ГОСТ 19480-89 сторінка 5 з 12
Продолжение табл. 1
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при высоком уройнё управляющего напряжения |
Ліот.в |
І сен |
Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня |
|
140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы Сопротивление в открытом состоянии |
Rotk |
^?ON |
Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале |
|
141. Время включения интегральной микросхемы Время включения |
^вкл |
Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения |
|
|
142. Время выключения интегральной микросхемы Время выключения |
^выкл |
toll |
^Інтервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения |
|
143. Время переключения интегральной микросхемы Время переключения |
^пер |
Цгап |
Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения |
|
144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе |
^ан A |
Uda |
Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения |
|
145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Емкость управляющего входа |
Свх.упр |
Ct |
Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через уи- равляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего |
|
Термиа |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечест’ венное |
международное |
||
|
этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) |
|||
|
146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы Емкость аналогового входа |
Свх.ав |
Cs |
Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) |
|
147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы Емкость аналогового выхода |
Свых.ан |
Cd |
Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) |
|
148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы Емкость между аналоговыми выходом и входом |
С в ьі х/вх .ан |
Cds |
Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канагіе (каналах) |
|
149. Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы Частота управляющего напряжения |
fi |
Частота напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы при зада н н ой с к в а ж и о с т и, п р и которой значения выходного напряжения низкого и высокого уровней удовлетворяют заданным значениям |
|
|
150. Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом |
Кпод.к |
Koott |
Отношение переменной 'составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения |
Продолжение табл. 1
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
отечественное |
международное |
||
|
151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала между каналами |
Клод |
Kdoh |
Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом Другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения |
|
152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент передачи по напряжению |
Кп |
Ки |
Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
153. Напряжение 1-го источника питания интегральной микросхемы
Напряжение 1-го источника питания
Uai
Ucci
Напряжение і-го источника питания, обеспечивающего работу интегральной микросхемы в заданном режиме.
і — по- источни-
-
Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы
Входное напряжение Низкого уровня
tf.L
-
Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы
Входное напряжение высокого уровня
Uis
Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы.
Примечание. Напряжение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение
Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы.
Примечание. Напряжение высокого уровня — наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение
Примечание, рядковый номер ка. 1= 1—
|
4Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
156. Прямое падение напряжения на днти- звонном диоде интегральной микросхемы Прямое падение напряжения на антизвон- ном диоде |
иав |
I/CDI |
Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод |
|
|
157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение высокого уровня |
ІАзн |
|||
|
158, Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение низкого уровня |
с'вых |
^OL |
||
|
159. Ток потребления і-го источника питания интегральной микросхемы Ток потребления і-го источника питания |
^ПОТ ї |
/ссі |
Ток, потребляемый интегральной микросхемой от t-ro источника питания в заданном режиме |
|
|
160. Динамический ток потребления интегральной микросхемы Динамический ток по- тоебления |
J ПОТ.ДИН |
/осе |
Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения |
|
|
161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы Входной ток низкого УРОВНЯ |
Al |
Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы |
||
|
162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня |
/’х |
Лн |
Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы |
|
|
163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня |
/он |
Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы |
||
|
Ї64. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня |
[° вых |
A)L |
Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы |
|
Продолжение табл. 1
|
Буквенное обоэначенхе |
|||
|
Термин |
отечественное |
международное |
Определение |
Выходной ток в состоянии «Выключено»
Выходной ток низкого уровня в состоянии «Выключено»
Выходной ток высокого уровня в состоянии «Выключено»
Ток утечки на входе
микросхемы Ток утечки на выходе 170;. Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на входе 171. Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на входе |
йых.выхл /° 'вых.выкл 'вых.выкл I УТ.ВХ ^ут.вьгх /° 1 ут.вх у1 'ут.вх |
7oz 4)ZL /oZN ZIL A)L All Alh |
Выходной ток интегральной микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоянии выхода Выходной ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня Выходной ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
Продолжение табл. I
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
|
отечественное |
международное |
|||
|
172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на выходе |
/° Л ут.вых |
Азы. |
Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
|
|
173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на выходе |
У1 1 ут.вых |
Аэьн |
Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах |
|
|
174. Потребляемая мощность і-го источника питания интегральной микросхемы Потребляемая . мощность 1-го источника питания |
Р ПОТІ |
Рса> |
Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от і-го источника питания |
|
|
175. Время перехода при включении интегральной микросхемы Время перехода при включении |
fl,0 |
*THL |
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
|
176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы Время перехода при выключении |
to,l |
*TLH |
Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения |
|
|
177. Время выбора интегральной микросхемы Время выбора |
/в |
les |
Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации |
|
Побачили розбіжність з офіційним текстом?
Дивіться також
Сборник ГОСТ ЕСКД
Збірник із 154 стандартів