tr
Макс*'
Макс
*
Макс
Макс
Макс
Макс
Номер пункта
Характеристики
Условия при ТатпЬили “25 вС, если не оговорено иное
Буквенное обозначения
Требования
6.8
или:
время включения и время выключения
Оговоренная схема, заданные значения Vce и Ic, Ev или Ев
Макс Макс
Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—12 осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала при цветовой температуре 7=2855,6 К или иным оговоренным источником монохроматического излучения.
Дополнительные сведения
Диаграмма чувствительности
Спектральная диаграмма
Графическое выражение зависимости спектральной чувствительности от длины волны.
Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов
и/или на срок службы
На рассмотрении.
Раздел 5. ФОТОПАРЫ, ОПТОПАРЫ (С ТРАНЗИСТОРОМ НА ВЫХОДЕ)
Тип
Фотопары, оптопары, параметры которых устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, предназначенные для разделения сигналов.
Полупроводниковый материал
Диод на входе: арсенид галлия, арсенид алюминия и др.
Транзистор на выходе: кремний и др.
Тип перехода транзистора на выходе ~
Сведения о габаритном чертеже и корпусе
Обозначение МЭК и/или национальное' обозначение габаритного чертеж
а
Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.
Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.
Предельно допустимые значения параметров (система абсолютных максимальных значений) в диапазоне рабочих температур, если не оговорено иное
Указываются все необходимые характеристики, такие как время, частота, длительность импульса, скважность и т. д.
Минимальная и максимальная температуры хранения ( Tstg).
Минимальная и максимальная рабочие температуры окружающей Среды ИЛИ В контрольной точке (Tatnb ИЛИ Tref).
Максимальная температура пайки (Tsia).
Должны быть оговорены максимальное время пайки и минимальное расстояние, до корпуса.
Максимальное постоянное (прямое) обратное входное напряжение (16?).
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутой базе (Усео).
Максимальное, напряжение коллектор-база при наличии внешнего соединения базы и при разомкнутом эмиттере (Vcbo)-
Максимальное напряжение эмиттер-база при наличии внешнего соединения базы и при разомкнутом коллекторе (Vebo)
или
Максимальное напряжение эмиттер-коллектор при отсутствии внешнего соединения базы (Veco).
Максимальное постоянное (прямое) или повторяющееся импульсное напряжение изоляции (Ую или Viorm).
Должны быть заданы форма сигнала и частота повторения.
При необходимости максимальное импульсное напряжение изоляции £Viosm).
Следует оговорить значения для импульсов обеих полярностей, имеющих форму сигнала, показанную на черт. 1.
Максимальный постоянный ток коллектора (/с).
Максимальный постоянный прямой входной ток (h) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25°С. Понижающая кривая, или понижающий фактор.
Максимальный импульсный прямой входной ток (7frm) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С и оговоренных параметрах импульса.
Максимальная рассеиваемая мощность транзистора на выходе (Ptm) при температуре окружающей среды или в конт-
°
рольной точке 25 тор.
С. Понижающая кривая или понижающий фак-Максимальная общая рассеиваемая мощность в корпусе (Ptot) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С. Понижающая кривая или понижающий фактор.
Электрические характеристики
Таблица 6
Номер пункта
Характеристики
Условия при ТатЬ или Тгеу=25 °С, если не оговорено иное
Буквенные обозначения
Требования
6.L
6.2,
6.3,
Прямое входное напряжение диода і
Обратный входной ток диода
Темновой ток коллектор-эмиттер
или при необходимости*, темновой ток коллек-
тор-база
Темновой ток коллектор-эмиттер или, при необходимости*, темновой ток коллектор-база
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
If —- заданное значение
VR — заданное значение
Усе — заданное значение, Zf—0, • /в = 0 (при разомкнутой базе) У св — заданное значение, /в = 0, 1е~0
Усе — заданное значение, /г = 0,
ТатЪ ИЛИ Tref — заданное значение
If и 1с — заданные значения.
V/
Jr
ІСЕО
ІСВО
I СЕО
Усе sat
ЛА а кс
Макс
Макс
Макс
Макс
<1
*
Макс
Номер пункта
Характеристики
Условия при ТатЪ или Тге^=25 °С, если не оговорено иное
Буквенные обозначе-
НИЯ
Требования
6.9.
6.10.
или, при необходимости*, напряжение коллектор- база
Коэффициент
передачи по току
При необходимости, дифференциальный коэффициент передачи по току
Сопротивление изоляции между входом и выходом
При необходимости, емкость между входом и выходом
При необходимости время переключения: время включения и время выключения- .
или
время нарастания и время спада
При необходимости, граничная частота
/в и, 1с — заданные значения, ІЕ “О
If или 1с и Усе — заданные значения, /в = 0
If или 1с и Усе — заданные значения, /в=0, заданное значение частоты
V ю — заданное значение
f — 1 /VIГ ц, If—0, /с = 0
У св
Макс
hF или 1 CTR (de) hf или CTR (ас)
Мин
Мин
Мин
Cjo
Макс
Макс
Макс
Заданные значения Усс, If и и номинальное значение 1с, заданная схема измерения Заданные значения Усс, If и Rl и номинальное значение 1с, заданная схема измерения If или 1с и Усе — заданные значения, /в —0
ton toff
Мин
Макс
Макс
Макс
Макс
*_ Для работы в режиме диода.
Примечания:
Все входные выводы должны бкть соединены вместе и все выходные также. '
Граничная частота — это наименьшая частота, при которой коэффициент передачи по переменному току составляет 0,707 его значения на очень низкой частоте.
Дополнительные сведения
На рассмотрении.
Глава IV. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ
Методы измерений для излучателей
Сила света светоизлучающих диодов (Iv)
Цель
Измерение силы света полупроводниковых светоизлучающих диодов.
Этот метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений:
Вариант 1
Вращение диода вокруг геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.
Вариант 2
Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптической скамьи.
В а р и а нт 3 ■'
Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.
Схема измерения (см. черт. 2)
Описание схемы и требования к ней
D — измеряемый светоизлучающий диод; PD — фотоприемник, включающий диафрагму D зоны Л; D2, — диафрагмы; пред
назначенные для подавления паразитных излучений. D2 и D3 не должны ограничивать телесный угол; d — расстояние между измеряемым диодом и
Спектральная чувствительность фотометра должна быть отре
гулирована согласно стандарту МЭК на кривую длины волны света, излучаемого диодом.' Фотометр должен быть откалиброван в канделах на расстоянии d, причем диафрагма Dx находится на фиксированном месте.
Расстояние d должно быть таким, чтобы телесный угол, образуемый источником света при диафрагме Z>i(=4/d2), был менее, чем 0,01 ср.
Для измерения в импульсном режиме генератор тока должен
создавать импульсы тока требуемой амплитуды, длительности и частоты повторения. Фотоприемник должен иметь время нарастания, достаточно малое по сравнению с длительностью импульса; это должен быть прибор для измерения амплитудных значений.
Методика измерения
Измеряемый диод располагается согласно выбранному варианту.
Подается заданный ток и на фотоприемнике измеряется сила Света.
Заданные условия
Температура окружающей среды и, при необходимости, атмосферные условия.
Прямой ток в диоде и, где применимо, длительность и частота повторения.
Вариант: 1, 2 или 3.
Сила излучения инфракрасных излучающих диодов
Цель
Измерение силы излучения полупроводниковых инфракрасных излучающих диодов.
Данный метод может быть применен для следующих трех вариантов измерений:
Вариант 1
Вращение диода вокруг его геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.
Вариант2
Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптической скамьи.
Вариант 3
Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.
Схема измерения (см. черт. 3)
Описание схемы и требования к ней
D — измеряемый инфракрасный излучающий диод; RM — радиометр, включая диафрагму Di зоны A; D2, D$ — диафрагмы, предназначенные для подавления паразитных излучений.
