Таблица 5
Арсенид галлия монокристаллический
|
Номер показателя качества |
Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур |
Арсенид галлия для источников тока |
|
|
1 |
ч- |
|
|
|
5 |
+ |
|
|
|
6 |
+ |
|
|
|
8 |
+ |
|
|
Продолжение табл. 5
|
Номер показателя качества |
Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур |
Арсенид галлия для источников тока |
|
9 |
+ |
|
|
10 |
+ |
+ |
|
11 |
+ |
+ |
|
14 |
+ |
+ |
|
15 |
+ |
|
|
16 |
+ |
— |
|
17 |
+ |
+ |
|
18 |
zt |
|
Таблица б
Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические
Примечание к табл. 2—6. Знак «+» обозначает применение показателя качества, знак «—» обозначает неприменение показателя качества, знак «±» обозначает ограниченное применение показателя.
(Измененная редакция, Изм. № 1).
Н
ПРИЛОЖЕНИЕ і
Справочное
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур
Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников
Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений
Кремний монокристаллический водородный
Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем
Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур
Германий монокристаллический для оптоэлектроники
Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии
Антимонид индия монокристаллический
Арсенид галлия монокристаллический
Фосфид галлия монокристаллический
Арсенид индия монокристаллический
Фосфид индия монокристаллический
(
Код ОКП
17 7211
17 7212
17 7213
17 7215
17 7221
17 7222
17 7224
17 7226
17 72211000
17 7441
1.7 7443
17 7444
17 7447
17 7532
17 7512
17 7542
17 7522
17 7552
Введено дополнительно, Изм. № 1).ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное
АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ
показателей качества полупроводниковых
материалов
|
Наименование показателя качества |
Номер показателя качества |
|
Время жизни неравновесных носителей заряда |
12 |
|
Дефекты внешние |
17 |
|
Дефекты внутренние |
18 |
|
Диаметр монокристаллического слитка |
8.1 |
|
Длина малоугловых границ суммарная |
13 |
|
Длина монокристаллического слитка |
10 |
|
Длина диффузионная |
12 |
|
Значение удельного электрического сопротив- |
1.1 |
|
ления номинальное |
|
|
Интервал значений удельного электрического сопротивления |
1.3 |
|
Интервал номинальных значений диаметров |
8.2 |
|
Интервал номинальных значений удельного |
1.2 |
|
электрического сопротивления Концентрация атомов оптически активных примесей |
7 |
|
Концентрация атомов оптически активного кис- |
7.1 |
|
лорода Концентрация атомов оптически активного углерода |
7.2 |
|
Концентрация основных носителей заряда |
14 |
|
Наличие второй фазы |
18.2 |
|
Наличие двойных границ |
18.3 |
|
Наличие свирл-дефектов |
18.4 |
|
Ориентация продольной оси монокристалличес- |
5 |
|
кого слитка |
|
|
Отклонение диаметра монокристаллического |
9 |
|
слитка от номинального значения |
|
|
Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда |
15 |
|
Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации |
6 |
|
Отклонение относительное средних значений |
4 |
|
удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка |
2 |
|
|
Продолжение |
|
Наименование показателя качества |
Номер показателя качества |
|
Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка Плотность дислокаций Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка Подвижность основных носителей заряда Раковины Сколы Сопротивление удельное электрическое Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка |
3 11 8.3 16 17; 18.1 17 1 8 |
(Введено дополнительно, Изм. Ml).Редактор Л. Д. Курочкина
Технический редактор Н. В. Келейникова
Корректор В. Ф. Малютина
Сдано в наб. 25.04.85 Подп. в печ. 13.06.85 0,75 усл. п. л. 0,75 усл. кр.-отт. 0,64 уч.-изд. л.
Тир. 16.000 Цена 3 коп.
■Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов, 123840, Москва, ГСП, Новопресненский пер., 3
Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер., 6. Зак. 551
