(Исключен, Изм. № 1).
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
(Исключен, Изм. № 1).
ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное
Общие понятия физики твердого тела, применяемые к полупроводникам
|
Термин |
Определение |
|
Электрон, создающий электропроводность Квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации |
|
3. Экситон |
Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости |
решетки Стехиометрический дефект
|
Нарушение периодичности решетки кристалла Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки |
|
8. Поверхностный дефект решетки |
Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки |
Ловушка
Ндп. Центр рекомбинации
|
Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны |
|
12. Донор |
Дефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости |
Подвижность |
Примесь, атомы которой являются акцепторами. Примесь, атомы которой являются донорами Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего |
Время пробега
|
Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда |
|
18. Коэффициент диффузии носителей заряда |
Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей |
|
19. Оптическое возбуждение |
Генерация неравновесных носителей заряда при |
|
Ндп. Оптическая накачка |
оптическом обучении полупроводника |
|
20. Инверсия населенностей |
Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной |
|
21. Электрическое возбуждение |
Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля |
|
22. Собственное поглощение света |
Поглощение полупроводником оптического |
|
Собственное поглощение |
излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости |
|
23. Экситонное поглощение |
Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона |
|
24. Примесное поглощение |
Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов |
|
25. Фотоэлектрическое |
Изменение поглощения оптического излучения в |
|
поглощение |
результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля |
|
26. Уровень Ферми |
Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля |
ПРИЛОЖЕНИЕ. (Измененная редакция, Изм. № 1).
