---

О

>

І ІЗ Охладить отработанный раствор в теплообменнике

Р ТІ 20-25 °С

О 14 Откачать отработанный раствор в нижнюю часть электролизной ванны

О 15 Восстановить травящую способность раствора

Р Д - 20 А/см², J х 3100-3300 A, t~ I мин

О 16 Очистить катоды от медного порошка с помощью вращающихся щеток

О . 17 Промыть щетки и смыть медный осадок в отстойник

М Раствор в соответствии с приложением В по В.3.1.2

О 18 Прекратить процесс регенерации раствора при достижении концентрации

ионов железа двухвалентного, равной 6 г/л

О 19 Выгрузить медный осадок из фильтров-отстойников модуля регенерации

C

ОСТ 92-5075-99

D

Ии». Nx дубл. ] Поди, и де**

Таблица 20 - Карта типовой технологической операции удаления СГЕ& воднощелочного проявления

А Удаление фоторезиста

Б Установка снятия СПЬ типа ГТМ 1,254.001 или модуль удаления

фоторезиста комплекса "Титан-бООА-ТН"

.0 I Поместить заготовки на конвейер *

Т Приспособление-спутник заводского изготовления (для слоев многослойной ІШ)

0 2 Удалить фоторезист и ретушь в распылительном модуле установки

Р Т раствора = 18-25 °С, t • 2,5-4,0 мин

М Раствор для удаления фоторезиста в соответствии с приложением В по

B

ТТ7

.I3.I.3 или B.I4

0

ОСТ 92-5075-99

3 Промыть заготовки в модуле промывки установки

Ї Р Т « 18-25 °С

• М Вода питьевая

О 4 Сушить заготовки сжатым воздухом в модуле сушки установки

Р Т ж 18-25 °С

q a «wo"

0 5 Снять заготовку с конвейера

Т Подставка заводского изготовления

0 6 Провести сплошной визуальный контроль поверхности. Фоторезист

должен быть полностьо удален с поверхности заготовки, не допускается окрашивание диэлектрического основания в цвет применяемого фоторезиста

Т Микроскоп МБС-9

ОСТ 92-5075-99

Ии». № подл.

/Л^/Z

ПєдЛ Й

7W

Ий«. Ml ^убл.

ТаблицЬхЙІ - Карта типовой технологической операции удаления органопроявляемого CItt

ер.

Код, наименоеанне операции

Код, иаименоеанме оборудования

ЮМ

Наименование детали, сб. адмрицм или материала

Обозначение документа

Обозначение, код

Удаление фото Установка СПБ типа "Strippi с дистиллятором С100 или типа АУБ

I Вклочить установку и охладить

Machine. С *

ста

00.00,000

идеи хлористый до температуры 14-18 °С

2 Поместить заготовки ПЛ на конвейер

Приспособление-спутник заводского изготовления (для слоев многослойных ПЛ)

V ■ 0,1-1,0 ц/мин

3 Удалить фоторезист

UV-Ю ft I

Метилен хлористый 4 Удалить фоторезист

Р - 3,5-10® - 4,0-10® Па,
Метилен хлористый

сл

’тановки

олее 2 мим

распылительной камере I

* 14-18 °С, время удаления нё

l распылительной камере 2 установки Т * 14-18 °с

5 Удалить фоторезист в распылительной камере 3 установки

ОСТ 92-5075-99

t удаления СДЬ со слоев

таблицы 21

Р - 3.5-І0⁵ - 4,0-Ю⁵ Па. Т°С» многослойных ПЇІ не более 1,0 wwv

Метилен хлористый

6. Сушить заготовку сжатым воздухом

Т * 18-25 °С

Воздух сжатый

6. Снять заготовку с конвейера Подставка заводского изготовления

мадере сушки установки

8 Провести сплошной визуальный контроль качества удал

я фоторезиста.

а ио го

Фоторезист должен быть полностью удален с поверхности заготов Не допускается окрашивание диэлектрического основания в цвет пр фоторезиста, заметное вымывание связующего и оголение стекловолокна

Микроскоп МВС-9

ОСТ 92-5075-99

Bum. ин« №

Ии». N9 дубл.Д -Подл, и Д«т«

Таблица 22 - Карта типовой технологической операции удаления трафаретной краски

5

типа СТЭ.І2.І-5І, ЇНИ, ФПК-ТЦ

66"^д0?“26 100

МММ

Ин». NS поди. Подл, и дат»

ІРОНІЇ!- fyilfSW

Окончание таблицы 22

М Раствор для декапирования в соответствии с приложением В по В.3.1.2

О 5 Промыть заготовки проточной водой в модуле промывки

Р Т « 18-25 °С

М Вода питьевая

О 6 Сушить заготовку в модуле сушки линии

Р Т = 45-55 °С или Т » 18-25 °С

М Воздух горячий или воздух сжатый

О 7 Провести сплошной визуальный контроль полноты снятия краски.

На поверхности платы не должно быть остатков краски. Не допускается, окрашивание диэлектрического основания в цвет применяемой краски

Т Микроскоп МБС-9 или МПБ-2

О 8 Проверить чистоту отмывки на установке контроля чистоты отмывки ПП _х

типа КПМ 3.240.054 в соответствии с приложением И

Т Тераомметр

ОСТ 92-5075-99

И..-, Ng Дуб^ Подл. и дате

Таблица 23 * Карта типовой технологической операции удаления трафаретной краски типа СТЗ.ІЗ

А Удаление краски

Б Установка снятия пленочного фоторезиста типа *Sfripping Machine. С'¹*

С дистиллятором С100 или типа ЛУБ 228.00.00.000

О I Включить установку и охладить метилен хлористый до температуры 14-18 °С

О 2 По_местить заготовки ПП на конвейер

О 3 Удалить защитный слой краски в распылительной камере I установки

Р Т . 14-18 °С, Р на форсунках • ГІ0⁵ - ЗЧО⁵ Па, t = 2-3 мин

М Метилен хлористый

О 4 Удалить защитный слой краски в камере I установки

Р Т - 14-18 °С. Р . І-І0⁵ - 3-Го⁵ Па

М

ОСТ 92-5075-99

Метилен хлористый

О 5 Удалить краску в распылительной камере 3 установки

Р Т - 14-18 °С, Р « 1-ю⁵ - 3-ю⁵ Па

М Метилен хлористый

Окончание таблицы 23

О

0

w С m к

6 Сушить заготовку сжатым воздухом в отсеке сушки установки

Р Т - 18-25 °С