ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
213. Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы
I кшряжение инжектора при заданном токе инжектора
Продолжение табл. 1
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
214. Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение низкого уровня |
СУ0 вх max |
^iLmax |
Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
215. Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение высокого уровня |
е1 вх max |
U IHmax |
Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы |
216. Минимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение низкого уровня |
ВХ 1П1П |
Ці. min |
Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
217. Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение высокого уровня |
и1 ВХ 1П1П |
C'lllmln |
Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы |
218. Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение низкого уровня |
вых max |
^OLmax |
Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
21’9. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы .Минимальное выходное напряжение высоко, го уровня |
17і ивых mm |
l/onmln |
Наименьшее положительное или наибольшее Отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжении высокого уровня интегральной микросхемы |
220;. Ток инжектора интегральной микросхемы Ток инжектора |
/ин ж |
/g |
Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|||
отечественное |
международное |
||||
221. Ток потребления в состоянии «Выключено» интегральной микросхемы Ток потребления в состоянии «Выключено» |
/по т.в ы к л |
/ccz |
Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода. Примечание. Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
222, Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы
Напряжение питания в режиме хранения
Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала входной информации
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение низкого уровня сигнала входной информации
Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы
Напряжение высокого уровля сигнала входной информации
Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы
Напряжение сигнала выходной информации
Uw |
Uccs |
|
Udi |
и° вх.н |
^DIL |
^х.и |
^ПІН |
U в ых.и |
Udo |
Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы
Продолжение табл. 1
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации |
и° ВЫХ.И |
^DOL |
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню |
228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации |
вых.и |
Udou |
Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню |
229. Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение сигнала записи |
U-.ta |
Uwn |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему |
230. Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной' микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала записи |
и°за |
L^wrl |
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему |
231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала записи |
|
Ur/ пи |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня па входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему |
232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания |
Усч |
|
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы |
233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала считывания |
и° сч |
^RDL |
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы |
Продолжение табл. I
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала считывания |
|
7/rdh |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы |
235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала разрешения |
и. |
t/св |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции |
236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала разрешения |
|
^CEL |
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции |
237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала разрешения |
|
Не ЕН |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной фу и кци и |
238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение сигнала адреса |
иЛ |
£/л |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы |
239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала адреса |
|
^АІ. |
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке ин- тегр альной микросхем ы |
240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала адреса |
|
|
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы |
Продолжение табл. 1
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
241. Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение сигнала запись-считывание |
Єп/сч |
U WR/RD |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала запись- считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала запись- считывание |
С7° зп/сч |
WR/RDL |
Наибольшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала запись- считывание |
г/1 w зп/сч |
^WR/RDH |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выводе сигнала запись- гчитывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
Напряжение сигнала выбора
Напряжение низкого уровня сигнала выбора |
і/в.м |
t/cs |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегр а льной м и кро сх е м ы |
и* в.м |
^CSL |
Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегр а л ьн о й м і гкросх ем ы |
|
246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора |
им |
t/cSH |
Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы |
247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы Напряжение тактового сигнала |
и? |
Uc |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной' микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса столбцов |
^в.а,.к |
i/cAS |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы |
|
249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов |
С.к |
^CASL |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхем ы, соответствующее низкому уровню |
|
250. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов |
^.з.к |
б-'cASH |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню |
|
251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса строк |
^в.а.с |
^RAS |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы |
|
252. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк |
сг° в.а.с |
^RASL |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню |
|
253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк |
f/'.a.e |
f^RASH |
Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню |
|
254. Напряжение сиг- зала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания |
U ст |
t^ERA |
Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала «стирание» интегральной микросхемы, обеспечивающее стирание информации |