---

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ

МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ

ГОСТ І9656.І4—79

Издание официальное 4

Цена 3 коп.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО СТАНДАРТАМ
Москв

аt СДсіКіир

Технический редактор 5." Н. 'ГІрусакта

Корректор /1. Г> Прокофьева

Сдано в наб. 24.09.79 Подп. в печ 26.11.79 0.375 п. л. 0,23 уч.-изд. л. Тир. 8000 Цена 3 когт.

Ордена «Знак Почета» Издательство стандартов. 123557, Москва, Новопресненский пер., Э> Тип. «Московский печатник». Москва, Лялин пер. 6. Зак. 1318

У

Группа Э29

ДК 621.382.2.029.6.08 : 006.354 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ГОСТ

Метод измерения критической частоты

Semiconductor microwave switching diodes. 19656.14—79

Measurement method of critical frequency

П

с 01.01 1981 г.

до 01.01 1986 г.

остановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. № 3457 срок действия установлен

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты /_кр.

Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0—74 и ГОСТ 18986.0—74.

1. ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ

   1. Метод основан на измерении полного входного сопротивле­ния измерительной диодной камеры с включенным в нее измеря­емым диодом.

   2. Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, на­пряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или тех­нических условиях на диоды конкретных типов.

2. АППАРАТУРА

   1. Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11—75.

   2. Д

      Издание официальное
      ★

      опускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого

Перепечатка воспрещена

©Издательство стандартов, 1972«и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандар­тах или технических условиях на диоды конкретных типов.

3. ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ

   1. Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11—75.

   2. Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.

4. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

   1. Критическую частоту f_Kp в ГГц следует определять по фор­муле

s

&I3

COS30J l-f

in Pa-sin р₄

—— AZj (AZ_nsinp₂—A^₂sin²p₄) tg Piy I tg ₽2 / /

где p, (Z₃—ZJ;
A

?₂= -у-(*₂-О;

AZ_t; AZ₂; AZ₃; AZ₄; Z_x; Z₂; Z₃; Z₄ —значения, определяемые по ГОСТ 19656.11—75, мм;

Л — длина волны в измерительной линии, мм; с — скорость света 3-Ю¹¹ мм/с.

cos² ₽71 + ХЁ1У< 1Д5;

Ч tg р J
sin 8₂>0,95

критическую частоту f_Kp в ГГц определяют по формуле

Sin р₄

V (Д/₃—д^Хдг,—д/₃зіп®р₄)

— _r^s,np‘ • (і + ■££)• Р)

А₽= —^=-, (4)

2тс (С—"Скон) ' Г Гпр • гобр

где С—общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4—73, Ф;

С_КОн — конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;

Гпр— прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11—75, Ом;

г_Обр—обратное сопротивление потерь, измеренное по- ГОСТ 19656.11—75, Ом.

5. ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ ,

   1. Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью Р*=0,997 для значений f_Kp менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью Р*=0,997 для значений /_кр свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5—5 ГГц.

При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или техничес­ких условиях на диоды конкретных типов.

Расчет погрешности измерений приведен в справочном прило­жении.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Справочное

1. Расчет погрешности измерения критической частоты

Погрешность измерения /кр определяется по формуле

8/_кр=/(А₁ВС)Ч(А₂2С_кон)Ч(А.зЧ_Р)'^!+(ААо_бр)'³, (О

где дС— погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4—73); бСков — погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4—73);

бг_Пр—погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11—75);

дГобр—погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11—75); :

Л_ь Л₂— значения, определяемые по формулам.

2. Пример расчета погрешности

Данные для расчета: /_Изм=5 ГГц; Д/і=0,191 мм; Д/₂=0,191 мм; Д7₃=0,57 мм; Д/₄ = 0,3 мм; /з—/1 = 1,8 мм; /₂—/і = 13,6 мм; /₄—її = 11,5 мм; С=0,26 пФ; Скон=0,1 пФ; 2_о=5О Ом.

В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11—75, ГОСТ 18986.4—73 и формулам (1) — (5) настоящего приложения получаем: г_пр = 1,04 Ом; /овр=6,8 Ом; бг_Пр=22,6%; 6r_oSp = 18%'; 6С=13%; 6С_КОН = 25%; Лі = 1,710; /<2=0,715. .

Значение погрешности измереция-./кр равно’' - 'г . V V ’■ •;

5/_кр=/(1,71 • 13,0)4 (0,715 ^5f)4W^)H(0,5- 18,0)^32о/_о ;

f„_P, рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.

Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд. 5.