---

Аппликация или локальное изменение структу­ры ЦМД-материала, предназначенные для соеди­нения прямолинейных участков схемы продвиже­ния цилиндрических магнитных доменов при из­менении их направления продвижения

Локализованная зона ЦМД-кристалла с .мень­шим значением напряженности магнитного поля смещения, вызванная существованием магнитных полей, параллельных и противоположно направ­ленных полю смещения, и служащая для удер­жания цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для зарождения цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, осу­ществляющий подготовку ЦМД-сигнала к регист­рации и преобразование его в электрический вы­ходной сигнал микросборки ЦМД

Часть узла считывания микросборки ЦМД, предназначенная для формирования выходного сигнала микросборки ЦМД

Часть детектора ЦМД, предназначенная для выделения ЦМД-сигнала и преобразования его в электрический сигнал

Часть детектора ЦМД, предназначенная для компенсации электрического сигнала, наводимого в рабочем детекторе ЦМД вращающимся маг­нитным поле

м

Ч

53. Расширитель ЦМД
Расширитель

54. Аннигилятор ЦМД Аннигилятор

55. Регистр хранения ин­формации микросборки ЦМД

Регистр хранения

Ндп. Минорная петля Bubble storage loop Minor loop

54. Регистр ввода-вывода информации микросбор­ки ЦМД

Регистр ввода-вывода Ндп. Мажорная петля Major loop

54. Регистр ввода информа­ции микросборки ЦМД Регистр ввода

асть узла считывания микросборки ЦМД, осу­ществляющая растягивание цилиндрического маг­нитного домена в полосовой домен с целью уве­личения выходного сигнала микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для уничтожения цилиндрических магнитных доменов

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для накопления и хранения цилин­дрических магнитных доменов

Ф

58. Регистр вывода инфор­мации микросборки ЦМД

Регистр вывода

58. Репликатор ЦМД Репликатор Bubble replicator Replicate gate

59. Переключатель ввода- вывода ЦМД

Переключатель ввода- вывода

Ндп. Трансфер ввода- вывода

58. Переключатель вывода ЦМД

Переключатель вывода Ндп. Трансфер вывода Transfer out

Read gate

58. Переключатель ввода ЦМД

Переключатель ввода Ндп. Трансфер ввода Transfer in Write gate

ункциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для связи элементов управления ци­линдрическими магнитными доменами с регист­рами хранения информации при записи и считы­вании информации

Часть регистра ввода-вывода информации мик­росборки ЦМД или самостоятельный регистр, осу­ществляющий передачу информации от генера­тора ЦМД в регистры хранения информации микросборки ЦМД

Часть регистра ввода-вывода информации мик­росборки ЦМД или самостоятельный регистр, осуществляющий передачу информации из реги­стров хранения к узлу считывания микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для деления цилиндрического маг­нитного домена на два, а также для ввода ци­линдрического магнитного домена в регистр хра­нения и вывода из него

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для ввода информации в виде нали­чия или отсутствия цилиндрического магнитного домена в регистры хранения информации микро­сборки ЦМД и вывода информации из них

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для вывода информации из регист­ров хранения в регистр вывода или регистр вво­да-вывода информации микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для перевода информации из реги­стра ввода или регистра ввода-вывода в регистр хранения информации микросборки ЦМДФ

63. Обменный переключа­тель ЦМД

Обменный переключа­тель

Swap gate

63. Реверсивный переключа­тель ввода-вывода ЦМД Реверсивный переключа­тель ввода-вывода

64. Защитный массив ЦМД-кристалла

Защитный массив

ункциональный узел ЦМД-кристалла, пред­назначенный для обмена информацией между ре­гистром хранения и регистром ввода-вывода ин-- формации микросборки ЦМД

Функциональный узел ЦМД-кристалла, осу­ществляющий функции переключателя ввода или переключателя вывода ЦМД при изменении на­правления вращающегося магнитного поля

Совокупность ферромагнитных аппликаций и (или) локальных изменений структуры ЦМД- кристалла, охватывающих рабочую зону ЦМД- кристалла для ее экранирования и вывода неин­формационных ЦМД

ОРГАНИЗАЦИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД

О

66. Последовательная струк­тура микросборки ЦМД Последовательная структура

67. Последовательно- параллельная структура микросборки ЦМД Последовательно-па­раллельная структура

68. Структура микросборки ЦМД с замкнутым ре­гистром ввода-вывода Структура с замкну­тым регистром ввода- вывода

69. Структура микросборки ЦМД с раздельными регистрами ввода-выво­да

Структура с раздель­ными регистрами вво­да-вывода

66. Структура микросборки ЦМД с обменным пе­реключателем

Структура с обменным переключателем

66. Структура микросборки ЦМД с блочным реп- лицированием

Структура с блочным реплицированием

рганизация микросборки ЦМД в виде одного автономного регистра хранения информации мик­росборки ЦМД

Организация микросборки ЦМД в виде сово­купности регистров хранения информации микро- оборки ЦМД, объединенных регистром или ре­гистрами ввода и вывода информации микросбор­ки ЦМД

Последовательно-параллельная структура мик­росборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены одним замкнутым регистром ввода- вывода информации микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура мик­росборки ЦМД, в которой регистры хранения объединены раздельными регистрами ввода и вы­вода информации микросборки ЦМД

Последовательно-параллельная структура мик­росборки ЦМД с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации микросборки ЦМД

ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСБОРКИ НМД

М

72. Вращающееся магнит­ное поле микросборки ЦМД

Вращающееся магнитное поле

Rotating magnetic field

72. Магнитное поле смеще­ния микросборки ЦМД Поле смещения Bias magnetic field

73. Поле управления ЦМД

агнитное поле, вектор напряженности кото­рого вращается в плоскости ЦМД-кристалла, слу­жащее для продвижения цилиндрических магнит­ных доменов

Постоянное магнитное поле, создаваемое си­стемой постоянных магнитов микросборки ЦМД, перпендикулярное плоскости ЦМД-кристалла

П

75. Страница данных мик-
росборки ЦМД
Страница данных

еременное магнитное поле, возникающее в ЦМД-кристалле при подаче импульсов тока в элементы управления и осуществляющее функ­циональные операции с цилиндрическими магнит­ными доменами при наличии вращающегося маг­нитного поля микросборки ЦМД

П

76. Дефектный регистр хра­нения информации мик­росборки ЦМД Дефектный регистр A map of defective loop

77. Резервные регистры хранения информации микросборки ЦМД Резервные регистры Redundant gate

78. Служебные регистры хранения информации мнкросборки ЦМД Служебные регистры

оследовательность информационных ЦМД, определяемая количеством регистров хранения информации микросборки ЦМД и выводимая из регистров хранения в одном такте вращающегося магнитного поля

Регистр хранения информации микросборки ЦМД, имеющий технологический дефект и не­способный накапливать и хранить цилиндрические магнитные домены

Избыточные регистры хранения информации микрооборки ЦМД, предусматриваемые при про­ектировании ЦМД-кристалла, за счет которых обеспечивается, при наличии дефектных регист­ров, номинальная информационная емкость мик­росборки ЦМД

Избыточные регистры хранения информации микросборки ЦМД> предусматриваемые при про­ектировании ЦМД-кристалла, используемые по усмотрению потребителя для обнаружения и ис­правления ошибок и хранения карты дефектных регистров

П

79. Карга дефектных реги­стров хранения инфор­мации

Карта дефектных реги­стров

79. Режим «старт-стоп» микросборки ЦМД Режим «старт-стоп»

еречень номеров дефектных регистров хране­ния информации микросборки ЦМД

Режим работы и контроля микросборки ЦМД, при котором вращающееся магнитное поле оста­навливается в определенной фазе, с которой в дальнейшем оно возобновляется.

Примечание. При остановке вращающегося магнитного поля сохранность информации обес­печивается удерживающим полем

П

81. Удерживающее поле

микросборки ЦМД
Удерживающее поле

роекция поля смещения в плоскости ЦМД- кристалла, получаемая наклоном ЦМД-кристалла к плоскости постоянных магнитов и служащая для сохранения информации при отключении пи­тания микросборки ЦМД

Э

82. Электронное обрамле-
ние ЗУ на ЦМД

ЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ РАБОТУ МИКРОСБОРКИ НМД

С

83. Линейное обрамление ЦМД-накопителя Линейное обрамление Ндп. Ближайшее обрам­ление

84. Контроллер ЗУ на ЦМД Контроллер

Bubble memory control­ler

истема функциональных электронных блоков, обеспечивающая функционирование микросборок ЦМД и ЦМД-накопителей и их совместимость с внешними устройствами

Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая формирование токов управления функциональными узлами ЦМД-кристалла и уси­ление выходных сигналов микросборки ЦМД

Часть электронного обрамления ЗУ на ЦМД, обеспечивающая заданные режимы работы за­поминающего устройства на цилиндрических маг­нитных доменах и организацию связи с интерфей­сом внешних систем

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСБОРОК ЦМД

И

85. Одноуровневое исполне­ние ЦМД-кристалла

86. Многоуровневое испол­нение ЦМД-кристалла

87. Планарное исполнение ЦМД-кристалла

88. Непланарное исполнение ЦМД-кристалла

89. Квазипланарное испол­нение ЦМД-кристалла

сполнение ЦМД-кристалла, при котором фун­кциональные узлы и коммутационную разводку изготавливают из пермаллоевого слоя на одном уровне

Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором все магнитопленочные элементы рас­полагаются в одном уровне

Многоуровневое исполнение ЦМД-кристалла, при котором часть магнитопленочных элементов приподнята над токовыми элементами управления

Многоуровневое построение ЦМД-кристалла, при котором геометрический рельеф топологиче­ского элемента сглаживается диэлектрическим слоем более чем на половину толщины элемента

ПАРАМЕТРЫ МИКРОСБОРКИ ЦМД

И

90. Время считывания стра­ницы данных микросбор­ки ЦМД Т_сч

Время считывания стра­ницы

нтервал времени, в течение которого все ци­линдрические магнитные домены страницы дан­ных проходят через детектор ЦМДЗ

91. Выходное напряжение высокого уровня микро­сборки ЦМД (/‘вых Выходное напряжение высокого уровня

92. Выходное напряжение низкого уровня микро­сборки ЦМД (/°вых Выходное напряжение низкого уровня

93. Среднее время выборки микросборки ЦМД

Тв.СР

Среднее время выборки Ндп. Среднее время по­иска информации

91. Период вращающегося магнитного поля микро­сборки ЦМД Граб Период вращающегося магнитного поля

92. Рабочая частота микро­сборки ЦМД f_pa6 Рабочая частота

93. Потребляемая мощность микросборки ЦМД Р_пот Потребляемая мощность

94. Область устойчивой ра­боты микросборки ЦМД

начение напряжения высокого уровня на вы­ходе .микросборки ЦМД при считывании инфор­мации

Значение напряжения низкого уровня на вы­ходе микросборки ЦМД при считывании инфор­мации

Время выборки первого бита средней страни­цы данных микросборки ЦМД

Интервал времени, за который вектор вращаю­щегося магнитного поля микросборки ЦМД де­лает поворот на 36(У

Ч

98. Рабочий диапазон тем­ператур микросборки ЦМД АТ раб

Рабочий диапазон тем­ператур

98. Диапазон температур хранения информации микросборки ЦМД АТхр Диапазон температур хранения информации

астота вращающегося магнитного поля мик­росборки ЦМД

Средняя мощность, потребляемая микросбор­кой ЦМД при наиболее характерном режиме об­ращения к микросборке ЦМД

Совокупность значений параметров імикросбор- ки ЦМД в допустимых пределах их изменений, обеспечивающая функционирование микросборки ЦМД

Диапазон температур окружающей среды или на корпусе .микросборки ЦМД, при котором обеспечиваются требуемые характеристики мик­росборки ЦМД

Диапазон температур, пребывание в кото­ром микросборки ЦМД с записанной инфор­мацией и отключенным питанием не вызывает потерь информации

ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМА ЭКСПЛУАТАЦИИ И ИЗМЕРЕНИИ МИКРОСБОРКИ ЦМД

А

100. Ток управления микро-
сборки ЦМД 7_Х, /_у

Ток управления

мплитуда импульса тока, проходящего че­рез катушки вращающегося магнитного поля микросборки ЦМД