ГОСТ 21342.17-78. Резисторы. Метод определения изменения сопротивления от изменения напряжения (75730)

УДК 621.316.8:621.317.332:006.354 Группа Э29

Г

ГОСТ
2I342.I7—78* *
(СТ СЭВ 2748—80)

Взвмен
ГОСТ 3223—67 в части
метода определения
изменения
сопротивления от
напряжения

РЕЗИСТОРЫ

Метод определения изменения сопротивления
от изменения напряжения

Resistors. '

Test method for resistance change depending
upon voltage

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 21 февраля 1978 г. № 508 срок введения установлен

с 01,07.79

Проверен в 1983 г. Постановлением Госстандарта от 20.04.84 № 1372

срок действия продлен до 01.07,88

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на постоянные непрово­лочные резисторы и устанавливает метод определения изменения сопротивления от изменения напряжения.

Общие условия при определении изменения сопротивления от изменения напряжения и техники безопасности — по ГОСТ 21342.0—75, измерение сопротивления — по ГОСТ 21342.20—78.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2748—80.

(Измененная редакция, Изм. № 2).

1. АППАРАТУРА

   1. (Исключен, Изм. <Ns 1).

   2. Установки питающего напряжения должны обеспечивать .одачу напряжения не менее 100% номинального или предельного рабочего напряжения в зависимости от того, какое из значений меньше.

Мощность установки должна быть не менее номинальной мощ­ности рассеяния или мощности, соответствующей предельному ра­бочему напряжению, в зависимости от того, какое из этих значений меньше.Погрешность установления и поддержания напряжения должна быть в пределах:

±5%—для резисторов с испытательным напряжением до 1 кВ Включительно;

±10%—для резисторов с испытательным напряжением св. 1 кВ.

Установки питающего напряжения для высоковольтных высо- комегомных композиционных резисторов должны соответствовать требованиям, установленным в стандартах на резисторы конкрет­ных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

2. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

   1. Перед измерением резистор высушивают согласно методу I или II.

Метод I. Резистор высушивают в эксикаторе с влагозащищаю­щим веществом при температуре (328±2) К [(55±2)°С] в тече­ние (24±4) ч с последующим охлаждением до температуры (298± ±10) К [(25±10)°С], при которой выдерживают в течение 2 ч.

Метод II. Резистор выдерживают в течение (96±4) ч в термо­стате при температуре (373±2) К [(100±2)°С].

Затем резистор охлаждают в эксикаторе до температуры (298± 10) К [(25±10)°С], с применением высушивающих средств (например, активированные соединения алюминия — алюмогель или силикагель).

При необходимости резистор следует хранить в эксикаторе до- начала испытаний.

Необходимость высушивания пленочных композиционных рези­сторов перед испытанием указывают в стандартах на резисторы конкретных типов.

Метод высушивания резисторов перед испытанием указывают в стандартах на резисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

Для высоковольтных высокомегомных композиционных рези­сторов значения напряжений, при которых производят сопротивле­ния, устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.

Время приложения 100% напряжения, соответствующего" номинальной мощности рассеяния резистора, или предельного ра­бочего напряжения должно быть не более 5 с. При этом нагрев 18резисторов током при измерениях не должен искажать результаты измерений сопротивления. В противном случае напряжение следу­ет подавать кратковременно не более чем на 1 с с необходимым для отсчета числом повторений.

Интервалы между включениями устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.

2.2., 2.3. (Измененная редакция, Изм. № 1).

3. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

   1. Относительное изменение сопротивления от изменения на­пряжения (би), выраженное в процентах, определяют по формуле

би = - ^^-ЬЮО,

где /?і — сопротивление, измеренное при напряжении, равном 10% напряжения, соответствующего номинальной мощности рассеяния, или предельного рабочего напряжения;

Т?2 — сопротивление, измеренное при напряжении, равном 100% напряжения, соответствующего номинальной мощ­ности рассеяния резистора или предельного рабочего на­пряжения.

Для высоковольтных высокомегомных композиционный рези­сторов значения напряжений, при которых производят измерение сопротивлений и R₂, устанавливают в стандартах на резисторы конкретных типов.

(U 2 Uj) Ki

где 171 — напряжение, при котором сопротивление резистора рав­но Rt;

U2— напряжение, при котором сопротивление'резистора рав­но R₂.

А' би

^Ли~ (и₂-ид •

3.1—3.3. (Измененная редакция, Изм. № 1).Издание официальное Перепечатка воспрещена

★

* Переиздание (ноябрь 1984 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, утвержденными

■в сентябре 1981 г., марте 1982 г., апреле 1984 г. (ИУС 12—81, 6—82, 7—84).

1