---

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требо­ваниям

R. - R,; R.- R- R, = R/, R,«R,«R- X_r«R,; X_r«R,.

1 2 j 4 Э 013 вх ” ^*2

Параметры вспомогательного усилителя определяют в зависимости от параметров испытуемой микросхемы.

Плавно увеличивают частоту входного сигнала, поддерживая его напряжение постоянным до тех пор, пока значение выходного напряжения станет равным значению входного напряжения. При этом регистрируют частоту входного сигнала, равную частоте единичного усиления f_v

Метод 4530. Измерение частоты резонанса (квазирезонанса) (/₀).

Измерение^ проводят согласно структурной схеме, выбранной для измерения коэффициента усиления A_yU данной микросхемы (методы 6500—6504).

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал, частоту которого плавно изменяют, под­держивая напряжение постоянным.

Значение частоты, при котором выходное напряжение принимает максимальное (минимальное) значение, является частотой резонанса (квазирезонанса).

Метод 454 0. Измерение нижней (верхней) частоты полосы задерживания (^_дн,^_дв)-

Измерение /зди и/^_дв проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

На микросхему подают входное напряжение с параметрами, указанными в стандартах или техни­ческих условиях на микросхемы конкретных типов, при этом измеряют коэффициент передачи. Плав­но уменьшают (увеличивают) частоту входного сигнала до тех пор, пока коэффициент передачи микросхемы уменьшится в заданное число раз, при этом регистрируют частоту входного сигнала, которая равна нижней (верхней) частоте полосы задерживания.

Методы 4530, 4540. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Метод 4550. Измерение полосы задерживания (Д^_д).

Для измерения А/_зд измеряют /_здн и /_здв (метод 4540). Полосу задерживания определяют по формуле

△/ід /д.н /ід.в'

Метод 4560. Измерение частоты среза (^ ).

Для измерения частоты среза определяют амплитудно-частотную характеристику (метод 9510) и определяют частоты, на которых коэффициент усиления напряжения A_yU = 0 дБ.

Метод 4570. Измерение частот генерирования (/_г) и следования импульсов (F).

И змерение f и А проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17.

1 — микросхема; 2 — источник питания; 3 — измеритель часто­ты

Черт. 17

На микросхему подают электрический режим, указанный в НТД, и измерителем частоты регис­трируют^ и F.

Метод 4580. Измерение максимальной частоты следования импульсов (F_max).

Измерение F проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

На вход микросхемы от генератора подают импульсы. Частоту следования импульсов плавно увеличивают до тех пор, пока искажение формы импульса на выходе микросхемы станет равным значению, указанному в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При этом регистрируют F_max.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

5. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ,
   ИМЕЮЩИХ РАЗМЕРНОСТЬ ВРЕМЕНИ (класс 5000)

Метод 550 0. Измерение времени задержки (С ).

Измерение t проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 9.

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1690.

Для измерения положение переключателей показано на черт. 9.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов, после этого измеряют ґ измерителем временных интервалов или определяют по изображениям входного и выходного импуль­сов на экране осциллографа как интервал времени, измеренный между моментами достижения фрон­тами входного и выходного импульсов уровней, указанных в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Метод 5510. Измерение времени нарастания (ґ ) выходного напряжения для микросхем с одним входом.

Измерение ?_нар проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 1.

Для измерения / _|ар положение переключателей Bl, В2 показано на черт. 1, а переключатель ВЗ переводят в положение 3.

На вход микросхемы подают импульс прямоугольной формы с параметрами, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Измерители временных интервалов измеряют интервал времени, за который выходное напряже­ние микросхемы изменяется от момента первого достижения уровня 0,1 до момента первого достиже­ния уровня 0,9 установившегося значения, который равен ґ .

Метод 5511. Измерение времени нарастания (/ ), времени запаздывания (ґ_зап), времени установления (ґ_уст) и времени успокоения (/ ).

Измерение ґ , /_зап, ґ , /_усп проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 17а.

Значения параметров выходного импульса генератора (амплитуда, частота, полярность, длитель­ность, время нарастания и спада), сопротивления R_vR_v сопротивление нагрузки R_H (с учетом допускаемой емкости, шунтирующей нагрузку), приращение выходного напряже­ния от установившегося значения е должны соответствовать стандартам или техническим условиям на микросхемы конк­ретных типов.

Графическое определение /_нар, ?_зап, ґ_уст, /_усп и є приве­дено в приложении 5. Основные элементы, входящие в струк­турную схему, должны удовлетворять следующим требова­ниям:

R <R.»R; R.- С »t ;

вых 1 г’ 3 вх нар’

г

r₂=

С.>100^

¹*2 ’

де С_вх — емкость на входе испытуемой микросхемы;

Т_т— период повторения импульсов генератора.

П

Черт. 17а

1 — генератор импульсов; 2 — источник по­стоянного напряжения для балансировки мик­росхемы; 3 — микросхема; 4 — источник пита­ния; 5 — измеритель временных интервалов (осциллограф); б—измеритель постоянного напряжения

араметры импульса генератора (длительность импуль­са т , время нарастания т_н, время спада т_с) должны удовлет­ворять условиям т_и > t_ycn, т_н«/_зап, '^Л'Чап' Измерение параметров может проводиться при A_yU=l, то есть или A"_yU>l, т. е.

Перед измерением микросхему балансируют в соответствии с требованиями стандартов или тех­нических условий на микросхемы конкретных типов. Если разбаланс испытуемой микросхемы не влияет на измеряемые параметры, то измерение проводят без предварительной балансировки. Затем устанавливают значение амплитуды импульса генератора, обеспечивающее работу испытуемой микро­схемы в линейном режиме.

Время запаздывания ґ_зап, время нарастания ґ , время установления Z_ycT и время успокоения t _сп измеряют измерителем временных интервалов.

Методы 5500—5511. (Измененная редакция, Изм. № 2).

Методы 5520—5530. (Исключены, Изм. № 2).

Метод 554 0. Измерение времени готовности (t_n).

Регистрируют момент времени t_v соответствующий включению микросхемы и началу периоди­ческого измерения контролируемого параметра, который является критерием для определения времени готовности.

Регистрируют момент времени соответствующий времени, когда контролируемый параметр, являющийся критерием, принимает значение, указанное в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Время готовности определяют по формуле

t = L— t..
гт 2 1

Измерение параметров, которые являются критериями для определения времени готовности, проводят согласно методам, указанным в настоящем стандарте.

Конкретный метод измерения параметров указывают в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

5. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ (класс 6000)

Метод 650 0. Измерение коэффициента усиления напряжения (^A_yU) для микросхем с одним входом.

Метод применяют, когда не требуется высокая точность определения или когда напряжение, подаваемое на вход испытываемой микросхемы, не может быть измерено непосредственно (например, на высоких частотах).

Измерение K_yV проводят согласно структурной схеме, которая приведена на черт. 1.

Для определения А'уц положение переключателей показано на черт. 1.

На вход микросхемы подают синусоидальный сигнал U_m, указанный в стандартах или техничес­ких условиях на микросхемы конкретных типов, и измеряют переменное напряжение на выходе CZ . Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

F^- _ ^вых
^Ауи—ў—.
^u вх

Метод 6501. Измерение коэффициента усиления напряжения (^Г_уи) на постоянном токе.

Измерение Хуи проводят для микросхемы с двумя входами согласно структурной схеме, приве­денной на черт. 4, а для микросхем с одним входом — на черт. 4а.

Основные элементы, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, ука­занным в методе 1580.

Для проведения измерения испытуемую микросхему предварительно балансируют в соответствии с условиями, указанными в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Напряжение источника 1 изменяют на такое значение Д£, при котором приращение выходного напряжения A U_bwi не выходит за линейный участок работы испытуемой микросхемы.

К

KyU-

оэффициент усиления вычисляют по формуле

R

*4

й₄ + R$

, р , р ⁺ △ ^вых Zvi + Л2

Метод 650 2. Измерение коэффициента усиления напряжения (K_yU) на постоянном токе для микросхем с двумя входами с автоматической балансировкой испытуемой микросхемы при помощи вспомогательного усилителя.

Измерение £_yU проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 5. Основные элемен­ты, входящие в структурные схемы, должны удовлетворять требованиям, указанным в методе 1581.

Для проведения измерения устанавливают переключатели В1 и В2в замкнутое положение, а переключатель ВЗ — в положение 2. Напряжение минус U_on на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхемы конкрет­ных типов. Измеряют значение и_х измерителем 1. Напряжение плюс U на источнике постоянного напряжения устанавливают в соответствии со стандартами или техническими условиями на микросхе­мы конкретных типов. Измеряют значение и[ измерителем 1.

Коэффициент усиления вычисляют по формуле

^уц-

R1
Rl+R^

2#оп

■

Метод 6503. Измерение коэффициента усиления напряжения (£_yU) для микросхем с двумя входами.

Метод применяют при испытаниях микросхем с малым входным сигналом. Метод позволит умень­шить погрешность определения коэффициента усиления, связанную с погрешностью измерителя пе­ременного напряжения. При измерениях на высоких частотах в качестве делителя может быть использо­ван высокочастотный калиброванный аттенюатор.

Структурная схема для измерения K_y{J приведена на черт. 20.

1 — генератор сигналов; 2 — источник питания; 3 — микросхема;

4 — источник питания; 5 — измеритель постоянного напряжения;

6 — измеритель переменного напряжения

Основные элементы, входящие в структурную схему, должны удовлетворять следующим требо­ваниям

< 0,017?_вх; <0,01Я₃.

При измерении К_уу для микросхем с двумя выходами положение переключателя В1 показано на черт. 20, а для микросхем с одним выходом переключатель В1 переводят в положение 2.

Балансируют микросхему (метод 1511) с точностью, указанной в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов.

Затем размыкают переключатель ВЗ и на вход усилителя подают синусоидальный сигнал и изме­ряют напряжение на выходе генератора {7_{вых г}. Переключатель В2 переводят в положение 2 и измеряют напряжение на выходе микросхемы 1/_вых. Коэффициент усиления напряжения определяют по формуле

^дел.Ц' U вых
^вых.г

Л'_дел и выбирают равным номинальному значению коэффициента усиления напряжения испы­туемой микросхемы.

Метод 6504. Измерение коэффициента усиления напряжения (K_yV) на переменном токе.

По данному методу измеряется K_yV микросхем с низким и средним входными сопротивлениями. Измерение А'ц проводят согласно структурной схеме, приведенной на черт. 18. Значения сопротивле­ния нагрузки 7?_н и частоты f установлены в стандартах или технических условиях на микросхемы конкретных типов. При измерении K_ylJ для микросхем с одним входом резистор R3 должен быть короткозамкнутым (переключатель В1 — замкнутый). Сопротивление аттенюатора должно быть значи­тельно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

Сопротивление 7?! резистора должно быть равно характеристическому сопротивлению аттенюато­ра. Сопротивления Я₂ и /?₃ во входной цепи должны быть равны минимальному входному сопротивле­нию испытуемой микросхемы, определенному на постоянном токе. Сопротивления конденсаторов С1 и С2 должны быть при заданной частоте значительно меньше входного сопротивления испытуемой микросхемы.

1 — генератор переменного напряжения; 2, 6 — измерители перемен­ного напряжения; 3 — аттенюатор; 4 — источник питания; 5 — микро­схема