Система автоматизованого проектування. Побудова моделей операційних підсилювачів. Загальні вимоги

Окончание табл. I

Таблица 2

Окончание пбл. 2

Таблица 3

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Справочное

Методика определения параметров универсальной
нелинейной модели ОУ

1. Для расчета параметров модели необходимо определить токи ГСТ входного, промежуточного и выходного каскадов модели.

Ток ГСТ входного каскада Л определяют по формуле:

Ш-5АС, (16)

где SR — максимальная скорость нарастания выходного напряжения ОУ (ОУ включен как инвертирующий повторитель);

С ■ Ск — емкость для ОУ с внешней коррекцией;

С “ СЗ — емкость для ОУ с внутренней коррекцией.

Токи ГСТ промежуточного каскада (J3) и выходного каскада (J5, J6) рассчитывают по электрической принципиальной схеме ГСТ.

Для типовой схемы ГСТ, приведенной на рис. 2а, ток рассчиты­вается по формуле (17); для схемы — рнс. 26 — по формуле (18); для схемы — рис. 2в — по формуле (19).

С.МДСГУХМ—м

j . flg ■ |_n Е" - О»¹.
Лз ЛІ • Il * ^,<>F

где £/бэ1 — напряжение база-эмиттер транзистора VT1;

К — отношение площадей эмиттерных областей транзисторов VT1 и VT2;

трт — модифицированный температурный потенциал.

2. Значение емкости Сах модели выбирают равным значению входной емкости ОУ (СО.

3. Значение сопротивления R8 модели выбирают равным сопро­тивлению, ограничивающему максимальный выходкой ток ОУ.

4. Значения параметров модели al, aj, об рассчитывают по фор­мулам:

5. al-gj; (20)

а5 - об - . (21) •

Значения сопротивлений модели R5, R6, R7 определяют по фор­мулам:

R5 * ; (22)

Лб « ; (23)

ио

Л7 ₍ (24)

еде 1/а — напряжение Эрли.

6. Значения параметров Rnl, Вп2 определяют по формулам:

ВН - ; (25)

natr + ОЛ’іІо

Дл2 - ,■ , (26)

Пог-О Л-По '

еде На» — средний входной ток ОУ;

Iio — разность входных токов ОУ.

6. Значения параметров туггэі, ту>тэ2 рассчитывают по формуле: щу>тэ1 « _т1ртэ2 - . <²⁷>

еде Ri — входное сопротивление ОУ.

*. Значение сопротивления R3 модели рассчитывают по формуле:

ДЗ = 2Д51(Г5Г, (28)где Кеши — коэффициент ослабления синфазных входных напря­жений ОУ.

9. Значения параметров Ітэі, 1тэ2 выбирают равными типовым значениям параметров интегральных транзисторов (в пределах 10’’ — 10'¹¹ мА), а их отношение определяют по формуле:

9. » exp (Uio - 0,MJbR3) , (29)

где Uio — напряжение смещения нуля ОУ.

9. Значения сопротивлений Я1, Л2 определяют но формуле:

Д1 “ Л2 - З , (30)

где Aul — коэффициент усиления напряжения первого каскада ОУ.

9. Значение емкости С2 модели определяют по формуле:

С2 - Ijl!-——U , (31)

) ЗЯ I где $Д ⁺ , SJt' — максимальная скорость нарастания положительного и отрицательного выходных напряжений ОУ соответ­ственно.

9. Значение емкости С1 модели определяют по формуле:

^С1 " Зя-АЗ ЯЗ * ^<32)

где /л2 — частота второго полюса АЧХ ОУ.

9. Значение емкости СЭ модели для ОУ с внешней коррекцией определяют по формуле:

^<33> *в'/7!1 Hi ЛИХ

где /пі — частота первого полюса АЧХ ОУ без цепей частотной коррекции;

Аи2 — коэффициент усиления напряжения второго каскада ОУ.

Для ОУ с внутренней коррекцией значение емкости СЗ равно значению внутренней корректирующей емкости ОУ.

9. Значение параметра а2 модели определяют по формуле: а!»-—. (34)