---

Выводы подвергают испытанию методом капельной установки. Выводы испытывают в точке, отстоящей на (5±1) мм от корпуса прибора. Проволочный вывод смачивают припоем в течение 2,5 с.

Критерии смачиваемости

При осмотре с 10-кратным увеличением погружаемая поверх­ность должна быть покрыта ровным блестящим слоем припоя с незначительными дефектами (приблизительно 5%), такими как проколы или несмачиваемые участки. Эти дефекты не должны быть сконцентрированы в одном месте.

Это испытание соответствует испытанию ТЬ с учетом следую­щих требований.

Метод

Используют метод 1А со временем погружения (10±1) с или метод 1В.

3. ВИБРАЦИЯ (СИНУСОИДАЛЬНАЯ)

Ссылка: СТ МЭК 68-2-6 (ГОСТ 28203).

Это испытание соответствует испытанию Fc с учетом следую­щих требований:

во время испытания корпус и выводы прибора должны быть надежно закреплены;

испытание на вибропрочность проводят методом качания частоты;

ускорение: 196 м/с² (20 g_n);

диапазон частот: 100—2000 Гц;

число циклов на ось: 15.

4. УДАР

Ссылка: СТ МЭК 68-2-27 (ГОСТ 28213).

Это испытание соответствует испытанию Еа с учетом следую­щих требований.

Соответствующие условия выбирают из приведенной ниже таб­лицы в зависимости от массы прибора и его внутренней конст­рукции.

П

Длительность,
мс

Форма импульса

0,5

1,0

6,0

Полусинусоидальная Полусинусоидальная Полусинусоидальная

иковая амплитуда, м/с² ( g_n )

14700 (1500)

4900 (500)

980 (100)

Прибор подвергают воздействию трех последовательных уда­ров в обоих направлениях по трем взаимно перпендикулярным осям, выбранным таким образом, чтобы вероятность выявления повреждения была наибольшей, т. е. в общей сложности должно быть 18 ударов [см. п. 5.2 Публикации МЭК 68-2-27 (ГОСТ 28213)].

Во время испытания корпус и выводы прибора должны быть надежно закреплены.

5. ЛИНЕЙНОЕ УСКОРЕНИЕ

Ссылка: СТ МЭК 68-2-7 (ГОСТ 28204).

Это испытание соответствует испытанию Ga с учетом следую­щих требований.

Крепление

В соответствии с п. 4 СТ МЭК 68-2-47 (ГОСТ 28231) при од­новременном закреплении корпуса и выводов.

Методика испытания

Если не оговорено иное, прибор должен подвергаться воздей­ствию ускорения в течение не менее I мин в обоих направлениях по трем основным осям.Предпочтительные степени жесткости:

196000 м/с² (20000g_n)—для приборов массой <10г;

19600 м/с² (2000 g_n) —для приборов массой 10—100 г;

4900 м/с² (500 gn) —для приборов массой >100 г.

Сведения, которые должны указывать в соответствующей НТД: 1) степень жесткости;

гл) оси и направления ускорения.

6. ИСПЫТАНИЕ НА ПРОЧНОСТЬ СОЕДИНЕНИЙ

   1. Общие положения

      1. Це л ь

Измерение прочности соединений или определение соответст­вия прочности соединений заданным требованиям.

Приводят описание следующих шести методов испытания, каж­дый из которых имеет свое назначение:

методы А и В предназначены для испытания внутренних сое­динений прибора на разрыв соединительной проволоки;

метод С предназначен для испытания внешних соединений прибора и представляет собой воздействие отслаивающей силы, приложенной между гибким или жестким выводом и платой или подложкой;

метод D предназначен для испытания внутренних соединений и представляет собой воздействие сдвигающей силы, приложенной между кристаллом и подложкой или между аналогичным образом соединенными поверхностями;

методы Е и F предназначены для испытания внешних соеди­нений и представляют собой воздействие сил «стаскивания» и «сталкивания», приложенных между кристаллом и подложкой.

Оборудование для данного испытания должно включать соот­ветствующий прибор, обеспечивающий приложение заданной си­лы к соединению, проволочному выводу или месту его крепления в соответствии с выбранным методом испытания, а также калиб­рованный в ньютонах (Н) прибор для измерения силы, приложен­ной в точке разрыва соединения. С помощью этого измеритель­ного прибора измеряют силу до 100 мН включительно с точно­стью ±2,5 мН, силу от 100 до 500 мН с точностью до ±5 мН и силу, превышающую 500 мН с точностью ±2,5% указанного зна­чения.

Данное испытание предназначено для определения прочности внутренних проволочных соединений с кристаллом, подложкой или с внешним выводом внутри корпуса полупроводниковых при

-боров, соединения которых выполнены пайкой, термокомпрессией, ультразвуком или другими аналогичными способами.

Проволочный вывод, присоединенный к кристаллу или под­ложке, разрезают так, чтобы к концам проволоки можно было приложить растягивающую силу. Если проволока короткая, то можно обрезать один ее конец почти у основания и проводить ис­пытание на разрыв с противоположного конца. Проволоку зажи­мают в соответствующем зажимном устройстве и прикладывают растягивающую силу к проволочному выводу или к прибору (с зажатым выводом). При испытании сварных соединений силу прикладывают перпендикулярно поверхности кристалла или под­ложки с отклонением в пределах 5°, при испытании стежковых соединений — параллельно поверхности кристалла или подложки с отклонением в пределах 5°.

Под проволочный вывод, соединяющий кристалл или подложку с внешним выводом, подводят крючок и прикладывают к нему растягивающую силу, при этом прибор крепят неподвижно. Рас­тягивающую силу прикладывают приблизительно к середине про­волочного вывода перпендикулярно поверхности кристалла или подложки или перпендикулярно прямой линии, проведенной меж­ду соединениями с отклонением в пределах 5°.

1. для определения годности прибора значение растягивающей силы, при которой происходит разрыв проволочного вывода или соединения, регистрируют и сравнивают со значением, приведен­ным в табл. 1, п. 6.6 (см. примечание к настоящему пункту);

2. для определения годности прибора можно использовать дру­гой метод: увеличивать растягивающую силу до заданного мини­мального значения (см. примечание). Если при этом не возникает разрыва проволочного вывода или соединения, считают, что при­бор выдержал испытание.

Примечание. При необходимости растягивающая сила должна быть изменена (например, для метода В) с учетом сведений, приведенных в прило­жении.

Б.2.2.5. Классификация отказов

При необходимости отказы допускается классифицировать сле­дующим образом:

3. разрыв проволочного вывода в месте утончения (уменьше­ние поперечного сечения при выполнении операции соединения);

4. разрыв проволочного вывода в любой другой точке, но не в месте утончения;

5. разрушение соединения (граница между проволочным вы­водом и металлизацией у кристалла);

6. разрушение соединения (граница между проволочным вы­водом и металлизацией) у подложки, у вывода корпуса или в лю­бой другой точке, но не у кристалла;

7. отслаивание металлизации от кристалла;

8. отслаивание металлизации от подложки или вывода кор­пуса;

9. трещина в кристалле;

10. трещина в подложке.

Примечание. Метод В не рекомендуется для измерения абсолютного значения прочности соединения (см. приложение). Однако его можно приме­нять для определения путем сравнения качества соединений в процессе изго­товления.

Данное испытание обычно применяют к внешним соединениям с корпусом прибора.

Гибкий или жесткий вывод и корпус прибора должны быть за­креплены или зажаты таким образом, чтобы усилие на отрыв прилагалось под заданным углом между гибким или жестким выводом и платой или подложкой. Если не оговорено иное, то си­лу прикладывают под углом 90°.

Классификация отказовПри необходимости отказы допускается классифицировать сле­дующим образом:

1. обрыв гибкого или жесткого вывода в месте деформации (участок, затронутый сваркой);

2. обрыв гибкого или жесткого вывода в точке, не подвергав­шейся воздействию при выполнении сварки;

3. разрушение границ соединения (в припое или в точке свар­ки между гибким (или жестким) выводом и контактной площад­кой на кристалле или подложке);

4. отрыв контактной площадки от платы или подложки;

5. трещина в плате или подложке.

Данное испытание обычно применяют к внутренним соединениям полупроводникового кристалла с подложкой, на которую он кре­пится одной из своих граней. Оно может быть также применено к соединениям между подложкой и кристаллодержателем или второй подложкой, на которую монтируют кристалл.

Соответствующий инструмент или клин подводят вплотную к кристаллу (или кристаллодержателю) в точке, находящейся не­посредственно над первой подложкой, и прикладывают силу, пер­пендикулярную одной из граней кристалла (или кристаллодер- жателя) и параллельно первой подложке с целью разрыва сое­динения путем сдвига.

При необходимости отказы допускается классифицировать сле­дующим образом:

1. разрушение материала соединения или его основания, если имеется;

2. трещина в кристалле (или кристаллодержателе) или в под­ложке (т. е. смещение части кристалла или подложки непосредст­венно под соединением);

3. отслаивание металлизации (т. е. отделение слоев металли­зации или основания соединения от кристалла (или кристаллодер- жателя или подложки).

Эти методы предназначены для испытания приборов с балоч­ными выводами.

Метод Е обычно применяют для технологического контроля и проводят на образце полупроводникового кристалла, прикреплен­ного к специально подготовленной подложке. Поэтому этот метод нельзя использовать для произвольно выбранных образцов или контролируемых партий.

Метод F обычно применяют для испытания образцов приборов с балочными выводами, прикрепленных к подложке из керамики или другого соответствующего материала.

При данном методе используют металлизированную подложку с отверстием. Соответствующим образом сцентрированное отвер­стие должно быть достаточно большим, чтобы обеспечивать сво­бодное прохождение приспособления для сталкивания, но не на­столько большим, чтобы затрагивать зоны соединений. Приспо­собление для сталкивания должно иметь достаточные размеры, чтобы свести к минимуму появление трещин в приборе во время испытания, однако оно не должно касаться балочных выводов в месте крепления.

Подложку жестко крепят, а приспособление для сталкивания вводят в отверстие. Приспособление для сталкивания вводят в соприкосновение с прибором без ощутимого толчка (менее 0,25 мм в минуту). К нижней поверхности прибора посредством этого приспособления прикладывают равномерно возрастающую силу до тех пор, пока не будет достигнуто значение, указанное в п. 6.5.5, или пока не произойдет отказ.