Устройство запоминающее энергонезависимое
Устройство на магнитных сердечниках запоминающее
Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее
Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее
Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее Хранение данных
Цикл обращения к запоминающему устройству
Элемент запоминающий
Ячейка запоминающего устройства
Ячейка ЗУ
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Access cycle . 27
Access time 28
Adress unit 37
Associative access 24
Capacitor memory 17
Capacity 26
Core (ferrite) memory organisation 25
Cryogenic memory 13
Data transfer speed 30
Destructive read 33
Dynamic memory , 19
Dynamic test 43
External storage 8
Holding 36
Inductor memory 11
Atagnetic core memory 9
Magnetic domain device 16
Magnetic thin film memory 10
Memory unit 38
NDR 34
Non-destructive read 34
Nonvolatile memory 20
Optoelectronic memory 12
Plated wire memory 15
Programmed read-only memory 7
PROM 7
RAM 5
Random access 22
Random access memory 5
Read 32
Read-only memory 6
Refresh 35
ROM ■ 6
Semiconductor memory 14
Sensing unit 39
Sequential access 23
Static memory ' 18
Static test 41
Storage unit 1
Strage cell 3
Storage content 4
Storage element _ 2
Storage time ' 29
Volatile memory 21
Write 31
Writing unit 40Редактор В. С. Аверина
Технический редактор Э. В. Митяй
Корректор М. М. Герасименко
Сдано в наб. 26.06.86 Подп. в печ. 06.08.86 0,75 усл. п. л. 0,75 усл. кр.-отт. 0,61 уч.-изд. л.
Тираж 8000 Цена 3 коп.
Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, • Новопресненский пер., д. 3.
Вильнюсская типография Издательства стандартов, ул. Миндауго, 12/14. Зак. 3566.Издание официальное Перепечатка воспрещена
★
* Переиздание (январь 1986 г.) с Изменением № 1,
утвержденным в октябре 1985 г. (ИУС 1—86).
