Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и устройства фотоприемные. Термины и определения

ФЭПП одноэлементный 5

ФЭПП охлаждаемый 20

Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фото­диода температурная .187

Характеристика координатного фотодиода координатная 190

Характеристика коэффициента умножения лавинного фото- диода вольтовая 161

Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетиче­ская 163

Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая 159

Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная 184

Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая 1>76

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная 185

Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая 177

Характеристика светового сопротивления ФЭПП темпера­турная Г79

Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая ' 173

Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая Г64

Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температур­ная 1,80

Характеристика темнового тока ФЭПП температурная 181

Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая 158

Характеристика тока шума ФЭПП температурная ' ;183

Характеристика тока шума ФЭПП фоновая 175

Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая 160

Характеристика удельной обнаружительной способности

ФЭПП температурная 186

Характеристика удельной обнаружительной способности

ФЭПП фоновая 178

Характеристика удельной обнаружительной способности

ФЭПП частотная 172

Характеристика фоторезистора люксомическая 165

Характеристика фототока ФЭПП энергетическая 162

Характеристика фототранзистора вольтамперная входная 155

Характеристика фототранзистора вольтамперная выходная 156

Характеристика фототранзистора энергетическая входная 167

Характеристика фототранзистора энергетическая выходная 168

Характеристика ФЭПП вольтамперная 154

Характеристика ФЭПП люксамперная 166

Характеристика ФЭПП нормированная переходная 188

Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная 189

Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая 157

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная .151

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсо­лютная 152

Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная отно­сительная 153

Характеристика чувствительности ФЭПП частотная 169

Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая 174

Характеристика чувствительности ФЭПП температурная 162

Характеристика чувствительности ФЭПП угловая 193

Частота ФЭПП предельная 94

Число элементов ФЭПП 97

Чувствительность фототранзистора -вольтовая 125

Чувствительность фототранзистора токовая 124

Чувствительность ФЭПП 63

Чувствительность ФЭПП вольтовая 69

Чувствительность ФЭПП дифференциальная 73

Чувствительность ФЭПП импульсная 74

Чувствительность ФЭПП интегральная 70

Чувствительность ФЭПП к облученности 66

Чувствительность ФЭПП к освещенности 67

Чувствительность ФЭПП к потоку излучения 64

Чувствительность ФЭПП к световому потоку 65

Чувствительность ФЭПП монохроматическая 71

Чувствительность ФЭПП статическая 72

Чувствительность ФЭПП токовая 68

Шаг элементов ФЭПП 98

Элемент фоточувствительный 40

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный 44

Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный 40

Элемент ФЭПП иммерсионный 44

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit der normierter Umkehriibergangskennlinie 92

Abhangigkeit der equivalenten Rauschleistung im Einheits- frequenzband von dem HintergrundstrahlUngsleistung 177

Abhangigkeit der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrah- lungsfluss 174

Abhangigkeit der photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss 1.63

Abhangigkeit der Rauschspannung von dem Hintergrundstrah- iungsfluss 176

Abhangigkeit der spezifischen Nachweisfahigkett von dem Hin- tergrundstrahlungsfluss 178

Abhangigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungs- starke 165

Abhangigkeit des Fotostroms von dem Strahlungsfluss 162

Abhangigkeit des Fotostroms von der Beleuchtungsstarke 466

Abhangigkeit des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrah- lungsfluss 173

Abhangigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrah- lungsfluss 175

Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie 152

Aquivalente Rauschleistung 78

Aquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband 79

Ansprechempfindlichkeit 63

Anstiegszeit der normierten ubergangs-Rennlinie 91

Aperturblende des Fotoempfangers 47

Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie 156

Basisdunkelstrom Id 1

Basisfotostrom eines Fototransistors 118

Basisgesamtstrom eines Fototransistors 121

Basisspannung 104

Beleuchtungsstarkeempfindlichkeit 67

Bestrahlungsstarkeempfindlichkeit 66

Betriebsspannung 49

Betriebsspannungsabhangigkeit der Empfindlichkeit 157

Betriebsspannungsabhangigkeit der Nachweisfahigkeit 160

Betriebsspannungsabhangigkeit der Rauschspannung ' 159

Betriebsspannungsabhangigkeit des Rauschstromes ,158

Betriebsspannungsabhangigkeit des Vervielfachungsfaktors der

Lawinenfotodiode 161

Bipolarfototransistor 19

Differentielle Empfindlichkeit 73

Differentieller elektrischer Widerstand 53

Dunkelstrom 58

Dunkelstromverstarkungsfaktor der Lawinenphotodiode 132

Dunkelwiderstand 55

Durchbruchspannung einer Fotodiode < 50

Dynamischer Bereich 141

Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel 90

Effektivflache des Fflhlelements 88

Einelementfotoempfanger 5

Eingangs-Stroin-Spannungs-Kennlinie 155

Einstellzeit der normierten Obergangskennlinie 93

Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Fototransistors 11,4

Emitter-Basis-Durchbruchspannung eines Fototransistors 107

Emitterdunkelstrom 110

Emittergesamtstrom eines Fototransistors 120

Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Fototransistors 115

Emitter-Kollektor-Durchbruchspannung eines Fototransistors 108

Emitterfotostrom 117

Emitterspannung 103

Empfindlichkeitsoberflachenverteilung 192

Empfindlichkeitswinkelverteilung 1193

Flachenungleichmassigkeit der Empfindlichkeit 142

Fotodiode 11

Fotodiode mit Heteroiibergang 14

Fotoelektrischer Kopplungsfaktor 100

Fotoempfangeranschluss 41

Fotoempfangerbetriebsweise bei Anpassung 38

Fotoempfangerbetriebsweise bei Uberlagerungsempfang 39

Fotoempfangereingangsfenster 46

Fotoempfangergehause 43

Fotoempfangerimmersionselement 44

Fctoempfindliches Halbleiterbauelement . 1

Fotofeldeffekttransisfor 18

Fotosignalspannung 11

Fotosignalstrom 62

Fotostrom 59

Fotostromverstarkungsfaktor 126

Fotostromvervielfachungsfaktor 133

Fototransistor 17

Fototransistorbetriebsweise mil offener Basis 35

Fotowiderstand 10

Frequenzgang der Empfindlichkeit 169'

Fuhlelementenabstand 99

Fiihlelementenanzahl 9>7

Gekiihlter Fotoempfanger 20

Gesamtempfindlichkeit 70

Gesamtstrom 60

Gesamtverlustleistung 138

Gesichtsfeldwinkel 89'

Grenzfrequenz 94

Halbleiterfotoelement 2

Heilwiderstand 57

Immersionsfotoempfanger . 9

Impulsempfindlichkeit 74

Injektionsfotodiode 16

Instabilitatskoeffizient der Empfindlichkeit 145

Instabilitatskoeffizient desDunkelstromes 144

Instabilitatskoeffizient des Widerstandes 143

Isolationsfestigkeit 52

Kapazitat 95

Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Fototransistors 1,13

Kollektor-Basis-Durchbruchspannung eines Fototransistors 106

Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Fototransistors 123

Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Fototransistors 122

Kollektordunkelstrom 109

Kollektor-Emitter-Dunkelstrom eines Fototransistors 112

Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung eines Fototransistors 105

Kollektorfotostrom eines Fototransistors 116

Kollektorgesamtstrom eines Fototransistors 119

Kollektorspannung 102

Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung 134

Kurzschlussbetrieb des Fotoempfangers ' 36

Kurzwellengrenze 85

Langwellengrenze 86

Lawinenfotodiode 15

Leerlaufbetrieb des Fotoempfangers 37

Lichtempfindliches Element eines Fotoempfangers 40

Lichtstabilitat 147

Lichtstromempfindlichkeit 65

Maximal zulassige Spannung 51

Maximal zulassige Verlustleistung 139

Monochromatische Empfindlichkeit 71

Multispektralfotoempfanger 4

Nachweisfahigkeit 81

Normierte Ubergangscharakteristik 188

Normierte Umkehriibergangscharakteristik 189

Nullpunktdrift 191

Nullpunktwiderstand einer Fotodiode 56

Nullvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterfotovoltzelle 34

Ortsempfindlicher Fotoempfanger 7

Parameterstreuung 10T

Photoelektrischer Kopplungs faktor 100

Pin-Fotodiode 12

Rastermass 98

Rauschspannung 77

Rauschspannungsspektrum 171

Rauschstrom 76

Rauschstromspektrum 170

Reihenwiderstand einer Fotodiode 96

Relativer Verstarkungsfaktor 137

Relative spectral Empfindlichkeitskennlinie 153

Schichttrager des Fotoempfangers 45

Schottky-Fotodiode 13

Spannungsempfindlichkeit 19

Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors 425

Spektrale Empfindlichkeit 1151

Spektraler Empfidlichkeitsbereich 87

Sperrvorspannungsbetriebsweise der Halbleiterfotovoltzelle 32

Spezifische aquivalente .Rauschleistung 80

Spezifische Nachweisfahigkeit 82

Statische Empfindlichkeit T2

Statischer Widerstand 54

Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie 75

Strahlungsflussabhangigkeit des statischen Widerstands 154

Strahlungsflussempfindlichkeit 64

Stromempfindlichkeit 63

Stromempfindlichkeit eines Phototransistors 1.24

Strom-Spannung-Kennlinie 154

Temperaturkoeffizient der Betriebsspannung 135

Temperaturkoeffizient des Fotostromes 146

Temperaturverlauf der aquivalenten Rauschleistung im Ein- heitsfrequenzband 1:85

Temperaturverlauf der Empfindlichkeit 182

Temperaturverlauf der Nullpunktdrift P87

Temperaturverlauf der Rauschspannung P84

Temperaturverlauf der spezifischen Nachweisfahigkeit 186

Temperaturverlauf des Dunkelstroms 181

Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands 180

Temperaturverlauf des Hellwiderstands 179

Temperaturverlauf des Rauschstroms 483

Tragerlawinenzustand der Fotodiode 33

Uberlagerungsfotoempfanger 8

Unabhangige Betriebszeit 150

Verstarkungsfaktor der Injektionsfotodiode 136

Vielelementfotoempfanger 6

Wellenlange der maximalen Spektralempfindlichkeit 84

Zustand des Fotoelempfangers 29

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

изложить в новой редакции:

Absolute spectral-response characteristic 152

Angular field of view 89

Avalanche mode of photodiode operation 33

Avalanche photodiode 15

Back-biased mode of photovoltaic detector operation 32

Background limited photodetector state 29

Base dark current 111

Base photocurrent of a phototransistor . Ц8

Base total current of a phototransistor

Base voltage

Bias detectivity characteristic

Bias multiplication factor characteristic of the avalanche pho­todiode

Bias noise current characteristic

Bias noise voltage characteristic

Bias voltage response characteristic

Bipolar phototransistor

BLIP

Breakdown voltage of a photodiode

Capacitance

Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

Collector-base dark current of a phototransistor

Collector-base total current of a phototransistor

Collector dark current

Collector-emitter breakdown voltage of a phototransistor

Collector-emitter dark current of a phototransistor

Collector-emitter total current of a phototransistor

Collector photocurrent of a phototransistor

Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

Collector total current of a phototransistor

Collector voltage

Cooldown time

Cooled detector

Current responsivity

Current responsivity of the phototransistor

Current-voltage characteristic

Cut-off frequency

Dark current

Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode

Dark current-temperature characteristic

Dark current unstability coefficient

Dark resistance

Dark resistance-temperature characteristic

Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

Detectivity

Detector aperture stop

Detector-film base

Detector optical immersion element

Detector sensitive element

Detector .terminal

Detector window

Differential electrical resistance

Differential responsivity

Dynamic range

Effective area of the responsive element

Effective weighted solid angle

Element number

Element spacing

Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

Emitter-base dark current of a phototransistor

Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

Emitter-collector dark current of a phototransistor

Emitter dark current

Emitter photocurrent of a phototransistor

E ■121 104 16G

161 158

159 157

19

38 50

95

106 113

123 109 105 112 1(22

116 108 119 102' 149

20 68

124 154

94

58

132 181

144

55

180

92 81

47 45

44 40

41

46

53 73

141

88

90

97

99

107 114

108

115 110 117 120

mitter total current

Emitter voltage

103

Field effect phototransistor

18

Figure of merit straggling

101

Floating-base phototransistor operation

35

Frequency response characteristic

169

Heterodyne detector

8

Heterodyne reception mode of detector operation

39

Heterojunction photodiode

14

Illuminance-resistance characteristic slope

75

Illuminance responsivity

67

Immersed detector

0

Independent operating time

150

Injection photodiode

16

Injection photodiode gain

106

Input current-voltage characteristic

155

Insulating strength

52

Irradiance responsivity

66

Light resistance-temperature characteristic

1,79

Light unstability

147

Long wavelength limit

86

Luminous flux responsivity

65

Matched impedance mode of detector operation

38

Maximum admissible power dissipation

130

Maximum admissible voltage

51

Monochromatic responsivity

71

Multi-band photodetector

4

Multi-element detector

G

NEP-background radiant flux characteristic

177

NEP-temperature characteristic

185

Noise current

76

Noise current-background radiant flux characteristic

175

Noise current spectrum

170

Noise current-temperature characteristic

183

Noise equivalent power

78

Noise equivalent power of the background limited

infrared photodetector (BLIP)

83

Noise voltage

77

Noise voltage-background radiant flux characteristic

176

Noise voltage spectrum

171

Noise voltage-temperature characteristic

184

Normalized inverse transfer characteristic

189

Normalized transfer characteristic

188

Open-circuit mode of detector operation

37

Operating voltage

49

Operating voltage constant keeping accuracy

134

Operating voltage temperature coefficient

135

Output current-voltage characteristic

166

Peak spectral response wavelength

84

Photoconductive cell

10

Photocurrent

59

Photocurrent gain factor

126

Photocurrent-illuminance characteristic

166

Photocurrent multiplication factor

133

Photocurrent-radiant flux characteristic

162

Photocurrent-temperature coefficient

146

Photodetector package

43

Photodiode

IT

Photoelectric coupling coefficient ЮО

Photoelectric semiconductor detector 2

Photoelectric signal current 62

Photoelectric signal voltage 61

Photoelectric signal voltage-radiante flux characteristic 163

Photosensitive semiconductor device 1

Phototransistor . 1'7

Pin-photodiode 12

Pitch 98

Position-sensitive detector ' 7

Pulse responsivity 74

Radiant power-static resistance characteristic 164

Radiant flux responsivity 64

Relative gain 137

Relative spectral-response characteristic 153

Resistance-illuminance characteristic ' ‘ 165

Resistance under illumination 57

Resistance under illumination-background radiant flux charac­teristic 173

Resistance under illumination-temperature characteristic — ' 179

Resistance unstability coefficient 143

Response unstability coefficient 145

Responsivity , 63

Responsivity-background radiant flux characteristic 174

Responsivity directional distribution .. 193

Responsivity surface distribution 192

Responsivity-temperature characteristic Ii82

Rise time of the normalized transfer characteristic 91

Schottky-Barrier-Photodiode 13

Short-circuit mode of detector operation 36

Short-wavelength limit 85

Series resistance 96

Set-up time of the normalized transfer characteristic 93

Signale-element detector ' 5

Spacing response non-uniformity 1(42

Specific detectivity 82

Specific detectivity-background radiant flux characteristic 178

Specific detectivity frequency dependence 172

Specific detectivity-temperature characteristic 186

Specific noise equivalent power 80

Spectral sensitivity 151

Spectral sensitivity range 87

Static resistance 54

Static responsivity 72

Total current 60

Total power dissipation 138

Total responsivity 70

Unit frequency bandwidth noise equivalent power 79

Voltage responsivity 69

Voltage responsivity of the phototransistor 125

Zero-bias mode of photovoltaic detector operation 34

Zero-bias resistance of a photodiode 56

Zero drift 191

Zero drift-temperature characteristic 187

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ

Aire efficace de I’element detecteur 8®

Angle d’ouverture . 89

Angle solide efficace 90

Boitier du detecteur 43

Branchement du detecteur 41

Capacity 95

Caracteristique courant-tension 154

Caracteristique courant-tension d’entree 155

Caracteristique courant-tension de sortie 1(56

Caracteristique de frequence de la reponse 1(69

Caracteristique de sensibilite spectrale absolue 152

Caracteristique de sensibilite spectrale relative 1(53

Caracteristique de transmission inverse normalise 189

Caracteristique de transmission normalis£e 1(88

Cellule photoinductive 10

Coefficient de couplage photoelectrique 100

Coefficient de 1’instabilite du courant d’obscurite 144

Coefficient de 1’instabilite de resistance 143

Coefficient de 1’instabilite de la reponse 145

Coefficient de temperature du photocourant 146

Coefficient de temperature de tension de regime 135

Courant de bruit 76

Courant d’obscurite 58

Courant d’obscurite de base 111

Courant d’obscurite d’emetteur U1.0

Courant d’obscurite du collecteur 1,09

Courant d’obscurite emetteur-base de phototransistor 114

Courant d’obscurite emetteur-collecteur de phototransistor 115

Courant d’obscurite collecteur-base de phototransistor 113

Courant d’obscurite collecteur-emetteur de phototransistor 112

Courant total 60

Courant total collecteur-base de phototransistor 12^

Courant total collecteur-emetteur de phototransistor 122

Courant total d’emetteur de phototransistor 120

Courant total de base 121

Courant total du collecteur 119

Detecteur a element unique 5

Detecteur a immersion ' 9

Detecteur a semi-conducteur photoelectrique 2

Detecteur heterodyne 8

Detecteur multiple 6

Detectivite 81

Detectivity reduite 82

Diaphragme d’ouverture du detecteur 47

Dispersion de figure de merite 101

Dispositif semiconducteur photosensible 1

Dissipation totale de puissance 138

Distribution directionnelle de la reponse 1,93

Distribution superficielle de la reponse 192

Duree d’operation autonome 150

Ecartement 98

Element a immersion du detecteur 44

Element sensible du detecteur 40

Espacement des elements 99

Facteur de multiplication de photocourant " 133

Facteur de multiplication de courant d’obscurite de photo-diode a avalanche 132

Fenetre du detecteur 46

Fonctionnement du detecteur a circuit ouvert 37

Fonctionnement du detecteur a court-circuit 36

Frequence de coupure 94

Gain de photocourant 126

Gain de photodiode a injection 136

Gain relatif 137

Gamme dynamiqae 141

Instability lumineuse 147

Longueur d’onde de la sensibilite spectrale maximale 84

Nombre des elements 97

Non-uniformite de la reponse spatiale 14i2

Part sensible spectrale de dispositif photosensible 87

Pente de caracteristique eclairement-resistance 75

Photocourant 59

Photocourant d’emetteur de phototransistor 117

Photocourant de base de phototransistor 118

Photocourant du collecteur de phototransistor M6

Photodetecteur a plusieurs gammes 4

Photodetecteur refroidi 20

Photodiode 11

Photodiode a avalanche 15

Photodiode d’injection 16

Phototransistor 17

Phototransistor a effet de champ 18

Phototransistor bipolaire 19

Pin-photodiode 12

Puissance dissipee maximale admissible 139

Puissance equivalente au bruit 78

Puissance equivalente au bruit dans une bande passante des frequences unitaires 79

Puissance equivalente au bruit du philra detecteur 83

Puissance reduite equivalente au bruit 80

Regime de fonctionnement du detecteur d’operation 39

Regime de fonctionnement du detecteur du resistance de charge 38

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique . 34

Regime de fonctionnement du detecteur photovoltaique de con- tretension de polarisation 3S

Regime du phototransistor de basis flottante 35

Regime photodetecteur infrarouge limite par le rayonnement ambiant 29

Reponse 63

Reponse a I’eclairement energetique 66

Reponse a I’eclairement lumineux 67

Reponse au flux energetique 64

Reponse au flux lumineux 65

Reponse d’impulsions 74

Reponse en courant 68

Reponse en courant du phototransistor 124