Страница 6: ГОСТ 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (74588)

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное

1. Прямое напряжение диода

—

Напряжение между выводами диода, обус­ловленное прямым то­ком

2. Обратное напря­

жение диода

—

—

Напряжение, прило­женное к диоду в обрат­ном направлении

3. Прямой ток диода

—

—

Ток, протекающий че­рез диод в прямом нап­равлении

4. Обратный ток дио­да

—

—

Ток, протекающий че­рез диод, обусловленный обратным напряжением

5. Предельно допус­тимое значение па­раметра полупро­водникового при­

бора

Значение параметра, заданное в нормативно­технической документа­ции, ограниченное воз­можностями данного ти­па прибора и обеспечи­вающее заданную на­дежность.

Примечания:

1. Предельно допусти­мое значение может быть максимально или минимально допусти­

мым.

2. Если речь идет о предельно допустимом значении параметра, то к термину следует доба­вить слова «максималь­но допустимый» или «ми­нимально допустимый» а к буквенному обозна­чению добавить индекс «шах» или «min»

Буквенное обозначение

Термин

русское

между­народное

Определение

6. Нестабильность па­раметра полупро­водникового при­бора

—

—

Модуль разности зна­чений параметра полу­проводникового прибо­ра при воздействии де­стабилизирующих фак­торов

7. Эффективная тем­пература перехода полупроводниково­го прибора

Температура, которая устанавливается на ос­нове упрощенных пред­ставлений о тепловых и электрических свойст­вах полупроводникового прибора и не всегда яв­ляется наивысшей в при­боре

8. Температура в кон­трольной точке по­лупроводникового прибора

/кон т кон ©кон

/ref T’ref ©ref

Температура, изме­

ренная в заданной точ­ке на (в) корпусе при­бора или в среде, окру­жающей или охлаждаю­щей прибор, выбранной для контроля параметра прибора

9. Температура корпу­са полупроводни­кового прибора

/кор Т кор ©кор

/case T case ©case

Температура в задан­ной контрольной точке на (в) корпусе полупро­водникового прибора

10. Температура окру­жающей среды

/окр т окр ©окр

Ґа /amb Tamb ©amb

Температура воздуха или газа, измеренная вблизи полупроводнико­вого прибора при усло­вии естественной кон­векции и при отсутст­вии влияния поверхнос­тей, излучающих тепло

11. Температура охла­ждающей среды

/охл Тохл

Id Td

Температура в задан­ной контрольной точке среды, охлаждающей

полупроводниковый при­бор, или его охладителя

12. Температура хра­нения

/хр Т'хр ©ХР

/stg T'stg ©stg

—

Буквенное обозначение

Термин

русское

между­народное

Определение

13. Показатель идеаль­ности вольт-ампер­ной характеристи­ки полупроводни­кового прибора

Параметр, характери­зующий качество полу­проводникового прибо­ра и определяемый по формуле

?(У.-П_г) п— - ■■ , ,

kT In ,

■/ 2

где q — заряд электро­на;

k — постоянная Больц­мана;

Т — температура в гра­дусах Кельвина;

/і, 1₂, U₂— точки и

соответствующие им на­пряжения на линейном участке зависимости

1g I_F=f(U_P)