ГОСТ 21934-83
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и устройства фотоприемные. Термины и определения
Безкоштовно, без реєстрації
ГОСТ 21934-83
Безкоштовно, без реєстрації
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУ П РОВОДН И КОВЫ Е ФОТОЭЛ ЕКТРИ Ч ЕСКИ Е И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
ГОСТ 21934-83
И Цена 25 коп.
здание официальное
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ Москва
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
ГОСТ 21934-83
Издание официальное
МОСКВА — 1Я85
© Издательство стандартов, 1985
У Группа ЭОО
ДК 0064:621.383.4.5:006.354
ГОСУДАРСТВЕН Н Ы Й СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
П ГОСТ 21934-83*
Взамен ГОСТ 21934—76, ГОСТ 22899—78
РИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms and definitions
ОКСТУ 6250
Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25 апреля 1983 г. № 2043 срок введения установлен
с 01.07.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств и термины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и характеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответствует СТ СЭВ 2767—80. в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. справочное приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов — синонимов стандартизованного термина запрещается.
Для отдельных стандартизованных терминов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
Издание официальное
Перепечатка
воспрещена
★
* Переиздание (декабрь 1984 г.) с Изменением № 1, утвержденным в августе 1984 г.; Пост. № 3073 от 31.08.84 (ИУС № 12—84).
В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется справочное приложение, содержащее общие понятия, используемые в области фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотоприемных устройств.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма — светлым.
Буквенное обозначение
Термин
Определение
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ
В 1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор
Fotoembfindliches Halblei- terbauelement
Photosensitive semiconductor device
Dispositif semiconducteur photosensible
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
ФЭПП
Halbleiterfotoelement
Photoelectric semiconductor detector
Dfetecteur a semi-conduc- teur photo£lectrique
3. Фотоприемное устройство ФПУ
Полупроводниковый
прибор, чувствительный к
электромагнитному излучению в
видимой, инфракрасной м (или)
ультрафиолетовой областях спектра
Фоточувствительный
полупроводниковый прибор, принцип
действия которого основан на
внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
Фоточувствительный
полупроводниковый прибор, состоящий
из фотоэлектрического полупроводникового
приемника излучения и схемы
предварительного усиления фотояг-
нала в гибридном или интегральном
исполнении, объединенных в единую
конструкцию
ИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ
ИЗЛУЧЕНИЯ
4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Многоспектральный ФЭПП
D. Multispektralfotoempfan- ger
Фотоэлектрический
полупроводниковый приемник излучения,
содержащий два я
более
фоточувствительных элементов с
различными ди»-
Термин
Буквенное обозначение
Определение
русское
международное
Multi-band photodetector
Photodetecteur a plusieurs gammes
пазонами спектральной чувствительности
б. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный ФЭПП
D. Einelementfotoempfanger
Single-element detector
Detecteur a element unique
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент
6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый
приемник излучения
Многоэлементный ФЭПП D. Vielelementfotoempfanger Е. Multi-element detector F. Detecteur multiple
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения с числом фоточувст- вительных элементов больше одного.
Примечание. Допу
скается применять термин «.двух-, трех- четырехэлементный» фотоэлектрический полу П р ов од ников ы й
приемник излучения
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Координатный ФЭПП
Ortsempfindlicher Foto- empfanger
Position-sensitive detector
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фото- чувствительной поверхности
8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Гетеродинный ФЭПП
D. Uberlagerungsfotoemp- fanger
Heterodyne detector
Detecteur heterodyne
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
9. Иммерсионный фотоэлекірй- ческий полупроводниковый приемник излучения
Иммерсионный ФЭПП
D. Immersionsfotoempfan- ger
Е. Immersed detector F. Detecteur a immersion
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный элемент
Термин
Буквенное обозначение
Определение
русское
международное
10. Фоторезистор
D. Fotowiderstand
Photoconductive cell
Cellule photoinductive
—
—
Фотоэлектрический полу
проводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
11. Фотодиод
D. Fotodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
Полупроводниковый диод с р—п переходом между двумя тилами полупроводнику или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект
12. p—i—n фотодиод D. Pin-Fotodiode E. Pin-photodiode F. Pin-Photodiode
Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной
13. Фотодиод с барьером Шот-
D. Schottky-Fotodiode
E. Schottky-Barrier-Photodi- ode
Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом
14. Фотодиод с гетеропереходом
Fotodiode mit Heterouber- gang
Heterojunction photodiode
Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Примечание. Пере
ход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны
16. Лавинный фотодиод
D. Lawinenfotodiode
Avalanche photodiode
Photodiode a avalanche
Фотодиод с внутренним усилением, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
16. Инжекционный фотодиод
D. Injektionsfotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d’injection
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
Буквенное обозначение
-
Термин
русское
международное
Определение
Фототранзистор
Fototransistor
Phototransistor
Phototransistor ,
1(8. Полевой фототранзистор
Fotofeldeffeittransistor
Field effect phototransistor
Phototransistor a effet de
—
—
Транзистор, в котором используется фотоэлектриче-
ский эффект
Фототра нзистор, ствительный элемент содержит структуру транзистора
фоточув- которого полевого
champ
19.
Биполярный фототранзястор
Bipolarfototransistor
Bipolar phototransistor
Phototransistor bipolaire
——
—
Фототранзиістор, ствительный элемент содержит структуру ного транзистора
фоточув- которого биполяр-
Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Охлаждаемый ФЭПП
Gekhhlter Fotoempfanger
Cooled detector
Photodetecteur refroidi
Фотоэлектрический полу
проводниковый -приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствителБного
элемента
В Одноэлементное фотоприемное устройство
Одноэлементное ФПУ
Многоэлементное
фотоприемное устройство с разделенными
каналами
Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами
Многоэлементное
фотопрнем- ное устройство с внутренней
коммутацией
Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией
Фотоприемное
устройство, в котором используется
одноэлементный фотоэлектрический
полупроводниковый приемник излучения
Фотоприемное устройство, имеющее два и более фото- чувствительных элемента, с независимой обработкой фото- сигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, раівным числу фоточувст- вительных элементов
Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов
ИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
3 Зак. 3250
Охлаждаемое фотоприемное устройстве
Охлаждаемое ФПУ
Монолитное
фотоприемное
устройство
Монолитное ФПУ
Гибридное
фотоприемное устройство
Гибридное ФПУ
Фотоприемное
устройство, в котором для обнаружения
и (или) измерения оптического излучения
используется охлаждаемый
фотоэлектрический полупроводниковый
приемник излучения
Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке
Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов
Термин
Буквенное обозначение
Определение
русское
I
I
। междуна-
Г родное
24. Многоспектральное фотопри-
—
—
Фотоприемное устройство,
емное устройство
Многоспектральн-ое ФПУ
содержащее .многоспектраль- ный фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения
26. Фоточувствительный полупро-
—.
—
Фоточувствительный полу-
юдниковый сканистор
проводниковый прибор, принцип действия которого ос-
новая на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды прибора пилообразного напряжения развертки
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Побачили розбіжність з офіційним текстом?
Збірник із 154 стандартів