ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 25529—82

(СТ СЭВ 2768—85J

И

Цена 15 коп.

здание официальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ
ПАРАМЕТРОВ

ГОСТ 25529—82

(СТ СЭВ 2768—85)

Издание официальное

МОСКВА —198

7© Издательство стандартов, 1987

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ГОСТ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

25529—82*

Термины, определения и буквенные обозначения параметров

(СТ СЭВ 2768—85J Взамен ГОСТ 18216—72,

Semiconductor diodes.

Terms, definitions-and letter symbols

ГОСТ 18994—73, ГОСТ 20004—74, ГОСТ 20005—74, ГОСТ 20331—74,

ОКСТУ 6201

ГОСТ 21154—75

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29 ноября 1982 г. № 4482 срок введения установлен

с 01.01.84



Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, тех­нике п производстве термины, определения и буквенные обозначе­ния параметров полупроводниковых диодов.

Термины и русские буквенные обозначения, установленные нас­тоящим стандартом, обязательны для применения в документа­ции всех видов, научно-технической, учебной и справочной лите­ратуре.

Международные буквенные обозначения обязательны для при­менения в технической документации на полупроводниковые дио­ды, предназначенные для экспортных поставок.

Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2768—85.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный тер­мин. Применение терминов—синонимов стандартизованного тер­мина запрещается. Недопустимые к применению термины-синони­мы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены «Ндп».

Установленные определения можно, при необходимости, изме­нять по форме изложения, не допуская нарушения границ поня- ций.

В случаях, когда необходимые и достаточные признаки поня­тия содержатся в буквальном значении термина, определение не приведено, и соответственно в графе «Определение» поставлен прочерк.

В стандарте в качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованих терминов па немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание (март 1987 г.) с Изменением Лг 1.
утвержденным в октябре 1986 г. (ИУС 1—87)

.В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.

В стандарте имеется 3 справочных приложения. Приложение 1 содержит термины и определения общих понятий полупроводни­ковых приборов. Приложение 2 содержит вольт-амперные харак­теристики, диаграммы и кривые токов и напряжений.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, л недопустимые синонимы — курсивом.

(Измененная редакция, Изм. № 1).

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное





ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ

1

Постоянное пря­мое1 напряжение

диода

  1. Durchlassgleicli- spannung der Diode

  2. Forward conti­nuous voltage

  3. Tension directe continue


i/p

Постоянное значение прямого напряжения при заданном прямом токе полупроводниково­го диода

2.

Импульсное прямое напряжение диода

  1. Spitzendurchlass- spannung der Diode

  2. Peak forward voltage

  3. Tension directe de Crete

Utip. и

Dfm

Наибольшее мгновен­ное значение прямого напряжения, обуслов­ленное импульсным

прямым током диода за­данного значения

3.

Постоянное обрат­ное напряжение

диода

  1. Sperrgleich- spannung der Diode

  2. Reverse conti­nuous voltage

  3. Tension inverse continue

^ОбР

UR




Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное

4.

Импульсное обрат­ное напряжение

диода

D. Spitzensperr- spannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crete

Uобр, и

Urk

Наибольшее мгновен­ное значение обратного напряжения диода

5.

Среднее прямое

напряжение диода D. Mittlere Durch- lassspannung der Diode

E. Average forward voltage

F. Tension directe moyenne

^пр. ср

Uf(HV)

Среднее за период- значение прямого нап­ряжения диода при за­данном среднем прямом? токе

6.

Пробивное напря­жение диода D. Durchbruchspan- nung der Diode

  1. Breakdown vol­tage

  2. Tension de cla- quage

С/цроб


Значение обратного-

напряжения, вызываю­щее пробой перехода диода, при котором об­ратный ток достигает заданного значения

7.

Постоянный пря­

мой ток диода D. Durchlassgleich- strom der Diode

E. Forward continu­ous current

F. Courant direct continu

/пр

If


8.

Импульсный пря­мой ток диода D. Spitzendurchlass- strom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de crete

/пр. и

Ifm

Наибольшее мгновен­ное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и непов­торяющиеся переход­

ные токи



Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное

9. Средний прямой

ток диода

  1. Mittlerer Durch- lassstrom der Diode

  2. Average forward current

  3. Courant durect inoyen

/пр, ср

/p(AV)

Среднее за период значение прямого тока диода

10. Постоянный обрат­ный ток диода D. Sperrgleichstrom der Diode

  1. Reverse continu­ous current

  2. Courant inverse continu

/обр

Ir


11. Импульсный обрат­ный ток диода D. Spitzensperr- strom der Diode E. Peak reverse cur­rent

F. Courant inverse de crete

Iобр. и

I RM

Наибольшее мгновен­ное значение обратного тока диода, обусловлен­ного импульсным обрат­ным напряжением

12. Прямая рассеивае­мая мощность дио­да

  1. Durchlassver- lustleistung der Diode

  2. Forward power dissipation

  3. Dissipation de puissance en direct

Рия

PF

Значение мощности, рассеиваемой диодом

при протекании прямого тока

13. Обратная рассеи­ваемая мощность диода

  1. Reverse power dissipation

  2. Dissipation de puissance en inverse

Р обр

Pr

Значение мощности, рассеиваемой диодом

при протекании обрат­ного тока

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское 1

между­народное


14.

Средняя рассеива­емая мощность дио­да

  1. Mittlere Verlust- leistung der Diode

  2. Average power dissipation

P ср

р

Среднее за период значение мощности, рас­сеиваемой диодом при протекании прямого и обратного токов

15.

Импульсная рассеи­ваемая мощность диода D. Spitzenverlust- leistung der Diode E. Peak power dissipation

p,.

Рм

Наибольшее мгновен­ное значение мощности, рассеиваемой диодом

16.

Общая емкость

диода D. Gesamtkapazitat der Diode

  1. Terminal capaci­tance

  2. Capasite aux bornes

Сд

Clot

Значение емкости

между выводами дио­да при заданном режя- ме

17

18.

Емкость перехода диода

D. Sperrschichtkapa- zitat der Diode

  1. Junction capaci­tance

  2. Capacity de jonction

Емкость корпуса

диода D. Gehausekapa-

zitat der Diode

E. Case capacitance

Спер

Скор

Сі

Cease

Общая емкость диода без емкости корпуса.

Примечание. В случае, когда диод име­ет р-і-іг структуру, до­пускается использовать термин «емкость струк­туры» и буквенное обоз­начение «Сстр»

Значение емкости

между выводами корпу­са диода при отсутствии кристалла

19. Дифференциальное сопротивление дио­да

D. Differentieiler Widerstand der Diode

  1. Differential resistance

  2. Resistance diffe- rentieile

f диф

Г

Отношение малого

приращения напряже­ния диода к малому приращению тока в нем при заданном режиме



Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное

20. Последовательное сопротивление по­терь диода

D. Serienwiderstand der Diode

Е. Total series equivalent resis­tance

F. Resistance serie totale equivale.l- te

г П

Г,

Суммарное эквива­лентное активное соп­ротивление кристалла, контактных соединений и выводов диода

21. Тепловое сопротив­ление диода D. Warmewider- stand

E. Thermal resistan­ce

F. Resistance ther- mique


Rth

Отношение разности эффективной темпера­туры перехода и темпе­ратуры в контрольной точке к рассеиваемой мощности диода в уста­новившемся режиме

22. Импульсное тепло­вое сопротивление диода


/?(th)P

Отношение разности эффективной температу­ры перехода и темпера­туры в контрольной точке к импульсной мощности диода

23. Тепловое сопротив­ление переход-ок- ружающая среда диода

p

A ©пер-окр


Тепловое сопротивле­ние диода в случае, ког­да температурой в контрольной точке яв­ляется температура ок­ружающей или охлаж­дающей среды

24. Тепловое сопро­

тивление переход — корпус диода

Е. Thermal resis­tance junction to case

/?

v впер-кор

^?thjc

Тепловое сопротивле­ние диода в случае, ког­да температурой в конт­рольной точке является температура корпуса

диода.

Примечание. Ес­ли полупроводниковый кристалл имеет много­слойную структуру, мо­жет быть использован термин «тепловое соп­ротивление структура — окружающая среда» или термин «тепловое сопро­тивление структура-кор­пус»



Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

между­народное

25. Тепловая емкость диода

Е. Thermal capaci­tance

ce

Cth

Отношение тепловой энергии, накопленной в диоде, к разности эф­фективной температуры перехода и температуры в контрольной точке

26. Переходное тепло­вое сопротивление диода

Е. Transient thermal impedance


2(th)t

Отношение разности изменения температуры перехода и температу­ры в контрольной точке в конце заданного ин­тервала времени, вызы­вающего изменение тем­пературы, к скачкооб­разному изменению рас­сеиваемой мощности

диода в начале этого интервала.

Примечание. Не­посредственно перед на­чалом этого интервала времени распределение температуры внутри

диода должно быть пос­тоянным во времени

27. Переходное тепло­вое сопротивление переход—окру­жающая среда дио­да

Е. Transient thermal impedance junc­tion to ambient

7 впер-окр

Z(th)Ja

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда темпера­турой в контрольной точке является темпе­ратура окружающей или охлаждающей среды

28. Переходное тепло­вое сопротивление переход — корпус диода

Е. Transient ther­mal impedance junction to case

7

0пер-кор

h)Jc

Переходное тепловое сопротивление диода в случае, когда темпера­турой в контрольной точке является темпе­ратура корпуса диода