Страница 2: ГОСТ 20003-74. Транзисторы биполярные. Электрические параметры. Термины, определения и буквенные обозначения (72566)

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

25. Выходная полная проводимость биполяр­ного транзистора в ре­жиме малого сигнала

4. Komplexer Klein signalausgangsleit- wert

5. Small-signal value of the short-circuit output admittance

6. Valeur de [’admit­tance de sortie, en­tree en court-circuit pour de petits sig- naux

У 22

■У 22

Отношение изменений комплексных величин вы­ходного тока к вызван­ному им изменению вы­ходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе

26. Статическая кру­тизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером

Ндп. Статическая крутизна передаточ­ной характеристики. Статическая крутиз­на характеристики

4. Statische Vorwiirts- steilheit in Emitter- schaltung

5. Static' value of the forward transconduc­tance

6. Pente statique de transfert direct

^У 21Э

Ї 21Е

Отношение постоянно­го тока коллектора к по­стоянному напряжению база—эмиттер при за­данном напряжении кол­лектор—эмиттер

27. Входная емкость биполярного транзистора

4. Eingangskapazitiit

5. Input capacitance

6. Capacite d’entree

^С11

Си

Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала

28. Выходная емкость биполярного транзистора D. Ausgangskapazitiit E. Output capacitance F. Capacite de sortie

^С22

С^2

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в ре­жиме малого сигнала

28a. Емкость обратной связи биполярного тран­зистора

4. Riickwirkungskapa- zitat

5. Feedback capacitan­ce

6. Capacite de coupla- ge a reaction

£ 12

^С 12

Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выход­ным выводами при ко­ротком замыкании по пе­ременному току на входе в режиме малого сигнала

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного тран­зистора

4. Grenzfrequenz der Stromverstarkung

5. Cut-off frequency

6. Frequence de cou- pure

Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значени­ем

30. Граничная частота коэффициента передачи тока

4. Ubergangsfrequenz der Stronrverst'ark- ung (Transitfrequ- enz)

5. Transition frequency

6. Frequence de transi­tion

/гр

/т

Частота, при которой модуль коэффициента

передачи тока в схеме с общим эмиттером экст­раполируется к единице

Примечание. Ча­стота, равная произре- дснию модуля коэффи­циента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон из­менения модуля коэф­фициента передачи то­ка 6 дБ на октаву

31. Максимальная час­тота генерации биполяр­ного транзистора.

5. Maximum frequency of oscillation

6. Frequence maximale d'oscillation

fmax

fmax

Наибольшая часто­та, при которой тран­зистор способен гене­рировать в схеме авто­генератора

32. Коэффициент шума биполярного транзистора

4. Rauschzahl

5. Noise figure

6. Facteur de bruit

Кш

F

Отношение мощности шумов на выходе тран­зистора к той ее части, которая вызвана тепло­выми шумами сопротив­ления источника сигнала

32a. Минимальный ко­эффициент шума бипо­лярного транзистора

Ь. Minimale Rausch­zahl

Кш min

F mln

Значение коэффициента шума биполярного тран­зистора в условиях на­стройки входной и вы­ходной цепей, соответсг-

5. Minimal noise figu­re

6. Facteur de bruit mi­nimum

вующей наименьшему

значению коэффициента шума

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

326. Эквивалентное на­пряжение шума биполяр­ного транзистора

4. Aquivalente Rausch- spannung

5. Equivalent noise

voltage

4. Tension de bruit equivalente

и_п

1

Напряжение шума иде­ального источника экви­валентного напряжения, включенного последова­тельно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзисто­ра, который считается бесшумным

Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе на­сыщения

33. Коэффициент насы­щения биполярного тран­зистора

Ндп. Степень насы­щения

Е. Saturation coeffici­ent

F. Coefficient de satu­ration

К кас

Asat

34. Коэффициент уси­ления по мощности би­полярного транзистора

D. Leistungsverstark- ung

5. Power gain

6. Gain en puissance

Gp

Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения

34a., Оптимальный ко­эффициент усиления по мощности биполярного транзистора

4. Optimale Leistungs- verstarkung

5. Optimal power gain

6. Gain de puissance optimum

/Су ?опт

G? opt

Значение коэффициен­та усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной це­пей, соответствующее

минимальному коэффи­циенту шума

35. Коэффициент по­лезного действия коллек­тора

D. Kollektorwirkungs- grad

5. Collector efficiency

6. Efficacite du colloc- teur

11К

Нс

Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллектор­ного питания

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

36. Время задержки для биполярного транзи­стора

4. Verzogerungszeit

5. Delay time

6. Retard a la crois- sance

^ЗД

Интервал времени ме­жду моментом нараста­ния фронта входного им­пульса до значения, соот­ветствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта вы­ходного импульса до значения, соответствую­щего 10%, его амплиту­ды

37. Время нарастания для биполярного транзи­стора

4. Anstiegszeit

5. Rise time

6. Temps de croissance

*нр

Іт

Интервал времени ме­жду моментами нараста­ния фронта выходного импульса от значения, соответствующего 10% его амплитуды, до зна­чения, соответствующего 90% его амплитуды

38. Время рассасыва­ния для биполярного транзистора

4. Speiciherzeit

5. Carrier storage time

6. Retard a la decrois- sance

/рас

*

t.

Интервал времени

между моментом подачи на базу' запирающего им­пульса и моментом, ког­да напряжение на кол­лекторе транзистора до­стигает заданного уровня

39. Время спада для биполярного транзистора

4. Abfallzeit

5. Fall time

6. Temps de decrois- sance

/сп

tl

Интервал времени

между моментами спада среза выходного импуль­са от значения, соответ­ствующего 90% его амп­литуды, до значения, со­ответствующего 10% его амплитуды

40. Время включения биполярного транзистора

4. Einschaltzeit

5. Turn-on time

6. Temps total d’etab- Jissement

/вкл

/on

Интервал времени, яв­ляющийся суммой вре­мени задержки и време­ни нарастания

41. Время выключения биполярного транзистора

4. Ausschaltzeit

5. Turn-off time

6. Temps total de cou- pure

/выкл

tot Г

Интервал времени

между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соот­ветствующего 10% его амплитудного значения

Термин

Буквенное обозначение

Определение.

отечественное

междуна­родное

42. Сопротивление ба­зы биполярного транзи­стора

4. Basisbahnwider- stand

5. Base intrinsic resis­tance

6. Resistance intrin- seque de base

Гб'

Гьь

Сопротивление между выводом базы и перехо­дом база—эмиттер

43. Емкость эмиттерно­го перехода

4. Kapazitat der Emit- tersperrschicht

5. Emitter capacitance

С,

Се

Емкость между выво­дами эмиттера и базы транзистора при задан­ных обратном напряже­нии эмиттер—база и ра-

F. Capacite emetteur

зомкнутой коллекторной цепи

44. Емкость коллектор­ного перехода

4. Kapazitat der Kol- lektorsperrschicht

5. Collector capacitance

6. Capacite collecteur

с_к

Сс

*

Емкость между выво­дами базы и коллектора транзистора при задан­ных обратном напряже­нии коллектор—база и разомкнутой эмиттерной цепи

45. Постоянная време­ни цепи обратной связи на высокой частоте би­полярного транзистора

D. HF-Riickwirkungs- zeitkonstante

Е. Collector-base time constant

Тк

Тс

Произведение сопро­тивления базы на актив­ную емкость коллектор­ного перехода

46. Коэффициент отра­жения входной цепи би­полярного транзистора

D. Eingangsretlexions- faktor

Отношение комплекс­ных амплитуд напряже­ний отраженной волны к. падающей на входе тран­зистора при значениях сопротивления источни­ка и нагрузки, равных характеристическому со­противлению

47. Коэффициент об­ратной передачи напря­жения

D. Spannungsiibertra- gungsfaktor гйск- warts

s_[2

$12

Отношение комплекс­ных амплитуд напряже­ний отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротив­ления источника и на­грузки, равных характе­ристическому сопротив­лению

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

48. Коэффициент пря­мой передачи напряже­ния

D. Spannungsilbertra- gungsfaktor vor- watrs

с* °21

Отношение комплекс­ных амплитуд напряже­ний отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзи­стора при значениях со­противления источника и нагрузки, равных ха­рактеристическому со­противлению

49. Коэффициент отра­жения выходной цепи биполярного транзистора

D. Ausgangsrefle-xions- iaktor

$22

. $22

Отношение комплекс­ных амплитуд напряже­ний отраженной волцы к падающей на вьгходе транзистора при значе­ниях сопротивления ис­точника и нагрузки, рав­ных характеристическо­му сопротивлению

50. Постоянный ток коллектора

4. Kollektorgleichstrom

5. Collector (d. с.) cur­rent

6. Courant continu de collecteur

/к

/с

Постоянный ток, про­текающий .через коллек­торный переход

51. Постоянный ток эмиттера

4. Emittergleichstrom

5. Emitter (d. c.) cur­rent

6. Courant continu d’emetteur

¹Э

ІВ

Постоянный ток, про­текающий через эмиттер­ный переход

52. Постоянный ток ба­зы

4. Basisgleichstrom

5. Base (d. c.) current

6. Courant continu de base

/в

Постоянный ток, про­текающий через базовый вывод

53. Постеянный ток коллектора в режиме на­сыщения

5. Saturation collector current

6. Courant de saturati­on collecteur

нас

/с eat

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

54. Постоянный ток ба­зы в режиме насыщения

Е. Saturation base cur­rent

F. Courant de saturati­on base

/г?

Б нас

sat

—

55. Импульсный ток коллектора

⁷ К. и

Импульсное значение тока коллектора при за­данной скважности и длительности пульса

56. Импульсный ток эмиттера

^!Э, и

—

Импульсное значение тока эмиттера при за­данной скважности и длительности импульса

57. Постоянное напря­жение эмиттер—база

D. Emitter-Basis-Span- nung

Е. Emitter-base (cl. с.) voltage

F. Tension continue emetteur-base

U ЭБ

^ЕВ

Постоянное напряже­ние между выводами эмиттера и базы

58. Постоянное напря­жение коллектор—база

D. Kollektor-Basis- Spannung

E. Collector-base (d. c.) voltage

F. Tension continue col- lecteur-base

и¹²³

^и КБ

⁷⁷ СВ

Постоянное напряже­ние между выводами коллектора и базы

59. Постоянное напря­жение коллектор—эмит­тер

D. Kollektor-Emitter- Spannung (bei vor- gegebenen Bed in­gungen)

E. Collector-emitter (d. c.) voltage

F. Tension continue col- lecteur-emetteur

^и кэ

⁷⁷ СЕ

Постоянное напряже­ние между выводами коллектора и эмиттера