Термин

Буквенное обозначение

Определение

отечественное

междуна­родное

50. Максимально допус­тимый прямой ток затвора

  1. Maximal zulassi- ger Gate-Vor-

wartsstrom

  1. Maximum for­ward gate current

  2. Courant directe de grille

^3(np)max

A?Fmax


51. Максимально допус­тимый импульсный ток стока

D. Maximal zulas- siger Drain-Im- pulsstrom

^С(и)так

D Літах

Импульсный ток стока при заданных длитель­ности и скважности им­пульсов

52. Максимально допус­тимая постоянная рассеиваемая мощ­ность полевого тран­зистора

  1. Maximal zulassi- ge Dauerverlust- leistung

  2. Power dissipation F. Dissipation de puissance

Р max

р

г DSmax


53. Максимально допус­тимая импульсная рассеиваемая мощ­ность полевого тран­зистора

D. Maximal zulassi- ge Impulsver-

lustleistung

Р

* и шах

р 'Літах

Мощность, рассеива­емая полевым транзис­тором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов



АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

Время включения

Время включения полевого транзистора

Время выключения

Время выключения полевого транзистора

Время задержки включения

Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки выключения

Время задержки выключения полевого транзистора

Время нарастания

Время нарастания для полевого транзистора

Время спада

Время спада для полевого транзистора

Емкость входная

Емкость выходная

Емкость затвор-исток

Емкость затвор-сток

Емкость полевого транзистора входная

Емкость полевого транзистора выходная

Емкость полевого транзистора проходная

Емкость проходная

Емкость сток-исток

Коэффициент усиления по мощности

Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Коэффициент шума

Коэффициент шума полевого транзистора

Крутизна характеристики

Крутизна характеристики полевого транзистора

Крутизна характеристики по подложке

Модуль полной проводимости обратной передачи

Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора

Модуль полной проводимости прямой передачи

Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора

Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая

Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая

Мощность стока рассеиваемая постоянная

Напряжение затвор-исток

Напряжение затвор-исток максимально допустимое

Напряжение затвора пробивное

Напряжение затвор-исток прямое

Напряжение затвор-исток обратное

Напряжение затвор-подложка

Напряжение затвор-подложка максимально допустимое

Напряжение затвор-сток

Напряжение затвор-сток максимально допустимое

Напряжение исток-подложка

Напряжение исток-подложка максимально допустимое

Напряжение между затворами максимально допустимое

Напряжение отсечки

Напряжение отсечки полевого транзистора

Напряжение полевого транзистора пороговое

Н

35

35

36 36

31

31

33 33

32 32

34 34

14

15 13

12 14

15 16

16 11

30 30

29 29

8 8

9

20

20 22

22

53

52

41а 76 43

7и 7в

7г 7з

46

48

6

6

7

25

апряжение полевого транзистора шумово

Напряжение пороговое 7

Напряжение сток-исток 7а

Напряжение сток-исток максимально допустимое 42

Напряжение сток-подложка 7ж

Напряжение сток-подложка максимально допустимое 45

Напряжение шумовое 25

Отношение начальных токов стока 40

Проводимость входная активная 18

Проводимость входная полная 17

Проводимость выходная активная 24

Проводимость выходная полная 23

Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная 19

Проводимость обратной передачи полная 19

Проводимость полевого транзистора входная полная 17

Проводимость полевого транзистора выходная полная 23

Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная 21

Проводимость прямой передачи полная 21

Разность активных выходных проводимостей 39

Разность напряжений затвор-исток 37

Разность токов утечки затвора 41

Сопротивление полевого транзистора шумовое 28

Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии 10а

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии 10

Сопротивление шумовое 28

Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная 18

Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная 24

Ток затвора 2д

Ток затвора прямой 2е

Ток затвора прямой максимально допустимый 50

Ток истока 26

Ток истока начальный 2в

Ток истока остаточный 2г

Ток отсечки затвора 2ж

Ток подложки 5а

Ток полевого транзистора шумовой 27

Ток перехода затвор-исток обратный 4

Ток перехода затвор-сток обратный 5

Ток стока 1а

Ток стока импульсный максимально допустимый 51

Ток стока начальный 1

Ток стока остаточный 2

Ток стока при нагруженном затворе 2а

Ток стока при разомкнутом выводе остаточный 2

Ток стока постоянный максимально допустимый 49

Ток утечки затвора 3

Ток шумовой 27

Уход разности напряжений затвор-исток температурный 38

Э. д. с. шума 26

Электродвижущая сила шума полевого транзистора 26

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ

Abfallzeit

Anstiegszeit

Ausgangskapazitat

Ausschaltverzogerungszeit

Ausschaltzeit

Betrag des Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwertes

Betrag des Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwertes

Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte

(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

Drainreststrom

Drainstrom

Drainstrom bei Widerstandsabschluss zwischen Source und

Gate

Drain-Source-Kapazitat

Drain-Source-Kurzschlussstrom

Drain-Source-Kurzschlussstromverhaltnis

(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)

Drain-Source-Spannung

Drain-Source-Verlustleistung

Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor

Drain-Source-Widerstand bei geoffnetem Transistor

Drain-Substrat-Spannung 7ж

Eingangskapazitat 14

Einschaltzeit 35

Einschaltverzogerungszeit 31

Gate-Drain-Kapazitat 12

Gate-Drain-Spannung 7д

Gatestrom 2д

Gaterestrom 3

Gatereststroni (Source often) 4

Gatedurchlassstrom 2e

Gatesperrstrom bei vorgegebener Drain-Source-Spannung 2ж

Gatereststrom (Drain often) 5

Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransis- tors) 41

Gate-Source-Durchbruchspannung 7 u

Gate-Source-Kapazitat 13з

Gate-Source-Spannung 7з

Gate-Source-Durchlassspannung 7b

Gate-Source-Sperrspannug 7r

Gate-Substrat-Spannung 76

Gate-Source-Spannung (Abschniirspannung) 6

Gate-Source-Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekt- transistors) 37

Kurzschhiss-Eingangsscheinleitwert 17

Kurzschluss-Ausgangsscheinleitwert 23

Kurzschluss-Riickwirkungsscheinleitwert 19

Kurzschluss-Ubertragungsscheinleitwert 21

Leistungsverstarkung 30

Maximal zulassige Drain-Source-Spannung 42

Maximal zulassige Gate-Source-Spannung 43

Maximal zulassige Gate-Drain-Spannung 44

Maximal zulassige Drain-Bulk-Spannung 45

Maximal zulassige Source-Bulk-Spannung 46Maximal zulassige Gate-Bulk-Spatinung . . . . ' 47

Maximal zulassige Spannuhg zwischen den Gates ' • 48

Maximal zulassiger Drain-Gleichstrom 49

Maximal zulassiger Gate-Vorwartsstrorn . 50

Maximal zulassiger Drain-Impulsstrom 51

Maximal zulassige Dauerverlustleistung 52

Maximal zulassige Impulsverlustleistung .53

Rauschspannung 25

Rauschurspannung . 26

Rauschstrom 27

Rauschwiderstand 28

Rauschfaktor 29

Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes - 24

Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes - 18

Riickwirkungskapazitat 16

Schwellspannung ?

Sourcestrom 26

Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate 2b

Sourcereststrom ' : ■ 2r

Source-Substrat-Spannung 7e

Substratstrom 5a

Temperaturdrift der Gate-S’ource-Spannungsdifferenz

(eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) 38

Vorwartssteilheit ' ’ 8

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ

Difference of gate-source voltages

Drain current for Vqs=0 ■'

Drain current

Drain current, at a specified gate-source resistance

Drain cut-off current

Drain-source capacitance- '

Drain-source off-state resistance

Drain-source on-state resistance

Drain-source (d. c.) voltage

Drain-substrate (d. c.) voltage

Drift of difference of gate-source voltage with temperature

Fall time

Forward gate current

Forward gate-source (d. c.) voltage

Forward transconductance

Gate current

Gate cut-off current with drain open-circuited

Gate cut-off current with source open-circuited

Gate cut-off current (of a field-effect transistor), with-spe­cified drain-source circuit conditions

Gate-drain capacitance

Gate-drain (d. c.) voltage

Gate-drain cut-off current . .

Gate leakage current

Gate-source breakdown voltage

(with drain short-circuited to source)

Gate-source capacitance .

Gate-source cut-off current

Gate-source cut-off voltage ‘ ,


1 Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкрет­ных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при лю­бых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.