Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

139. Ток потребления при высоком уровне уп­равляющего напряжения интегральной микросхе­мы

Ток потребления при высоком уройнё управ­ляющего напряжения

Ліот.в

І сен

Постоянный ток, проте­кающий через вывод (вы­воды) питания интеграль­ной микросхемы, при пода­че на управляющий вход (входы) управляющего на­пряжения высокого уровня

140. Сопротивление в открытом состоянии ин­тегральной микросхемы

Сопротивление в от­крытом состоянии

Rotk

^?ON

Отношение падения на­пряжения между аналого­вым выходом и аналого­вым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале

141. Время включения интегральной микросхе­мы

Время включения

^вкл


Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напря­жения в режиме включения

142. Время выключе­ния интегральной микро­схемы

Время выключения

^выкл

toll

^Інтервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напря­жения в режиме выключе­ния

143. Время переклю­чения интегральной мик­росхемы

Время переключения

^пер

Цгап

Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напря­жения в режиме параллель­ного переключения

144. Амплитуда выб­росов напряжения на аналоговом выходе ин­тегральной микросхемы

Амплитуда выбросов напряжения на аналого­вом выходе

^ан A

Uda

Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интег­ральной микросхемы, рабо­тающей в режиме переклю­чения при отсутствии ком­мутируемого напряжения

145. Емкость управ­ляющего входа интег­ральной микросхемы

Емкость управляющего входа

Свх.упр

Ct

Отношение емкостной ре­активной составляющей то­ка, протекающего через уи- равляющий вход, интег­ральной микросхемы, к про­изведению синусоидального напряжения, вызвавшего



Термиа

Буквенное обозначение

Определение

отечест’ венное

между­народное




этот ток, и его круговой частоты при закрытом ка­нале (каналах)

146. Емкость аналого­вого входа интеграль­ной микросхемы

Емкость аналогового входа

Свх.ав

Cs

Отношение емкостной ре­активной составляющей то­ка, протекающего через аналоговый вход интеграль­ной микросхемы, к произве­дению синусоидального на­пряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (ка­налах)

147. Емкость аналого­вого выхода интеграль­ной микросхемы

Емкость аналогового выхода

Свых.ан

Cd

Отношение емкостной ре­активной составляющей то­ка, протекающего через ана­логовый выход интеграль­ной микросхемы, к произве­дению синусоидального на­пряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой часто­ты при закрытом канале (каналах)

148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной

микросхемы

Емкость между ана­логовыми выходом и входом

С в ьі х/вх .ан

Cds

Отношение емкостной ре­активной составляющей то­ка, протекающего между аналоговым выходом и ана­логовым входом интеграль­ной микросхемы, к произве­дению синусоидального на­пряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой часто­ты при закрытом канагіе (каналах)

149. Частота управля­ющего напряжения ин­тегральной микросхемы

Частота управляюще­го напряжения


fi

Частота напряжения на управляющем входе ин­тегральной микросхемы при зада н н ой с к в а ж и о с т и, п р и которой значения выходно­го напряжения низкого и высокого уровней удовлет­воряют заданным значениям

150. Коэффициент по­давления сигнала ра­зомкнутым ключом ин­тегральной микросхемы

Коэффициент подавле­ния сигнала разомкну­тым ключом

Кпод.к

Koott

Отношение переменной 'составляющей выходного напряжения закрытого ка­нала интегральной микро­схемы к переменной состав­ляющей коммутируемого на­пряжения



Продолжение табл. 1

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

151. Коэффициент по­давления сигнала меж­ду каналами интеграль­ной микросхемы

Коэффициент подавле­ния сигнала между ка­налами

Клод

Kdoh

Отношение переменной со­ставляющей коммутируемо­го напряжения открытого канала интегральной мик­росхемы к переменной со­ставляющей выходного на­пряжения на любом Дру­гом закрытом канале при отсутствии на нем комму­тируемого напряжения

152. Коэффициент пе­редачи по напряжению интегральной микросхе­мы

Коэффициент переда­чи по напряжению

Кп

Ки

Отношение напряжения на выходе интегральной мик­росхемы к заданному зна­чению коммутируемого на­пряжения при включенном канале



ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

153. Напряжение 1-го источника питания ин­тегральной микросхемы

Напряжение 1-го ис­точника питания


Uai


Ucci


Напряжение і-го источни­ка питания, обеспечивающе­го работу интегральной микросхемы в заданном ре­жиме.


і по- источни-

  1. Входное напря­жение низкого уровня интегральной микросхе­мы

Входное напряжение Низкого уровня


tf.L


  1. Входное напря­жение высокого уровня интегральной микросхе­мы

Входное напряжение высокого уровня


Uis


Напряжение низкого уров­ня на входе интегральной микросхемы.

Примечание. Напря­жение низкого уровня — наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение

Напряжение высокого уровня на выходе интег­ральной микросхемы.

Примечание. На­пряжение высокого уров­ня — наиболее положи­тельное (наименее отри­цательное) напряжение



Примечание, рядковый номер ка. 1= 1—

4Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

156. Прямое падение напряжения на днти- звонном диоде интег­ральной микросхемы

Прямое падение на­пряжения на антизвон- ном диоде

иав

I/CDI

Напряжение на входе ин­тегральной микросхемы при заданном значении входно­го тока через защитный диод

157. Выходное напря­жение высокого уровня интегральной микросхе­мы

Выходное напряжение высокого уровня


ІАзн


158, Выходное напря­жение низкого уровня интегральной микросхе­мы

Выходное напряжение низкого уровня

с'вых

^OL


159. Ток потребления і-го источника питания интегральной микросхе­мы

Ток потребления і-го источника питания

^ПОТ ї

/ссі

Ток, потребляемый ин­тегральной микросхемой от t-ro источника питания в заданном режиме

160. Динамический ток потребления интеграль­ной микросхемы

Динамический ток по- тоебления

J ПОТ.ДИН

/осе

Ток потребления интег­ральной микросхемы в ре­жиме переключения

161. Входной ток низ­кого уровня интеграль­ной микросхемы

Входной ток низкого УРОВНЯ


Al

Входной ток при вход­ном напряжении низкого уровня интегральной микро­схемы

162. Входной ток вы­сокого уровня интег­ральной микросхемы

Входной ток высокого уровня

/’х

Лн

Входной ток при вход­ном напряжении высокого уровня интегральной микро­схемы

163. Выходной ток вы­сокого уровня интеграль­ной микросхемы

Выходной ток высоко­го уровня


/он

Выходной ток при выход­ном напряжении высокого уровня интегральной микро­схемы

Ї64. Выходной ток низ­кого уровня интеграль­ной микросхемы

Выходной ток низко­го уровня

вых

A)L

Выходной ток при вы­ходном напряжении низко­го уровня интегральной микросхемы



Продолжение табл. 1


Буквенное обоэначенхе


Термин

отечест­венное

между­народное

Определение

  1. Выходной ток в состоянии «Выключено» интегральной микросхе­мы

Выходной ток в со­стоянии «Выключено»

  1. Выходной ток низ­кого уровня в состоянии «Выключено» интеграль­ной микросхемы

Выходной ток низко­го уровня в состоянии «Выключено»

  1. Выходной ток вы­сокого уровня в состоя­нии «Выключено» ин­тегральной микросхемы

Выходной ток высоко­го уровня в состоянии «Выключено»

  1. Ток утечки на входе интегральной мик­росхемы

Ток утечки на входе

  1. Ток утечки на выходе интегральной

микросхемы

Ток утечки на выходе

170;. Ток утечки низ­кого уровня на входе интегральной микросхе­мы

Ток утечки низкого уровня на входе

171. Ток утечки высо­кого уровня на входе интегральной микросхе­мы

Ток утечки высокого уровня на входе

йых.выхл

'вых.выкл

'вых.выкл

I УТ.ВХ

^ут.вьгх

1 ут.вх

у1

'ут.вх

7oz

4)ZL

/oZN

ZIL

A)L

All

Alh

Выходной ток интеграль­ной микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоя­нии выхода

Выходной ток в состоя­нии «Выключено» интег­ральной микросхемы при подаче на измеряемый вы­ход заданного напряжения низкого уровня

Выходной ток в состоя­нии «Выключено» интег­ральной микросхемы при подаче на измеряемый вы­ход заданного напряжения высокого уровня

Ток во входной цепи ин­тегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

Ток в выходной цепи ин­тегральной микросхемы при закрытом состоянии выхо­да и заданных режимах на остальных выводах

Ток утечки во входной цепи интегральной микро­схемы при входных напря­жениях в диапазоне, соот­ветствующем низкому уров­ню, и при заданных режи­мах на остальных выводах

Ток утечки во входной цепи интегральной микро­схемы при входных на­пряжениях в диапазоне, со­ответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных вы­водах



Продолжение табл. I

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

172. Ток утечки низ­кого уровня на выходе интегральной микросхе­мы

Ток утечки низкого уровня на выходе

Л ут.вых

Азы.

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при на­пряжении на выходе в диа­пазоне, соответствующем низкому уровню, и при за­данных режимах на осталь­ных выводах

173. Ток утечки высо­кого уровня на выходе интегральной микросхе­мы

Ток утечки высокого уровня на выходе

У1

1 ут.вых

Аэьн

Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при на­пряжении на выходе в диа­пазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на ос­тальных выводах

174. Потребляемая

мощность і-го источни­ка питания интеграль­ной микросхемы

Потребляемая . мощ­ность 1-го источника пи­тания

Р ПОТІ

Рса>

Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от і-го источника питания

175. Время перехода при включении интег­ральной микросхемы

Время перехода при включении

fl,0

*THL

Интервал времени, в те­чение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уров­ня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напря­жения

176. Время перехода при выключении интег­ральной микросхемы

Время перехода при выключении

to,l

*TLH

Интервал времени, в те­чение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уров­ня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напря­жения

177. Время выбора ин­тегральной микросхемы

Время выбора

les

Интервал времени меж­ду подачей на вход сигна­ла выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов инфор­мации