ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ
ПОЛУ П РОВОДН И КОВЫ Е
ФОТОЭЛ ЕКТРИ Ч ЕСКИ Е
И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
И
Цена 25 коп.
здание официальноеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Издание официальное
МОСКВА — 1Я8
5© Издательство стандартов, 1985
У
Группа ЭОО
ДК 0064:621.383.4.5:006.354ГОСУДАРСТВЕН Н Ы Й СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
П
ГОСТ
21934-83*
Взамен
ГОСТ 21934—76,
ГОСТ 22899—78
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions
ОКСТУ 6250
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 срок введения установлен
с 01.07.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—80. в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. справочное приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов — синонимов стандартизованного термина запрещается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
Издание официальное
Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (декабрь 1984 г.) с Изменением № 1,
утвержденным в августе 1984 г.; Пост. № 3073 от 31.08.84
(ИУС № 12—84).В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется справочное приложение, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.
Буквенное
обозначение
Термин
Определение
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
В
1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор
Fotoembfindliches Halblei- terbauelement
Photosensitive semiconductor device
Dispositif semiconducteur photosensible
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
ФЭПП
Halbleiterfotoelement
Photoelectric semiconductor detector
Dfetecteur a semi-conduc- teur photo£lectrique
3. Фотоприемное устройство ФПУ
Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной м (или) ультрафиолетовой областях спектра
Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотояг- нала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию
4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Многоспектральный ФЭПП
D. Multispektralfotoempfan- ger
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два я более фоточувствительных элементов с различными ди»-
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
русское |
международное |
||
|
|
|
пазонами спектральной чувствительности |
|
б. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Одноэлементный ФЭПП D. Einelementfotoempfanger
|
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент |
|
6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоэлементный ФЭПП D. Vielelementfotoempfanger Е. Multi-element detector F. Detecteur multiple |
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения с числом фоточувст- вительных элементов больше одного. Примечание. Допу скается применять термин «.двух-, трех- четырехэлементный» фотоэлектрический полу П р ов од ников ы й приемник излучения |
|
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Координатный ФЭПП
|
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фото- чувствительной поверхности |
|
8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Гетеродинный ФЭПП D. Uberlagerungsfotoemp- fanger
|
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения |
|
9. Иммерсионный фотоэлекірй- ческий полупроводниковый приемник излучения Иммерсионный ФЭПП D. Immersionsfotoempfan- ger Е. Immersed detector F. Detecteur a immersion |
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный элемент |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
русское |
международное |
|||
|
10. Фоторезистор D. Fotowiderstand
|
— |
— |
Фотоэлектрический полу проводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости |
|
|
11. Фотодиод D. Fotodiode E. Photodiode F. Photodiode |
|
|
Полупроводниковый диод с р—п переходом между двумя тилами полупроводнику или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект |
|
|
12. p—i—n фотодиод D. Pin-Fotodiode E. Pin-photodiode F. Pin-Photodiode |
|
|
Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной |
|
|
13. Фотодиод с барьером Шот- D. Schottky-Fotodiode E. Schottky-Barrier-Photodi- ode |
|
|
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом |
|
|
14. Фотодиод с гетеропереходом
|
|
|
Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание. Пере ход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны |
|
|
16. Лавинный фотодиод D. Lawinenfotodiode
|
|
|
Фотодиод с внутренним усилением, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле |
|
|
16. Инжекционный фотодиод D. Injektionsfotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d’injection |
|
|
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда |
|
|
|
Буквенное обозначение |
- |
||
|
Термин |
русское |
международное |
Определение |
|
1(8. Полевой фототранзистор
|
— |
— |
Транзистор, в котором используется фотоэлектриче- |
||
|
ский эффект Фототра нзистор, ствительный элемент содержит структуру транзистора |
фоточув- которого полевого |
||||
|
|
champ |
||||
|
19. |
Биполярный фототранзястор
|
—— |
— |
Фототранзиістор, ствительный элемент содержит структуру ного транзистора |
фоточув- которого биполяр- |
Охлаждаемый ФЭПП
|
|
|
Фотоэлектрический полу проводниковый -приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствителБного элемента |
||
В
Одноэлементное фотоприемное устройство
Одноэлементное ФПУ
Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами
Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами
Многоэлементное фотопрнем- ное устройство с внутренней коммутацией
Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией
Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Фотоприемное устройство, имеющее два и более фото- чувствительных элемента, с независимой обработкой фото- сигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, раівным числу фоточувст- вительных элементов
Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов
3 Зак. 3250
Охлаждаемое фотоприемное устройстве
Охлаждаемое ФПУ
Монолитное фотоприемное
устройство
Монолитное ФПУ
Гибридное фотоприемное устройство
Гибридное ФПУ
Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке
Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
русское I |
I । междуна- Г родное |
||
|
24. Многоспектральное фотопри- |
— |
— |
Фотоприемное устройство, |
|
емное устройство Многоспектральн-ое ФПУ |
|
|
содержащее .многоспектраль- ный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения |
|
26. Фоточувствительный полупро- |
—. |
— |
Фоточувствительный полу- |
|
юдниковый сканистор |
|
|
проводниковый прибор, принцип действия которого ос- |
|
|
|
|
новая на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды прибора пилообразного напряжения развертки |
