Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

214. Максимальное входное напряжение низ­кого уровня интеграль­ной микросхемы

Максимальное входное напряжение низкого уровня

СУ⁰

вх max

^iLmax

Наибольшее положитель­ное или наименьшее отри­цательное значение напря­жения из допустимого диа­пазона входных напряже­ний низкого уровня интег­ральной микросхемы

215. Максимальное входное напряжение вы­сокого уровня интег­ральной микросхемы

Максимальное входное напряжение высокого уровня

е¹

вх max

U IHmax

Наибольшее положитель­ное или наименьшее отрица­тельное значение напряже­ния из допустимого диапа­зона входных напряжений высокого уровня интеграль­ной микросхемы

216. Минимальное

входное напряжение низ­кого уровня интеграль­ной микросхемы

Минимальное входное напряжение низкого

уровня

ВХ 1П1П

Ці. min

Наименьшее положитель­ное или наибольшее отри­цательное значение напря­жения из допустимого диа­пазона входных напряжений низкого уровня интеграль­ной микросхемы

217. Минимальное входное напряжение вы­сокого уровня интеграль­ной микросхемы

Минимальное входное напряжение высокого уровня

и¹

ВХ 1П1П

C'lllmln

Наименьшее положитель­ное или наибольшее отрица­тельное значение напряже­ния из допустимого диапа­зона входных напряжений высокого уровня интеграль­ной микросхемы

218. Максимальное вы­ходное напряжение низ­кого уровня интеграль­ной микросхемы

Максимальное выход­ное напряжение низкого уровня

вых max

^OLmax

Наибольшее положитель­ное или наименьшее отрица­тельное значение напряже­ния из допустимого диапа­зона выходных напряжений низкого уровня интеграль­ной микросхемы

21’9. Минимальное вы­ходное напряжение вы­сокого уровня интеграль­ной микросхемы

.Минимальное выход­ное напряжение высоко, го уровня

17^і

^ивых mm

l/onmln

Наименьшее положитель­ное или наибольшее Отри­цательное значение напря­жения из допустимого диа­пазона выходных напряже­нии высокого уровня интег­ральной микросхемы

220;. Ток инжектора интегральной микросхе­мы

Ток инжектора

/ин ж

/g

Ток в цепи вывода пита­ния, необходимый для ра­боты интегральной микро­схемы в заданном режиме

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

221. Ток потребления в состоянии «Выключе­но» интегральной микро­схемы

Ток потребления в со­стоянии «Выключено»

/по т.в ы к л

/ccz

Ток потребления интег­ральной микросхемы при закрытом состоянии выхода.

Примечание. Тер­мин используют для схем с тремя состояниями на выходе

Uw

Uccs

Udi

и°

вх.н

^DIL

^х.и

^ПІН

U в ых.и

Udo

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

227. Напряжение низ­кого уровня сигнала вы­ходной информации ин­тегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выход­ной информации

и°

ВЫХ.И

^DOL

Напряжение на выходе сигнала информации интег­ральной микросхемы, соот­ветствующее низкому уров­ню

228. Напряжение высо­кого уровня сигнала вы­ходной информации ин­тегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации

вых.и

Udou

Напряжение на выходе сигнала информации интег­ральной микросхемы, соот­ветствующее высокому

уровню

229. Напряжение сиг­нала записи интеграль­ной микросхемы

Напряжение сигнала записи

U-.ta

Uwn

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интег­ральную микросхему

230. Напряжение низ­кого уровня сигнала за­писи интегральной' мик­росхемы

Напряжение низкого уровня сигнала записи

и°_за

L^wrl

Наибольшее значение на­пряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интег­ральную микросхему

231. Напряжение высо­кого уровня сигнала за­писи интегральной мик­росхемы

Напряжение высокого уровня сигнала записи

Ur/ пи

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня па входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информа­ции в интегральную микро­схему

232. Напряжение сиг­нала считывания интег­ральной микросхемы

Напряжение сигнала считывания

Усч

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе сигнала считыва­ния, обеспечивающее считы­вание информации из ин­тегральной микросхемы

233. Напряжение низ­кого уровня сигнала счи­тывания интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала считыва­ния

и° сч

^RDL

Наибольшее значение на­пряжения низкого уровня на входе сигнала считыва­ния, обеспечивающее считы­вание информации из интег­ральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

234. Напряжение высо­кого уровня сигнала счи­тывания интегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала считыва­ния

7/rdh

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня на входе сигнала считыва­ния, обеспечивающее считы­вание информации из ин­тегральной микросхемы

235. Напряжение сиг­нала разрешения интег­ральной микросхемы

Напряжение сигнала разрешения

и.

t/св

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе сигнала разреше­ния, обеспечивающее выпол­нение интегральной микро­схемой заданной функции

236. Напряжение низ­кого уровня сигнала раз­решения интегральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала разреше­ния

^CEL

Наибольшее значение на­пряжения низкого уровня на входе сигнала разреше­ния, обеспечивающее выпол­нение интегральной микро­схемой заданной функции

237. Напряжение высо­кого уровня сигнала раз­решения интегральной

микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала разреше­ния

Не ЕН

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня на входе сигнала разреше­ния, обеспечивающее выпол­нение интегральной микро­схемой заданной фу и кци и

238. Напряжение сиг­нала адреса интеграль­ной микросхемы

Напряжение сигнала адреса

и_Л

£/л

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин­тегральной микросхемы

239. Напряжение низ­кого уровня сигнала ад­реса интегральной мик­росхемы

Напряжение низкого уровня сигнала адреса

^АІ.

Наибольшее значение на­пряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин- тегр альной микросхем ы

240. Напряжение высо­кого уровня сигнала ад­реса интегральной мик­росхемы

Напряжение высокого уровня сигнала адреса

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин­тегральной микросхемы

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

241. Напряжение сиг­нала запись-считывание интегральной микросхе­мы

Напряжение сигнала запись-считывание

Єп/сч

U WR/RD

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на выводе сигнала запись- считывание интегральной микросхемы, обеспечиваю­щее выполнение функции записи или считывания

242. Напряжение низ­кого уровня сигнала за­пись-считывание интег­ральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала запись- считывание

С7°

зп/сч

WR/RDL

Наибольшее значение на­пряжения на выводе сигна­ла запись-считывание ин­тегральной микросхемы,

обеспечивающее выполнение функции записи или считы­вания

243. Напряжение высо­кого уровня сигнала за­пись-считывание интег­ральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала запись- считывание

г/1

^w зп/сч

^WR/RDH

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня на выводе сигнала запись- гчитывание интегральной микросхемы, обеспечиваю­щее выполнение функции записи или считывания

244. Напряжение сиг­нала выбора интеграль­ной микросхемы

Напряжение сигнала выбора

244. Напряжение низ­кого уровня сигнала вы­бора интегральной мик­росхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора

і/в.м

t/cs

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе сигнала выбора интегр а льной м и кро сх е м ы

и*

в.м

^CSL

Наибольшее значение на­пряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегр а л ьн о й м і гкросх ем ы

246. Напряжение вы­сокого уровня сигнала выбора интегральной

микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора

^им

t/cSH

Наименьшее значение на­пряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы

247. Напряжение так­тового сигнала интег­ральной микросхемы

Напряжение тактового сигнала

и?

U_c

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу ин­тегральной микросхемы в определенный интервал вре­мени

Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечест­венное

между­народное

248. Напряжение сиг­нала выбора адреса столбцов интегральной' микросхемы

Напряжение сигнала выбора адреса столбцов

^в.а,.к

i/cAS

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной мик­росхемы

249. Напряжение низ­кого уровня сигнала вы­бора адреса столбцов интегральной микросхе­мы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов

С.к

^CASL

Напряжение на входе сиг­нала выбора адреса столб­цов интегральной микро­схем ы, соответствующее

низкому уровню

250. Напряжение высо­кого уровня сигнала вы­бора адреса столбцов интегральной микросхе­мы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов

^.з.к

б-'cASH

Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной мик­росхемы, соответствующее высокому уровню

251. Напряжение сиг­нала выбора адреса строк интегральной мик­росхемы

Напряжение сигнала выбора адреса строк

^в.а.с

^RAS

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микро­схемы

252. Напряжение низ­кого уровня сигнала вы­бора адреса строк интег­ральной микросхемы

Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк

сг°

в.а.с

^RASL

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микро­схемы, соответствующее

низкому уровню

253. Напряжение вы­сокого уровня сигнала выбора адреса строк ин­тегральной микросхемы

Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк

f/'.a.e

f^RASH

Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микро­схемы, соответствующее вы­сокому уровню

254. Напряжение сиг- зала стирания интеграль­ной микросхемы

Напряжение сигнала стирания

U ст

t^ERA

Наибольшее или наимень­шее значение напряжения на выводе сигнала «стира­ние» интегральной микро­схемы, обеспечивающее сти­рание информации