Перейти до вмісту

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУ П РОВОДН И КОВЫ Е ФОТОЭЛ ЕКТРИ Ч ЕСКИ Е И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 21934-83

И Цена 25 коп.

здание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

ГОСТ 21934-83

Издание официальное

МОСКВА — 1Я85

© Издательство стандартов, 1985

У Группа ЭОО

ДК 0064:621.383.4.5:006.354

ГОСУДАРСТВЕН Н Ы Й СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

П ГОСТ 21934-83*

Взамен ГОСТ 21934—76, ГОСТ 22899—78

РИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА

Термины и определения

Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions

ОКСТУ 6250

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 срок введения установлен

с 01.07.84

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, тех­нике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных уст­ройств и термины, определения и буквенные обозначения фото­электрических параметров и характеристик.

Термины и буквенные обозначения, установленные стандар­том, обязательны для применения в документации всех видов, на­учно-технической, учебной и справочной литературе.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—80. в части фотоэлект­рических полупроводниковых приемников излучения (см. спра­вочное приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный тер­мин.

Применение терминов — синонимов стандартизованного тер­мина запрещается.

Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте при­ведены в качестве справочных краткие формы, которые разре­шается применять в случаях, исключающих возможность их раз­личного толкования. Установленные определения можно, при не­обходимости, изменять по форме изложения, не допуская нару­шения границ понятий.

Издание официальное


Перепечатка воспрещена

* Переиздание (декабрь 1984 г.) с Изменением № 1, утвержденным в августе 1984 г.; Пост. № 3073 от 31.08.84 (ИУС № 12—84).

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

В стандарте имеется справочное приложение, содержащее об­щие понятия, используемые в области фотоэлектрических полу­проводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.

Стандартизованные термины набраны полужирным шриф­том, их краткая форма — светлым.

Буквенное обозначение

Термин

Определение

ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

В 1. Фоточувствительный полу­проводниковый прибор

Fotoembfindliches Halblei- terbauelement

Photosensitive semiconduc­tor device

Dispositif semiconducteur photosensible

Фотоэлектрический полупро­водниковый приемник излучения

ФЭПП

Halbleiterfotoelement

Photoelectric semiconduc­tor detector

Dfetecteur a semi-conduc- teur photo£lectrique

3. Фотоприемное устройство ФПУ


Полупроводниковый при­бор, чувствительный к элект­ромагнитному излучению в видимой, инфракрасной м (или) ультрафиолетовой обла­стях спектра


Фоточувствительный полу­проводниковый прибор, прин­цип действия которого осно­ван на внутреннем фотоэф­фекте в полупроводнике


Фоточувствительный полу­проводниковый прибор, состо­ящий из фотоэлектрического полупроводникового приемни­ка излучения и схемы предва­рительного усиления фотояг- нала в гибридном или инте­гральном исполнении, объеди­ненных в единую конструк­цию


ИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

4. Многоспектральный фото­электрический полупроводнико­вый приемник излучения

Многоспектральный ФЭПП

D. Multispektralfotoempfan- ger


Фотоэлектрический полу­проводниковый приемник из­лучения, содержащий два я более фоточувствительных элементов с различными ди»-

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

Multi-band photodetector

Photodetecteur a plusieurs gammes

пазонами спектральной чувст­вительности

б. Одноэлементный фотоэлект­рический полупроводниковый при­емник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D. Einelementfotoempfanger

Single-element detector

Detecteur a element unique

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения, содержащий один фоточувствительный элемент

6. Многоэлементный фотоэлект­рический полупроводниковый

приемник излучения

Многоэлементный ФЭПП D. Vielelementfotoempfanger Е. Multi-element detector F. Detecteur multiple

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения с числом фоточувст- вительных элементов больше одного.

Примечание. Допу­

скается применять термин «.двух-, трех- четырехэле­ментный» фотоэлектричес­кий полу П р ов од ников ы й

приемник излучения

7. Координатный фотоэлектри­ческий полупроводниковый при­емник излучения

Координатный ФЭПП

Ortsempfindlicher Foto- empfanger

Position-sensitive detector

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения, по выходу сигнала которого определяют коорди­наты светового пятна на фото- чувствительной поверхности

8. Гетеродинный фотоэлектри­ческий полупроводниковый при­емник излучения

Гетеродинный ФЭПП

D. Uberlagerungsfotoemp- fanger

Heterodyne detector

Detecteur heterodyne

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения, предназначенный для гетеродинного приема излуче­ния

9. Иммерсионный фотоэлекірй- ческий полупроводниковый при­емник излучения

Иммерсионный ФЭПП

D. Immersionsfotoempfan- ger

Е. Immersed detector F. Detecteur a immersion

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения, содержащий иммер­сионный элемент

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна­родное

10. Фоторезистор

D. Fotowiderstand

Photoconductive cell

Cellule photoinductive

Фотоэлектрический полу­

проводниковый приемник из­лучения, принцип действия ко­торого основан на эффекте фотопроводимости

11. Фотодиод

D. Fotodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

Полупроводниковый диод с р—п переходом между двумя тилами полупроводнику или между полупроводником и ме­таллом, в котором поглоще­ние излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогаль­ванический эффект

12. p—i—n фотодиод D. Pin-Fotodiode E. Pin-photodiode F. Pin-Photodiode

Фотодиод, дырочная и элек­тронная области которого раз­делены слоем материала с проводимостью, близкой к соб­ственной

13. Фотодиод с барьером Шот-

D. Schottky-Fotodiode

E. Schottky-Barrier-Photodi- ode

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

Fotodiode mit Heterouber- gang

Heterojunction photodiode

Фотодиод, электронно-ды­рочный переход которого об­разован двумя полупроводни­ковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

Примечание. Пере­

ход может быть образован сложными полупроводнико­выми соединениями с изме­няющейся шириной запре­щенной зоны

16. Лавинный фотодиод

D. Lawinenfotodiode

Avalanche photodiode

Photodiode a avalanche

Фотодиод с внутренним уси­лением, принцип действия ко­торого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжекционный фотодиод

D. Injektionsfotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d’injection

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

Буквенное обозначение

-

Термин

русское

междуна­родное

Определение

Фототранзистор

Fototransistor

Phototransistor

Phototransistor ,

1(8. Полевой фототранзистор

Fotofeldeffeittransistor

Field effect phototransistor

Phototransistor a effet de

Транзистор, в котором ис­пользуется фотоэлектриче-

ский эффект

Фототра нзистор, ствительный элемент содержит структуру транзистора

фоточув- которого полевого

champ

19.

Биполярный фототранзястор

Bipolarfototransistor

Bipolar phototransistor

Phototransistor bipolaire

——

Фототранзиістор, ствительный элемент содержит структуру ного транзистора

фоточув- которого биполяр-

Охлаждаемый фотоэлектри­ческий полупроводниковый при­емник излучения

Охлаждаемый ФЭПП

Gekhhlter Fotoempfanger

Cooled detector

Photodetecteur refroidi

Фотоэлектрический полу­

проводниковый -приемник из­лучения, работающий со спе­циальной системой охлажде­ния для понижения темпера­туры фоточувствителБного

элемента

В Одноэлементное фотоприем­ное устройство

Одноэлементное ФПУ


Многоэлементное фотоприем­ное устройство с разделенными каналами

Многоэлементное ФПУ с разде­ленными каналами


Многоэлементное фотопрнем- ное устройство с внутренней ком­мутацией

Многоэлементное ФПУ с внут­ренней коммутацией


Фотоприемное устройство, в котором используется одно­элементный фотоэлектриче­ский полупроводниковый при­емник излучения

Фотоприемное устройство, имеющее два и более фото- чувствительных элемента, с независимой обработкой фото- сигнала, снимаемого с каждо­го элемента, и числом выхо­дов, раівным числу фоточувст- вительных элементов

Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в кото­ром происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства ме­ньше, чем число фоточувстви­тельных элементов


ИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

3 Зак. 3250

Охлаждаемое фотоприемное устройстве

Охлаждаемое ФПУ


Монолитное фотоприемное


устройство

Монолитное ФПУ


Гибридное фотоприемное уст­ройство

Гибридное ФПУ


Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется ох­лаждаемый фотоэлектричес­кий полупроводниковый при­емник излучения

Фотоприемное устройство, выполненное единым техноло­гическим циклом на едином кристалле или подложке

Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме ча­стей, полученных путем раз­личных технологических цик­лов

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

I

I

। междуна-

Г родное

24. Многоспектральное фотопри-

Фотоприемное устройство,

емное устройство

Многоспектральн-ое ФПУ

содержащее .многоспектраль- ный фотоэлектрический по­лупроводниковый приемник

излучения

26. Фоточувствительный полупро-

—.

Фоточувствительный полу-

юдниковый сканистор

проводниковый прибор, прин­цип действия которого ос-

новая на внутреннем непре­рывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды при­бора пилообразного напряже­ния развертки

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29. Режим ограничения флуктуа­циями числа фотонов фона фото­электрического полупроводни­кового приемника излучения

Побачили розбіжність з офіційним текстом?

Повідомити про неточність

Напишіть, що саме розходиться з офіційною публікацією. Код документа вкажіть у повідомленні — так ми швидше знайдемо потрібне місце.

Перейти до форми зворотного зв'язку

Дивіться також

Весь розділ →