Термин |
Буквенное обозначение |
Определение |
|
отечественное |
международное |
||
50. Максимально допустимый прямой ток затвора
wartsstrom
|
^3(np)max |
A?Fmax |
|
51. Максимально допустимый импульсный ток стока D. Maximal zulas- siger Drain-Im- pulsstrom |
^С(и)так |
D Літах |
Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов |
52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора
|
Р max |
р г DSmax |
|
53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal zulassi- ge Impulsver- lustleistung |
Р * и шах |
р 'Літах |
Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов |
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
Время включения
Время включения полевого транзистора
Время выключения
Время выключения полевого транзистора
Время задержки включения
Время задержки включения полевого транзистора
Время задержки выключения
Время задержки выключения полевого транзистора
Время нарастания
Время нарастания для полевого транзистора
Время спада
Время спада для полевого транзистора
Емкость входная
Емкость выходная
Емкость затвор-исток
Емкость затвор-сток
Емкость полевого транзистора входная
Емкость полевого транзистора выходная
Емкость полевого транзистора проходная
Емкость проходная
Емкость сток-исток
Коэффициент усиления по мощности
Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
Коэффициент шума
Коэффициент шума полевого транзистора
Крутизна характеристики
Крутизна характеристики полевого транзистора
Крутизна характеристики по подложке
Модуль полной проводимости обратной передачи
Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора
Модуль полной проводимости прямой передачи
Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора
Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая
Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая
Мощность стока рассеиваемая постоянная
Напряжение затвор-исток
Напряжение затвор-исток максимально допустимое
Напряжение затвора пробивное
Напряжение затвор-исток прямое
Напряжение затвор-исток обратное
Напряжение затвор-подложка
Напряжение затвор-подложка максимально допустимое
Напряжение затвор-сток
Напряжение затвор-сток максимально допустимое
Напряжение исток-подложка
Напряжение исток-подложка максимально допустимое
Напряжение между затворами максимально допустимое
Напряжение отсечки
Напряжение отсечки полевого транзистора
Напряжение полевого транзистора пороговое
Н
35
35
36 36
31
31
33 33
32 32
34 34
14
15 13
12 14
15 16
16 11
30 30
29 29
8 8
9
20
20 22
22
53
52
41а 76 43
7и 7в
7г 7з
46
48
6
6
7
25
апряжение полевого транзистора шумовоНапряжение пороговое 7
Напряжение сток-исток 7а
Напряжение сток-исток максимально допустимое 42
Напряжение сток-подложка 7ж
Напряжение сток-подложка максимально допустимое 45
Напряжение шумовое 25
Отношение начальных токов стока 40
Проводимость входная активная 18
Проводимость входная полная 17
Проводимость выходная активная 24
Проводимость выходная полная 23
Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная 19
Проводимость обратной передачи полная 19
Проводимость полевого транзистора входная полная 17
Проводимость полевого транзистора выходная полная 23
Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная 21
Проводимость прямой передачи полная 21
Разность активных выходных проводимостей 39
Разность напряжений затвор-исток 37
Разность токов утечки затвора 41
Сопротивление полевого транзистора шумовое 28
Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии 10а
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии 10
Сопротивление шумовое 28
Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная 18
Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная 24
Ток затвора 2д
Ток затвора прямой 2е
Ток затвора прямой максимально допустимый 50
Ток истока 26
Ток истока начальный 2в
Ток истока остаточный 2г
Ток отсечки затвора 2ж
Ток подложки 5а
Ток полевого транзистора шумовой 27
Ток перехода затвор-исток обратный 4
Ток перехода затвор-сток обратный 5
Ток стока 1а
Ток стока импульсный максимально допустимый 51
Ток стока начальный 1
Ток стока остаточный 2
Ток стока при нагруженном затворе 2а
Ток стока при разомкнутом выводе остаточный 2
Ток стока постоянный максимально допустимый 49
Ток утечки затвора 3
Ток шумовой 27
Уход разности напряжений затвор-исток температурный 38
Э. д. с. шума 26
Электродвижущая сила шума полевого транзистора 26
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
Abfallzeit
Anstiegszeit
Ausgangskapazitat
Ausschaltverzogerungszeit
Ausschaltzeit
Betrag des Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwertes
Betrag des Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwertes
Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Drainreststrom
Drainstrom
Drainstrom bei Widerstandsabschluss zwischen Source und
Gate
Drain-Source-Kapazitat
Drain-Source-Kurzschlussstrom
Drain-Source-Kurzschlussstromverhaltnis
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Drain-Source-Spannung
Drain-Source-Verlustleistung
Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor
Drain-Source-Widerstand bei geoffnetem Transistor
Drain-Substrat-Spannung 7ж
Eingangskapazitat 14
Einschaltzeit 35
Einschaltverzogerungszeit 31
Gate-Drain-Kapazitat 12
Gate-Drain-Spannung 7д
Gatestrom 2д
Gaterestrom 3
Gatereststroni (Source often) 4
Gatedurchlassstrom 2e
Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung 2ж
Gatereststrom (Drain often) 5
Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransis- tors) 41
Gate-Source-Durchbruchspannung 7 u
Gate-Source-Kapazitat 13з
Gate-Source-Spannung 7з
Gate-Source-Durchlassspannung 7b
Gate-Source-Sperrspannug 7r
Gate-Substrat-Spannung 76
Gate-Source-Spannung (Abschniirspannung) 6
Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekt- transistors) 37
Kurzschhiss-Eingangsscheinleitwert 17
Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert 23
Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwert 19
Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwert 21
Leistungsverstarkung 30
Maximal zulassige Drain-Source-Spannung 42
Maximal zulassige Gate-Source-Spannung 43
Maximal zulassige Gate-Drain-Spannung 44
Maximal zulassige Drain-Bulk-Spannung 45
Maximal zulassige Source-Bulk-Spannung 46Maximal zulassige Gate-Bulk-Spatinung . ;ч. . . ' 47
Maximal zulassige Spannuhg zwischen den Gates ' • 48
Maximal zulassiger Drain-Gleichstrom 49
Maximal zulassiger Gate-Vorwartsstrorn . 50
Maximal zulassiger Drain-Impulsstrom 51
Maximal zulassige Dauerverlustleistung 52
Maximal zulassige Impulsverlustleistung .53
Rauschspannung 25
Rauschurspannung . 26
Rauschstrom 27
Rauschwiderstand 28
Rauschfaktor 29
Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes - 24
Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes - 18
Riickwirkungskapazitat 16
Schwellspannung ?
Sourcestrom 26
Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate 2b
Sourcereststrom ' : ■ 2r
Source-Substrat-Spannung 7e
Substratstrom 5a
Temperaturdrift der Gate-S’ource-Spannungsdifferenz
(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) 38
Vorwartssteilheit ' ’ 8
АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
Difference of gate-source voltages
Drain current for Vqs=0 ■'
Drain current
Drain current, at a specified gate-source resistance
Drain cut-off current
Drain-source capacitance- '
Drain-source off-state resistance
Drain-source on-state resistance
Drain-source (d. c.) voltage
Drain-substrate (d. c.) voltage
Drift of difference of gate-source voltage with temperature
Fall time
Forward gate current
Forward gate-source (d. c.) voltage
Forward transconductance
Gate current
Gate cut-off current with drain open-circuited
Gate cut-off current with source open-circuited
Gate cut-off current (of a field-effect transistor), with-specified drain-source circuit conditions
Gate-drain capacitance
Gate-drain (d. c.) voltage
Gate-drain cut-off current . .
Gate leakage current
Gate-source breakdown voltage
(with drain short-circuited to source)
Gate-source capacitance .
Gate-source cut-off current
Gate-source cut-off voltage ‘ ,
1 Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.