Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы

tr

Макс*'

Макс

*

Макс

Макс

Макс

Макс

Номер пункта

Характеристики

Условия при Т_атпЬили “25 ^вС, если не оговорено иное

Буквенное обозначе­ния

Требования

6.8

или:

время включе­ния и время вы­ключения

Оговоренная схе­ма, заданные значения Vce и Ic, Ev или Е_в

Макс Макс

Примечание. Освещение стандартным источником типа А согласно МЭК 306—1² осуществляется лампой с вольфрамовой нитью накала при цвето­вой температуре 7=2855,6 К или иным оговоренным источником монохрома­тического излучения.

7. Дополнительные сведения

   1. Диаграмма чувствительности

   2. Спектральная диаграмма

Графическое выражение зависимости спектральной чувстви­тельности от длины волны.

7. Данные по испытаниям на воздействие внешних факторов

и/или на срок службы

На рассмотрении.

Раздел 5. ФОТОПАРЫ, ОПТОПАРЫ (С ТРАНЗИСТОРОМ НА ВЫХОДЕ)

1. Тип

Фотопары, оптопары, параметры которых устанавливаются при температуре окружающей среды или температуре корпуса, пред­назначенные для разделения сигналов.

2. Полупроводниковый материал

Диод на входе: арсенид галлия, арсенид алюминия и др.

Транзистор на выходе: кремний и др.

3. Тип перехода транзистора на выходе ~

4. Сведения о габаритном чертеже и корпусе

Обозначение МЭК и/или национальное' обозначение габа­ритного чертеж

а

1. 1. Материал корпуса: стекло, металл, пластмасса, другие.

   2. Обозначение выводов и любого соединения между выводом и корпусом.

2. Предельно допустимые значения параметров (система абсо­лютных максимальных значений) в диапазоне рабочих темпера­тур, если не оговорено иное

Указываются все необходимые характеристики, такие как вре­мя, частота, длительность импульса, скважность и т. д.

Должны быть оговорены максимальное время пайки и мини­мальное расстояние, до корпуса.

или

Должны быть заданы форма сигнала и частота повторения.

Следует оговорить значения для импульсов обеих полярнос­тей, имеющих форму сигнала, показанную на черт. 1.

°

рольной точке 25 тор.

С. Понижающая кривая или понижающий фак-

1. 15. Максимальная общая рассеиваемая мощность в корпусе (Ptot) при температуре окружающей среды или в контрольной точке 25 °С. Понижающая кривая или понижающий фактор.

2. Электрические характеристики

Таблица 6

Номер пункта

Характеристики

Условия при Т_атЬ или Т_геу=25 °С, если не оговорено иное

Буквенные обозначе­ния

Требования

6.L

6.2,

6.3,

Прямое входное напряжение диода і

Обратный вход­ной ток диода

Темновой ток коллектор-эмит­тер

или при необхо­димости*, темно­вой ток коллек-

тор-база

Темновой ток коллектор-эмит­тер или, при не­обходимости*, темновой ток коллектор-база

Напряжение на­сыщения коллек­тор-эмиттер

If —- заданное значение

V_R — заданное значение

Усе — заданное значение, Zf—0, • /в = 0 (при ра­зомкнутой базе) У св — заданное значение, /в = 0, 1е~0

Усе — заданное значение, /_г = 0,

Т_атЪ ИЛИ Tref — заданное значение

If и 1с — задан­ные значения.

V/

Jr

ІСЕО

ІСВО

I СЕО

Усе sat

ЛА а кс

Макс

Макс

Макс

Макс

<1

*

Макс

Номер пункта

Характеристики

Условия при ТатЪ или Т_ге^=25 °С, если не оговорено иное

Буквенные обозначе-

НИЯ

Требования

6.9.

6.10.

или, при необхо­димости*, напря­жение коллектор- база

Коэффициент
передачи по току

При необходи­мости, дифферен­циальный коэф­фициент переда­чи по току

Сопротивление изоляции между входом и выхо­дом

При необходи­мости, емкость между входом и выходом

При необхо­димости время переключения: время включения и время выклю­чения- .

или

время нарастания и время спада

При необходи­мости, граничная частота

/в и, 1с — задан­ные значения, ІЕ “О

If или 1с и Усе — заданные зна­чения, /в = 0

If или 1с и Усе — заданные зна­чения, /в=0, за­данное значение частоты

V ю — заданное значение

f — 1 /VIГ ц, If—0, /с = 0

У св

Макс

hF или ¹ CTR (de) hf или CTR (ас)

^гю

Мин

Мин

Мин

Cjo

Макс

Макс

Макс

Заданные значе­ния Усс, If и и номинальное значение 1с, за­данная схема из­мерения Заданные зна­чения Усс, If и Rl и номинальное значение 1с, за­данная схема из­мерения If или 1с и Усе — заданные зна­чения, /в —0

ton toff

Мин

Макс

Макс

Макс

Макс

*_ Для работы в режиме диода.

Примечания:

1. Все входные выводы должны бкть соединены вместе и все выходные также. '

2. Граничная частота — это наименьшая частота, при которой коэффициент передачи по переменному току составляет 0,707 его значения на очень низкой частоте.

7. Дополнительные сведения

На рассмотрении.

Глава IV. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ

8. Методы измерений для излучателей

1. Цель

Измерение силы света полупроводниковых светоизлучающих диодов.

Этот метод может быть применен для следующих трех вариан­тов измерений:

Вариант 1

Вращение диода вокруг геометрической оси для точного опре­деления минимального и/или максимального значения.

Вариант 2

Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптичес­кой скамьи.

В а р и а нт 3 ■'

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

2. Схема измерения (см. черт. 2)

3. Описание схемы и требования к ней

D — измеряемый светоизлучающий диод; PD — фотоприемник, включающий диафрагму D зоны Л; D₂, — диафрагмы; пред­

назначенные для подавления паразитных излучений. D₂ и D₃ не должны ограничивать телесный угол; d — расстояние между из­меряемым диодом и

Спектральная чувствительность фотометра должна быть отре­

гулирована согласно стандарту МЭК на кривую длины волны света, излучаемого диодом.' Фотометр должен быть откалиброван в канделах на расстоянии d, причем диафрагма D_x находится на фиксированном месте.

Расстояние d должно быть таким, чтобы телесный угол, обра­зуемый источником света при диафрагме Z>i(=4/d²), был менее, чем 0,01 ср.

Для измерения в импульсном режиме генератор тока должен

создавать импульсы тока требуемой амплитуды, длительности и частоты повторения. Фотоприемник должен иметь время нараста­ния, достаточно малое по сравнению с длительностью импульса; это должен быть прибор для измерения амплитудных значений.

4. Методика измерения

Измеряемый диод располагается согласно выбранному вари­анту.

Подается заданный ток и на фотоприемнике измеряется сила Света.

5. Заданные условия

Температура окружающей среды и, при необходимости, атмос­ферные условия.

Прямой ток в диоде и, где применимо, длительность и частота повторения.

Вариант: 1, 2 или 3.

1. Цель

Измерение силы излучения полупроводниковых инфракрасных излучающих диодов.

Данный метод может быть применен для следующих трех ва­риантов измерений:

Вариант 1

Вращение диода вокруг его геометрической оси для точного определения минимального и/или максимального значения.

Вариант2

Совмещение оптической оси диода с оптической осью оптичес­кой скамьи.

Вариант 3

Установка по эталону, соответствующему типу корпуса диода, что позволяет воспроизводить механическое ориентирование.

2. Схема измерения (см. черт. 3)

3. Описание схемы и требования к ней

D — измеряемый инфракрасный излучающий диод; RM — ра­диометр, включая диафрагму Di зоны A; D₂, D$ — диафрагмы, предназначенные для подавления паразитных излучений.