллекторного перехода 44
Емкость обратной связи биполярного транзистора 28а
Емкость эмиттерного перехода 43
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора 65в
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора 656
Коэффициент насыщения биполярного транзистора 33
Коэффициент обратной передачи напряжения 47
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала 15
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора 46
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора 49
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала 16
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора 20
Коэффициент полезного действия коллектора 35
Коэффициент прямой передачи напряжения 48
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора 34
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный 34а
Коэффициент шума биполярного транзистора 32
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный 32а
Крутизна прямой передачи биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером статическая 26
Крутизна передаточной характеристики статическая 26
Крутизна характеристики статическая 26
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора при высокой частоте 17
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора 24
Мощность биполярного транзистора выходная 60
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная 63
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая ‘ 80
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная 61
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя 62
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная 65з
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная 64
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая 78
Мощность коллектора рассеиваемая средняя 65
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая 79
Напряжение биполярного транзистора граничное 6
Напряжение коллектор—база импульсное максимально допустимое 77
Напряжение коллектор—база постоянное 58
Напряжение коллектор—база постоянное максимально допустимое 74
Напряжение коллектор—база пробивное 12
Напряжение коллектор—эмиттер импульсное максимально допустимое 76
Напряжение коллектор—эмиттер постоянное 59
Напряжение коллектор—эмиттер постоянное максимально допустимое 75
Напряжение коллектор—эмиттер пробивное 13
Напряжение насыщения база—эмиттер 8
Напряжение насыщения коллектор—эмиттер 7
Иапряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера 6 •