Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
14. Входная емкость полевого транзистора Входная емкость D. Eingangskapazi- tat Е. Input capacitance F. Capacite d’entree |
*--1111 |
C11SS |
Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе в схеме с общим истоком |
15. Выходная емкость полевого транзистора Выходная емкость D. Ausgangskapazi- tat
|
Саги |
Caass |
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
16. Проходная емкость полевого транзистора Проходная емкость D. Rtickwirkungska- pazitat
|
С12И |
Ciass |
Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
Полная входная проводимость D„ Kurzschluss- Ein- gangsscheinleit- wert
|
Ун и |
Vils |
|
ющая входной проводимости полевого транзистора Активная входная проводимость D. Realteil des Kurz- schluss-Eingangs- leitwertes |
&11И |
Sus |
|
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
|
|
|
||
|
|
отечественное |
международное |
|
|
Е. Shors-circuit input conductance F. Conductance d’entree, la sortie etant en court-circuit |
|
|
|
19 |
Полная проводи мость обратной передачи полевого транзистора Полная проводи мость обратной передачи D. Kurzschluss-Riick- wirkungsschein- leitwert Е. Short-circuit re- verce-transfer admittance F. Admittance de transfer! inverse, I’entrfee etant en court-circuit |
Ут |
1/12.5 |
|
20. |
Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости обратной передачи D. Betrag des Kurz- schluss-Riickwir- kungsscheinleit- wertes E. Modulus of the shortcircuit reverse transfer admittance F. Module de i’admit- tance de transfert inverse, I’entree etant en court-circuit |
ll/ии] |
[//185 ] |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
21. Полная проводи мость прямой передачи полевого транзистора Полная проводи мость прямой передачи
admittance
|
l/atu |
Ут |
|
22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи
|
ІУаіи] |
[l/airl |
|
23. Полная выходная проводимость полевого транзистора Полная выходная проводимость D. Kurzschluss- Ausgangsschein- leitwert Е. Short-circuit output admittance |
Уми |
Ут |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
F. Admittance de sortie, Геп tree entant en court-circuit |
|
|
|
24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора Активная выходная проводимость
etant en couit-cir- cuit |
&22И |
Sils |
|
25. Шумовое напряжение полевого транзистора Шумовое напряжение D. Rauschspannung Е. Noise voltage F. Tension de bruit |
t/ш |
Un |
Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком |
26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора э. д. с. шума D. Rauschurspan- nung Е. Noise force electrovelocity |
|
еп |
Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком |
27. Шумовой ток полевого транзистора Шумовой ток D. Rauschstrom Е. Noise current F. Courant de bruit |
/ш |
in |
Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот Д f в схеме с общим истоком |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|||||
отечественное |
международное |
||||||
28 |
Шумовое сопротивление полевого транзистора Шумовое сопротивление
|
Яш |
Я„ |
Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением - £ Ш г. |
|||
|
|
|
Rm—£> ш — э. д. с. шума |
||||
29 |
Коэффициент шума полевого транзистора Коэффициент шума
|
Кш |
F |
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
|||
30 |
Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Коэффициент усиления по мощности D. Leistiungsverstar- kung
|
Яур |
Ср |
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения |
|||
31. |
Время задержки включения полевого транзистора Время задержки включения D. Einschaltverzoge- rungszeit
|
^зд.вкл |
hl (on) |
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса |
|||
32. |
Время нарастания для полевого транзистора Время нарастания
|
^нр |
|
Интервал времени между 10%-ным и 90%- ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
||
отечественное |
международное |
|||
33. Время задержки выключения полевого транзистора Время задержки выключения D. Ausschaltverzoge- rungszeit
|
^зд.выкл |
tdioff) |
Интервал времёни между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса |
|
34. Время спада для полевого транзистора Время спада D. Abfallzeit Е. Fall time F„ Temps de decrois sance |
Ап |
tf |
Интервал времени между 90%-ным и 10%- ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора |
|
35. Время включения полевого транзистора Время включения D. Einschaltzeit Е. Turn-on time F. Temps total d’eta- blissement |
Акл |
ton. |
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора |
|
36. Время выключения полевого транзистора Время выключения D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time F. Temps total de ceupure |
^выкл |
toff |
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада |
|
37. Разность напряжений затвор—исток D. Gate-Source- Spannungsdiffe- renz (eines Dop- pelgate-Feldeffekt- transistors
|
I ^зйі- ~^ЗИ2 I |
|
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока |
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
38. Температурный уход |
Д 1 ^зй, |
* 1 ^01 _ |
Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного по- |
разности напряжений затвор—исток D. Temperaturdrift |
AT ^ЗИ2 1 |
ДТ ^G2 1 |
|
der Gate-Source— Spannungsdiffe- renz (eines Dop- pelgate-Feldef- fekttransistors)
tage with temperature
tensions grille source avec la temperature |
AT |
AT |
левого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды |
39. Разность активных выходных проводимостей D. Differenz der Re- alteile der Aus- gangsleitwerte (eines Doppeiga- te-Feldeffekttran- sistors) |
#22(и)1 ~' —ff22(H)2 |
G22S1 ~ ~$22S2 |
Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора |
40. Отношение началь- |
^С(нач)! |
Л) SSI |
Отношение меньшего |
ных токов стока D. Drain-Source- Kurzschlussstrom- verhaltnis (eines Doppelgate-Feld- effekttransistors) E. Ratio of drain currents F. Rapport de Courant de drain |
С(нач)2 |
^DSS2 |
значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора |
41. Разность токов утечки затвора D. Gatereststromdif- ferenz (eines Doppelgate-Feld- effekttransistors) |
^3(ут)1~ ■~У3(ут)2 |
^GSSl — lGSS‘2 |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
41а. Постоянная рассеиваемая мощность стока D. Drain-Source-Ver- lustleistung |
PC |
Pds |
— |
421. Максимально допустимое напряжение сток—исток
male drain-source |
^CH .max |
^DSmax |
|
43. Максимально допустимое напряжение затвор—исток
|
^ЗИ.тах |
^CSmax |
|
44. Максимально допустимое напряжение затвор—сток
|
^ЗС.тах |
^GDmax |
|
45. Максимально допустимое напряжение сток—подложка D. Maximal zulassi- ge Drain-Bulk- Spannung |
^СП.тах |
^DBmax |
|
Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
Е. Maximum drainsubstrate voltage F, Tension maximale drain-substrate |
|
|
|
46. Максимально допустимое напряжение исток—подложка
|
^ИП.тах |
SBmax |
|
47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка
|
^ЗП.тах |
GBm ак |
|
48. Максимально допустимое напряжение между затворами
zwischen den Gates
|
1/(31- 32)тах |
^(Gl-O2)max |
|
49. Максимально допустимый постоянный ток стока
|
^С.тах |
|
|